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								      本申請實施例提供一種相變存儲器的數據訪問方法、相關設備及存儲介質。在本申請實施例中，在PCM的控制器中增加少量的SRAM資源，在寫階段，利用SRAM提供的位圖可以對各個粗粒度單位時間是否發生寫操作進行記錄；利用SRAM提供的布隆過濾器可以對...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種存儲器裝置、存儲器系統、存儲器控制器及操作方法。其中，存儲器裝置包括：存儲單元陣列，包括多個存儲單元，預設個數的存儲單元形成一個碼字；外圍電路，與存儲單元陣列耦接且被配置為：獲取至少一個碼字在目標讀取電壓下對應的第一結果...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種內存的編解碼方法方法、裝置、電子設備及存儲介質，編碼方法包括：獲取待寫入的數據塊和與數據塊對應的已知字串；對數據塊和已知字串進行糾錯編碼得到糾錯信息；將數據塊和糾錯信息進行拼接得到糾錯碼碼字并存入內存。通過引入已知字串與數據...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種分子結合預測模型的訓練方法、裝置、設備及存儲介質。涉及人工智能技術領域。該方法包括：通過分子結合預測模型對第一生物分子樣本的序列進行特征提取，得到第一特征；通過分子結合預測模型對第二生物分子樣本的序列進行特征提取，得到第二特...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種配體信息生成模型的訓練、配體信息的生成方法及裝置，屬于人工智能技術領域。方法包括：獲取樣本受體信息和樣本配體信息，樣本配體信息描述的配體與樣本受體信息描述的受體之間的結合親和力不小于設定親和力；通過待訓練的神經網絡模型基于樣...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種電磁鐵組件及具有其的制動鎖止裝置，其電磁鐵組件包括電磁鐵殼體、推桿軸以及設在電磁鐵殼體內的靜鐵芯、動鐵芯和磁體線圈繞組結構，所述推桿軸貫穿靜鐵芯的芯孔布置并與動鐵芯固定相連，所述推桿軸和靜鐵芯的芯孔之間和/或所述靜鐵芯和動鐵...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種多孔碳納米纖維/多孔泡沫石墨烯/聚吡咯三元電極材料的制備方法，其包括如下步驟：1)多孔碳納米纖維的制備；2)多孔泡沫石墨烯的制備；3)將多孔碳納米纖維、多孔泡沫石墨烯、聚吡咯、乙炔黑和PTFE混合在無水乙醇中，超聲分散40m...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種旋鈕模組、旋鈕模組的狀態確定方法、裝置及電子設備，旋鈕模組包括：控制器、旋鈕、凸輪、第一機械開關和第二機械開關；旋鈕與凸輪連接，凸輪包括層疊設置的第一區間和第二區間，第一區間包括多個第一凸起點，第二區間包括多個第二凸起點；其中...
								
            
							
            
							
						
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								      一種激光輔助鍵合方法包括：將半導體芯片放置于基板上，其中所述半導體芯片在其前表面具有針對紅外光線的抗反射層，并且在所述基板與所述半導體芯片之間形成有焊料凸塊；以及將紅外激光束通過所述抗反射層照射到所述半導體芯片，以通過被所述半導體芯片吸收的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供一種半導體器件的檢測方法、計算機設備、計算機可讀存儲介質及計算機程序產品，半導體器件的檢測方法包括：獲取晶圓的晶圓殘差圖，所述晶圓殘差圖包括所述晶圓的多個檢測區域的灰度成像；獲取所述晶圓殘差圖上的至少一條灰度曲線段，所述灰度曲線段...
								
            
							
            
							
						
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								      一種具有不同儲存框架的晶圓盒，所述晶圓盒包括一底座、一第一儲存框架、一第二儲存框架及一蓋體；所述第一儲存框架配置為儲存至少一第一晶圓片，所述第二儲存框架配置為儲存至少一第二晶圓片，所述第一晶圓片投影至所述底座的一圓周定義為一第一圓弧輪廓，所...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供了一種原位去除銅氧化物的方法，包括以下步驟：將次磷酸水溶液噴灑至銅氧化物的表面，所述次磷酸與所述銅氧化物反應生成氫化亞銅；加熱分解所述氫化亞銅，原位形成銅單質。本申請利用還原性的次磷酸與銅氧化物反應生成固體氫化亞銅，生成的氫化亞銅...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供一種半導體結構的制備方法及半導體結構，涉及半導體技術領域，旨在簡化半導體結構中將通孔做成″酒杯狀″的工藝流程，減小晶圓被污染的風險。該方法包括提供襯底。在襯底的表面形成介質層。在介質層遠離襯底的表面形成凹槽。利用反應氣體，至少在凹...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種積層結構，包含基底、第一金屬圖案層、模封層以及第二金屬圖案層。第一金屬圖案層形成于基底上。模封層的至少一部分與第一金屬圖案層位于同一層。第二金屬圖案層形成于第一金屬圖案層上，且第二金屬圖案層具有顯露模封層的開口圖案。第二金屬圖...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種半導體結構、形成方法、半導體器件及電子裝置，包括基底和位于所述基底上的介質層，所述介質層中設有多個焊墊；所述焊墊的至少一個轉角為弧形墊角，所述弧形墊角具有能夠分散應力的曲面。本申請在介質層中設置多個焊墊，該焊墊的至少一個轉角...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及集流體技術領域，具體為一種增韌納米涂層集流體的制備方法。步驟1：(1)將小分子RAFT試劑、功能性單體、硬單體制備得到大分子RAFT試劑；(2)將大分子RAFT試劑先嵌段軟單體，然后嵌段硬單體，得到嵌段彈性體；步驟2：將導電劑、嵌...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種鉛酸蓄電池極板浸泡設備，屬于鉛酸蓄電池的制造技術領域，解決了現有技術中鉛酸蓄電池使用壽命短的問題。本發明包括浸泡池和輸送機構，所述輸送機構的至少一部分位于所述浸泡池內，且從所述浸泡池的第一端延伸至第二端；還包括吸附機構，所述吸...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種硅碳顆粒負極材料及其制備方法與應用，一種硅碳顆粒負極材料，硅碳顆粒負極材料包括：多孔碳基體，包覆于多孔碳基體的孔隙中和外表面的含硅包覆層，以及包覆于硅包覆層的外表面的碳包覆層；含硅包覆層為硅和/或硅的氧化物；硅的氧化物的化學通...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種摻雜C3N4的銅金屬有機骨架電催化材料及其制備方法。步驟如下：首先將銅金屬有機骨架（Cu?MOF）與三聚氰胺反應，保證在水熱前提下，干燥之后生成前驅體。然后在氮氣氣氛中設置溫度為6...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種用于電池極片或固態電池的氣體等靜壓方法和裝置。所述等靜壓方法包括以下步驟：將極片或固態電池電芯裝入鋁塑袋內，并對鋁塑袋進行抽真空和密封處理；將密封后的鋁塑袋放入施壓倉組件中，設定施壓壓力和維持時間；啟動施壓功能，壓縮氣源供給...
								
            
							
            
							
						
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