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          電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
          • 本發(fā)明公開一種濾波器芯片封裝結(jié)構(gòu)及其晶圓級封裝方法,該封裝結(jié)構(gòu)包括:濾波器芯片,濾波器芯片的正面具有諧振器工作區(qū),其邊緣設(shè)有多個(gè)焊墊結(jié)構(gòu),焊墊結(jié)構(gòu)的外圍設(shè)有支撐圍墻,焊墊結(jié)構(gòu)和支撐圍墻上設(shè)有頂蓋層;焊墊結(jié)構(gòu)包括第一焊墊部和第二焊墊部,第一焊...
          • 本申請涉及集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種電壓域轉(zhuǎn)換電路。所述電壓域轉(zhuǎn)換電路,包括:共模噪聲消除模塊,與雙高壓脈沖信號產(chǎn)生電路連接,用于在高壓側(cè)電壓域的電壓變化值及電壓變化率滿足預(yù)定條件時(shí),鉗位雙高壓脈沖信號產(chǎn)生電路的第一高壓脈沖信號輸...
          • 本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域,具體涉及一種流水式折疊內(nèi)插型模數(shù)轉(zhuǎn)換器。本發(fā)明包括含冗余信息的折疊插值結(jié)構(gòu)和糾錯(cuò)邏輯電路,利用本級的冗余信息和后級的原始量化信息等對本級原始量化信息進(jìn)行糾錯(cuò),再送入編碼電路以產(chǎn)生正確的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換結(jié)果,可降低對比較器失調(diào)...
          • 本申請涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,具體公開了一種濾波器,包括堆疊設(shè)置的基板、體聲波諧振器以及半導(dǎo)體制冷器;所述體聲波諧振器設(shè)置在所述基板的第一面上,所述半導(dǎo)體制冷器具有制冷端面,所述制冷端面與所述基板的第二面接觸;所述第一面與第二面為所述基板相...
          • 本申請?zhí)峁┮环N彈性波器件,電路和電子設(shè)備。該彈性波裝置包括電極和兩個(gè)壓電層。這兩個(gè)壓電層可以分別稱為第一壓電層和第二壓電層。該電極設(shè)置在該第一壓電層上,該第一壓電層設(shè)置在該第一壓電層之上。該電極被配置為生成具有波長λ的彈性波。該第一壓電層的...
          • 本申請公開了一種時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)電路系統(tǒng)及基于其的時(shí)鐘恢復(fù)運(yùn)行方法,時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)電路系統(tǒng)包括:數(shù)據(jù)檢測控制模塊、鑒相器、濾波器以及電壓控制振蕩器;鑒相器第一輸入端用于接入待處理信號,鑒相器第二輸入端接入電壓控制振蕩器輸出端,電壓控制振蕩器輸出端...
          • 振蕩器和制造方法。在通過FCB進(jìn)行IC和封裝的接合時(shí),存在IC的性能可能劣化這樣的課題。振蕩器具有:封裝,其在安裝面設(shè)置有多個(gè)外部端子;電路元件,其收納于所述封裝;以及振子,其收納于所述封裝,與所述電路元件電連接,所述電路元件通過多個(gè)焊盤與...
          • 本發(fā)明公開的一種具備抗干擾和欠壓的光MOS點(diǎn)火模塊,其特征在于:包括延時(shí)電路、隔離電路、輸出電路;通過延時(shí)電路抑制尖峰干擾,光隔離切斷共模干擾,輸入端可承受3~5ms(5V)尖峰及欠壓,確保點(diǎn)火信號穩(wěn)定;在封裝時(shí)采用陶瓷外殼、全裸芯片裝配及...
          • 一種基于跨導(dǎo)調(diào)制的增益誤差抑制電路,涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域,包括跨導(dǎo)調(diào)制電路、輸入級電路、輸出級電路,其中輸入級電路包括跨導(dǎo)器Gm11和跨導(dǎo)器Gm12,用于將輸入信號VIN和反...
          • 振動(dòng)元件、振子以及電子器件。提供振蕩特性不易產(chǎn)生偏差的振動(dòng)元件。振動(dòng)元件具有配置在振動(dòng)片的第1面上的第1激勵(lì)電極、第1焊盤電極和第1引出布線;配置在振動(dòng)片的第2面上的第2激勵(lì)電極、第2焊盤電極和第2引出布線;以及配置在振動(dòng)片的第1面上的螺旋...
