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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本公開涉及結(jié)合PDL1的抗體和抗體衍生物及其使用方法。在某些實施方案中，本文公開的抗體或抗體衍生物包括結(jié)合PDL1的單結(jié)構(gòu)域抗體。
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實施例提供一種小區(qū)選擇方法、通信設(shè)備及存儲介質(zhì)。所述小區(qū)選擇方法包括：根據(jù)第一小區(qū)是否按照第一方式發(fā)送系統(tǒng)信息塊SIB1，確定是否選擇所述第一小區(qū)；所述按照第一方式發(fā)送系統(tǒng)信息塊SIB1包括以下至少之一：基于所述終端請求發(fā)送所述SIB...
								
            
							
            
							
						
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								      一種處理下行信號的方法、裝置、設(shè)備以及存儲介質(zhì)，一種處理下行信號的方法包括：根據(jù)第一模式或第二模式監(jiān)聽下行信號，以及，根據(jù)第三模式或第四模式解調(diào)下行信號；其中：第一模式，不使用儲能監(jiān)聽下行信號；第二模式，使用儲能監(jiān)聽下行信號；第三模式，不使...
								
            
							
            
							
						
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								      一種發(fā)光基板(10)及其制作方法、顯示裝置(100)，發(fā)光基板(10)包括：襯底基板(1)、發(fā)光器件和電連接結(jié)構(gòu)(2)。襯底基板(1)具有主表面，發(fā)光基板(10)包括發(fā)光區(qū)域(LR)和至少部分圍繞發(fā)光區(qū)域(LR)的非發(fā)光區(qū)域(NLR)；發(fā)光...
								
            
							
            
							
						
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								      根據(jù)一個方面，一種磨料制品包括：背襯；底膠，該底膠覆蓋該背襯；磨料層，該磨料層包含磨料顆粒和粘結(jié)劑；其中該磨料顆粒具有隨機旋轉(zhuǎn)取向；其中該磨料顆粒具有總高度H和位于55％H至90％H的高度處的斷裂特征部。該斷裂特征部被構(gòu)造成當(dāng)該顆粒相對于研...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種熱交換器，其包括布置在至少一排管(16)中的熱傳遞表面管(16)和端部元件。熱交換器(10)包括圍繞一排管(16)的殼體(11)。管(16)是直的。在熱交換器(10)中，待加熱或冷卻的物質(zhì)被配置為在管(16)中流動，并且靜止的...
								
            
							
            
							
						
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								      在實例中，一種電壓轉(zhuǎn)換器包含脈沖發(fā)生器(134)。所述電壓轉(zhuǎn)換器還包含高側(cè)晶體管(106)，其具有耦合到所述脈沖發(fā)生器(134)的柵極、耦合到第一電壓端子(116)的源極和耦合到輸出節(jié)點(110)的漏極。所述電壓轉(zhuǎn)換器包含低側(cè)晶體管(108...
								
            
							
            
							
						
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								      一種陣列基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置，該陣列基板包括：襯底基板；柵絕緣層，位于襯底基板的一側(cè)；柵極層，位于柵絕緣層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)；層間絕緣層，位于柵極層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)；層間絕緣層包括層疊設(shè)置的第一子層間絕緣層和第二子層間絕緣...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了布線基板、發(fā)光基板及顯示裝置。布線基板包括：襯底，包括功能區(qū)以及綁定區(qū)；多個焊盤單元列；多個焊盤單元列沿第二方向排列、沿第一方向延伸；多個焊盤單元列中的每一焊盤單元列包括沿第一方向級聯(lián)的多個焊盤單元；焊盤單元包括：第一焊盤區(qū)；第一焊盤...
								
            
							
            
							
						
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								      本說明書整體涉及式(I)、式(II)和式(VI)的化合物，以及它們的藥學(xué)上可接受的鹽。此類化合物可用于抑制NLRP3炎性小體活性，并且可以用作治療劑。本說明書還涉及此類化合物用于治療或預(yù)防其中涉及NLRP3炎性小體的疾病和病狀的用途。本說明...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開一種緊湊型旋轉(zhuǎn)離合器，可包括堆疊配置的多個離合器單元。每個離合器單元包括一個電極和一個能夠傳遞負(fù)載的增強結(jié)構(gòu)?？稍陔x合器的離合器單元之間建立電連接，以便控制離合器，使其能夠在接合和分離的狀態(tài)下運行。對離合器單元的控制還可以允許與離...
								
