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          電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
          • 本發(fā)明提供一種雙模式表面聲波諧振器,用于構(gòu)成接收濾波器,其包括:一第一諧振器和一第二諧振器,各自包括多個(gè)叉指換能器元件;一信號(hào)金屬圖形,連接設(shè)置在所述多個(gè)叉指換能器元件上的信號(hào)端子;一接地金屬圖形,連接設(shè)置在所述多個(gè)叉指換能器元件上的接地端...
          • 本發(fā)明涉及微電子器件技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種基于壓電單晶薄膜的聲學(xué)諧振器、制備方法及濾波器,通過(guò)在含有壓電單晶薄膜的晶圓上進(jìn)行離子注入,并在離子注入面上依次生長(zhǎng)下電極、犧牲層和SiO2層,形成第一組合體;將第一組合體與硅襯...
          • 本實(shí)用新型提供了一種封裝結(jié)構(gòu),通過(guò)根據(jù)塑封層的材料流動(dòng)性不同,結(jié)合不同的塑封工藝形成塑封層或塑封層和隔離層,隨后再通過(guò)整條研磨工藝減薄封裝結(jié)構(gòu)的厚度而后或在其之前進(jìn)行裂片,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了在無(wú)需改變?yōu)V波器芯片的傳統(tǒng)裂片方式的情況下,便可保證封裝結(jié)...
          • 本發(fā)明使雜散降低。彈性波裝置(1)具備支承基板(4)、壓電體層(6)、以及IDT電極(7)。支承基板(4)包含石英。壓電體層(6)形成在支承基板(4)上,包含LiTaO3。IDT電極(7)形成在壓電體層(6)上,具有多...
          • 本發(fā)明涉及信息電子材料技術(shù)、信息通訊、無(wú)線射頻通訊等領(lǐng)域,具體涉及一種聲表面波器件結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用,所述結(jié)構(gòu)自下到上依次包括壓電襯底、金屬指條、溫度補(bǔ)償層,在溫度補(bǔ)償層上設(shè)置有附加層,附加層位于金屬指條正上方且附加層在金屬指條延伸方向與金屬指條...
          • 一種叉指型體聲波諧振器及濾波器,涉及諧振器技術(shù)領(lǐng)域。該叉指型體聲波諧振器包括襯底和位于襯底上的壓電疊層,壓電疊層包括位于襯底上的壓電層以及位于壓電層上的第一組叉指電極和第二組叉指電極,襯底靠近壓電疊層的一側(cè)設(shè)有空腔;其中,第一組叉指電極和第...
          • 本發(fā)明涉及聲表面波器件技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于濕法轉(zhuǎn)移氮化鋁薄膜的柔性聲表面波器件及制備方法,具體采用濕法轉(zhuǎn)移技術(shù)將高質(zhì)量氮化鋁(AlN)壓電薄膜從生長(zhǎng)襯底轉(zhuǎn)移到柔性云母襯底上,通過(guò)引入緩沖層(如SrTiO3)解決界面應(yīng)力問(wèn)題,并在緩沖層...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N體聲波諧振器及其制備方法,涉及諧振器技術(shù)領(lǐng)域,通過(guò)在方法中融入第一襯底以及單晶薄膜層,并且使得單晶薄膜層作為壓電堆疊膜層的生長(zhǎng)表面,進(jìn)而借助單晶薄膜層的特性,在單晶薄膜層上形成壓電堆疊膜層時(shí),獲得高質(zhì)量的準(zhǔn)單晶壓電層,進(jìn)而將其...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N諧振器及其制備方法,涉及諧振器技術(shù)領(lǐng)域,諧振器包括襯底以及依次層疊于襯底的底電極、壓電層和頂電極,頂電極具有位于諧振器工作區(qū)域邊緣的聲反射部,聲反射部朝向背離壓電層的至少一側(cè)拱起,以與壓電層之間形成多個(gè)反射空腔,利用反射空腔的...
          • 本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域,具體涉及一種流水式折疊內(nèi)插型模數(shù)轉(zhuǎn)換器。本發(fā)明包括含冗余信息的折疊插值結(jié)構(gòu)和糾錯(cuò)邏輯電路,利用本級(jí)的冗余信息和后級(jí)的原始量化信息等對(duì)本級(jí)原始量化信息進(jìn)行糾錯(cuò),再送入編碼電路以產(chǎn)生正確的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換結(jié)果,可降低對(duì)比較器失調(diào)...