          • 本發(fā)明公開了一種基于陶瓷貼片的低通濾波器,包括主體結(jié)構(gòu)、焊盤結(jié)構(gòu)組、電容結(jié)構(gòu)組、電感結(jié)構(gòu)組;焊盤結(jié)構(gòu)組設(shè)置于主體結(jié)構(gòu);電容結(jié)構(gòu)和電感結(jié)構(gòu)設(shè)置于主體結(jié)構(gòu)內(nèi)側(cè);焊盤結(jié)構(gòu)組分別和電容結(jié)構(gòu)組、電感結(jié)構(gòu)組電連接;電容結(jié)構(gòu)組和電感結(jié)構(gòu)組包括諧振控制結(jié)構(gòu)...
          • 本申請公開了一種功放電路和電子設(shè)備,涉及射頻領(lǐng)域,用于載波支路和峰值支路通過耦合器相耦合時(shí),降低載波支路的插損。功放電路包括:第一功率放大器、第二功率放大器、匹配網(wǎng)絡(luò)、第二移相網(wǎng)絡(luò)、耦合器、匹配負(fù)載,第一功率放大器的輸入端用于輸入射頻信號,...
          • 一種信號產(chǎn)生電路、鎖頻回路電路及鎖相回路系統(tǒng)。信號產(chǎn)生電路包含第一斬波器、第一轉(zhuǎn)導(dǎo)放大器、第二斬波器及漣波消除器。第一轉(zhuǎn)導(dǎo)放大器包含差動(dòng)輸入電路、電流鏡電路及放大電路。差動(dòng)輸入電路用以接收差動(dòng)輸入信號,且差動(dòng)輸入信號通過電流鏡電路、放大電路...
          • 本申請公開一種聲表面波諧振器、濾波器和電子設(shè)備,涉及諧振器技術(shù)領(lǐng)域,聲表面波諧振器包括基板組件和叉指換能器,基板組件包括第一壓電層和非壓電層,非壓電層位于第一壓電層的外周,叉指換能器與基板組件沿第一方向?qū)盈B設(shè)置,叉指換能器具有第一激發(fā)段和第...
          • 本發(fā)明公開了一種蘭姆波諧振器及其制作方法,該蘭姆波諧振器包括:一壓電材料層;一第一指狀電極,設(shè)置于所述壓電材料層的一側(cè),該第一指狀電極包括一第一主干部與復(fù)數(shù)個(gè)第一分支部;一第二指狀電極,設(shè)置于所述壓電材料層的所述一側(cè),該第二指狀電極包括一第...
          • 本發(fā)明涉及超寬帶信號處理技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及基于信道化技術(shù)的超寬帶低延遲信號處理方法,該方法的步驟包括:獲取輸入數(shù)字信號,對輸入數(shù)字信號進(jìn)行多相分解,得到K個(gè)多相分量;選取原型低通濾波器,并根據(jù)信道總數(shù)和預(yù)設(shè)的內(nèi)插因子從原型低通濾波器的...
          • 本實(shí)用新型提供了一種基于跨阻放大器的增益自調(diào)節(jié)離子信號檢測電路,包括電子倍增器CEM,電子倍增器CEM將離子信號轉(zhuǎn)換為電子束,并經(jīng)過跨阻放大器U1分別傳輸給低增益信號放大電路和高增益信號放大電路,輸出幅值識別及傳輸電路用于判斷低增益信號放大...
          • 本申請?zhí)峁┝艘环N碳化硅驅(qū)動(dòng)電路和碳化硅器件,涉及電力電子技術(shù)領(lǐng)域。碳化硅器件包括驅(qū)動(dòng)電路、上橋臂和下橋臂,上橋臂和下橋臂均包括功率開關(guān)管,每條驅(qū)動(dòng)電路連接一個(gè)功率開關(guān)管,被配置為驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)管導(dǎo)通與關(guān)斷,至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)模塊、驅(qū)動(dòng)電...
          • 本實(shí)用新型公開了一種LC帶通濾波器,包括:電路板以及設(shè)置在電路板上的殼體,所述電路板上設(shè)置有電路;所述電路包括對地串聯(lián)諧振、交叉耦合零點(diǎn),所述帶通濾波器的輸入端與第一級耦合電容連接,所述帶通濾波器的輸出端連接與交叉耦合零點(diǎn)輸出端連接。本實(shí)用...
          • 電子器件(1)具備素體(2)和電感器,電感器包括:在多個(gè)素體層(7)的層疊方向上延伸的第一導(dǎo)體(10)、第二導(dǎo)體(11)、第三導(dǎo)體(12)、第四導(dǎo)體(13)、第五導(dǎo)體(14)以及第六導(dǎo)體(15);第一電感器導(dǎo)體(20)、第二電感器導(dǎo)體(21...
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