            
							
            
							
						
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								      調(diào)節(jié)閥包括限定具有縱向軸線的中心孔的閥體。桿聯(lián)接到隔膜并且在中心孔內(nèi)沿著縱向軸線滑動。桿具有平面端部。諸如螺旋彈簧的彈簧安裝在中心孔中并接合桿。一個或多個平行通道形成在閥體中，平行于孔延伸。在閥體中形成一個或多個狹縫，該一個或多個狹縫中的每...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種內(nèi)部電阻低的全固體二次電池和用于構(gòu)成上述全固體二次電池的電極。本發(fā)明的全固體二次電池與SDGs的目標(biāo)3、7、11和12有關(guān)。本發(fā)明的全固體二次電池用電極是用于具有固體電解質(zhì)層的全固體二次電池的電極，其特征在于，具有含有電極活性...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及用于致動電驅(qū)動器的方法、計算單元、設(shè)備和計算機程序。所述方法包括以下方法步驟。在一個方法步驟中，所述電驅(qū)動器至少被分成具有第一致動范圍的第一待致動的子系統(tǒng)和具有第二致動范圍的第二待致動的子系統(tǒng)，其中所述第一子系統(tǒng)和所述第二子系統(tǒng)具...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的實施例提供了一種用于視頻處理的方案。提出了一種用于視頻處理的方法。該方法包括：針對視頻的當(dāng)前視頻塊與視頻的比特流之間的轉(zhuǎn)換，基于用于混合與當(dāng)前視頻塊相關(guān)聯(lián)的多個預(yù)測中的樣點的多個混合方案來確定針對當(dāng)前視頻塊的預(yù)測，其中當(dāng)前視頻塊是利...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于病毒檢測診斷領(lǐng)域，涉及抗AAV2的單克隆抗體及其制備方法和用途。本發(fā)明提供了抗AAV2的兔單克隆抗體、其重鏈可變區(qū)和輕鏈可變區(qū)的氨基酸序列。本發(fā)明提供的抗AAV2的兔單克隆抗體能夠特異性地與AAV2的VLP結(jié)合，可以用于AAV病毒...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種用于燃料噴嘴的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)適用于工業(yè)燃燒系統(tǒng)并且具有減少的結(jié)垢和焦化。該燃料噴嘴具有燃料入口、孔和出口端口。該燃料噴嘴的該結(jié)構(gòu)提供了通過該噴嘴的孔的燃料流的改進混合，以及在該噴嘴的出口處的壓降。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種聚焦量測的方法。該方法包括使用檢查工具對具有由光刻工具形成的多個特征的樣品成像；確定樣品的圖像中的多個特征與設(shè)計布局相比的移位量；以及基于偏移量導(dǎo)出光刻工具的移位值。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明的SiC半導(dǎo)體裝置包括：SiC芯片，其具有主面；溝道區(qū)域，其形成于所述主面的表層部；漂移區(qū)域，其在所述主面的表層部與所述溝道區(qū)域相鄰；柵極絕緣膜，其形成在所述主面上，且具有覆蓋所述溝道區(qū)域的溝道覆蓋部以及覆蓋所述漂移區(qū)域的漂移覆蓋部；...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種基于浸沒式相變液冷技術(shù)的散熱裝置和電子設(shè)備。散熱裝置包括側(cè)壁和多個吸液柱；側(cè)壁圍成兩端開口的腔體；每個吸液柱的至少一部分均位于腔體內(nèi)，每個吸液柱的一端均與側(cè)壁的內(nèi)表面的一側(cè)連接，每個吸液柱均沿著從內(nèi)表面的一側(cè)到與一側(cè)相...
								
            
							
            
							
						
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