          • 本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,具體公開(kāi)了一種濾波器,包括堆疊設(shè)置的基板、體聲波諧振器以及半導(dǎo)體制冷器;所述體聲波諧振器設(shè)置在所述基板的第一面上,所述半導(dǎo)體制冷器具有制冷端面,所述制冷端面與所述基板的第二面接觸;所述第一面與第二面為所述基板相...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N彈性波器件,電路和電子設(shè)備。該彈性波裝置包括電極和兩個(gè)壓電層。這兩個(gè)壓電層可以分別稱為第一壓電層和第二壓電層。該電極設(shè)置在該第一壓電層上,該第一壓電層設(shè)置在該第一壓電層之上。該電極被配置為生成具有波長(zhǎng)λ的彈性波。該第一壓電層的...
          • 振蕩器和制造方法。在通過(guò)FCB進(jìn)行IC和封裝的接合時(shí),存在IC的性能可能劣化這樣的課題。振蕩器具有:封裝,其在安裝面設(shè)置有多個(gè)外部端子;電路元件,其收納于所述封裝;以及振子,其收納于所述封裝,與所述電路元件電連接,所述電路元件通過(guò)多個(gè)焊盤(pán)與...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)電路系統(tǒng)及基于其的時(shí)鐘恢復(fù)運(yùn)行方法,時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)電路系統(tǒng)包括:數(shù)據(jù)檢測(cè)控制模塊、鑒相器、濾波器以及電壓控制振蕩器;鑒相器第一輸入端用于接入待處理信號(hào),鑒相器第二輸入端接入電壓控制振蕩器輸出端,電壓控制振蕩器輸出端...
          • 本發(fā)明公開(kāi)的一種具備抗干擾和欠壓的光MOS點(diǎn)火模塊,其特征在于:包括延時(shí)電路、隔離電路、輸出電路;通過(guò)延時(shí)電路抑制尖峰干擾,光隔離切斷共模干擾,輸入端可承受3~5ms(5V)尖峰及欠壓,確保點(diǎn)火信號(hào)穩(wěn)定;在封裝時(shí)采用陶瓷外殼、全裸芯片裝配及...
          • 一種基于跨導(dǎo)調(diào)制的增益誤差抑制電路,涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域,包括跨導(dǎo)調(diào)制電路、輸入級(jí)電路、輸出級(jí)電路,其中輸入級(jí)電路包括跨導(dǎo)器Gm11和跨導(dǎo)器Gm12,用于將輸入信號(hào)VIN和反...
          • 振動(dòng)元件、振子以及電子器件。提供振蕩特性不易產(chǎn)生偏差的振動(dòng)元件。振動(dòng)元件具有配置在振動(dòng)片的第1面上的第1激勵(lì)電極、第1焊盤(pán)電極和第1引出布線;配置在振動(dòng)片的第2面上的第2激勵(lì)電極、第2焊盤(pán)電極和第2引出布線;以及配置在振動(dòng)片的第1面上的螺旋...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于陶瓷貼片的低通濾波器,包括主體結(jié)構(gòu)、焊盤(pán)結(jié)構(gòu)組、電容結(jié)構(gòu)組、電感結(jié)構(gòu)組;焊盤(pán)結(jié)構(gòu)組設(shè)置于主體結(jié)構(gòu);電容結(jié)構(gòu)和電感結(jié)構(gòu)設(shè)置于主體結(jié)構(gòu)內(nèi)側(cè);焊盤(pán)結(jié)構(gòu)組分別和電容結(jié)構(gòu)組、電感結(jié)構(gòu)組電連接;電容結(jié)構(gòu)組和電感結(jié)構(gòu)組包括諧振控制結(jié)構(gòu)...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種功放電路和電子設(shè)備,涉及射頻領(lǐng)域,用于載波支路和峰值支路通過(guò)耦合器相耦合時(shí),降低載波支路的插損。功放電路包括:第一功率放大器、第二功率放大器、匹配網(wǎng)絡(luò)、第二移相網(wǎng)絡(luò)、耦合器、匹配負(fù)載,第一功率放大器的輸入端用于輸入射頻信號(hào),...
          • 一種信號(hào)產(chǎn)生電路、鎖頻回路電路及鎖相回路系統(tǒng)。信號(hào)產(chǎn)生電路包含第一斬波器、第一轉(zhuǎn)導(dǎo)放大器、第二斬波器及漣波消除器。第一轉(zhuǎn)導(dǎo)放大器包含差動(dòng)輸入電路、電流鏡電路及放大電路。差動(dòng)輸入電路用以接收差動(dòng)輸入信號(hào),且差動(dòng)輸入信號(hào)通過(guò)電流鏡電路、放大電路...
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