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								      一種半導體結構及其形成方法，方法包括：提供襯底，包括基底，位于基底表面的絕緣層以及位于絕緣層表面的半導體層，半導體層包括柵極區(qū)以及包圍柵極區(qū)的若干溝道區(qū)；在柵極區(qū)內(nèi)形成暴露出絕緣層表面和各溝道區(qū)側(cè)壁表面的第一開口；在第一開口內(nèi)形成柵極結構，...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種薄膜晶體管，包括設置在襯底基板上的柵極和有源層，所述柵極與所述有源層絕緣間隔；所述有源層包括與所述柵極相對設置的溝道部，所述溝道部包括：第一半導體層和第二半導體層，所述第二半導體層位于所述第一半導體層靠近所述柵極的一側(cè)；所述第...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N半導體器件及其制作方法、電子設備，涉及半導體技術領域。半導體器件包括基于GaN的HEMT器件，其中HEMT器件包括：襯底、寄生溝道層、外延層和電極層；寄生溝道層和外延層沿襯底的厚度方向且遠離襯底的方向依次設置于襯底上；電極層設...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N數(shù)據(jù)處理方法、電子設備及可讀存儲介質(zhì)，涉及數(shù)據(jù)處理技術領域。本申請?zhí)峁┑臄?shù)據(jù)處理方法中，在第一模型的第一網(wǎng)絡層對其輸入數(shù)據(jù)進行第一運算的過程中，如果第一運算得到的運算結果超出電子設備采用的浮點格式所對應的數(shù)據(jù)范圍，則將第一運...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種文本處理方法、裝置、設備、存儲介質(zhì)及程序產(chǎn)品，涉及計算機技術領域。該方法包括：獲取限制詞庫；基于限制詞庫對待分析文本進行查找，從待分析文本中匹配得到文本限制詞匯；根據(jù)限制詞匯在限制詞組中表達的情感狀態(tài)，對文本限制詞匯進行負向...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種基于知識挖掘技術的高效縫洞型油藏知識管理系統(tǒng)及方法，該系統(tǒng)包括知識獲取模塊、知識存儲模塊、應用輔助模塊、應用管理模塊和可視化展示模塊，知識存儲模塊包括專業(yè)詞詞庫，提供設定開發(fā)工藝和配套工藝的多類型專業(yè)詞匯，為系統(tǒng)實現(xiàn)文件處理...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種機器人交互控制方法、服務器、客戶端和機器人，屬于人工智能技術領域。方法包括：客戶端接收用戶行為信息，將用戶行為信息發(fā)送至服務器；服務器根據(jù)用戶行為信息識別交互的場景類型，將與場景類型匹配的提示信息和用戶行為信息輸入至預設的語...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明是一種基于多池注意力機制的預訓練問答事件抽取方法。該方法包括以下步驟：獲取事件提及描述，得到事件類型分類，并檢索事件類型對應的所有事件角色；通過構建預訓練問答文本，并使用預訓練模型對其編碼；使用多池注意力機制獲取特征向量；使用特征向量...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種離子儲存材料及其制備方法和應用，所述離子儲存材料包括式(I)所示的化合物：SnxAyMzOmRn；通過將特定的M元素...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于藥物輸送技術領域，尤其涉及一種鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體及其制備方法與應用。本發(fā)明提供的鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體，以單價磺酸鹽為內(nèi)水相，將鹽酸米托蒽醌高效、穩(wěn)定地包封在脂質(zhì)體內(nèi)水相中，通過調(diào)節(jié)內(nèi)水相中磺酸鹽的濃度，可使所制備的鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種有機光電子二極管和顯示裝置，有機光電子二極管包括：彼此面對的陽極和陰極、位于陽極和陰極之間的發(fā)光層、位于陽極和發(fā)光層之間的空穴傳輸層以及位于空穴傳輸層和發(fā)光層之間的空穴傳輸輔助層，其中空穴傳輸輔助層包括與空穴傳輸層鄰近的第一空...
								
            
							
            
							
						
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								      提供能夠在將鐵芯片一體化后可靠地調(diào)整層疊高度的層疊鐵芯的制造方法。層疊多個鐵芯片(3)，層疊的鐵芯片(3)由通過遍及突起(15)間的第一焊接形成的第一焊接部(5)結合而被一體化，測定被一體化的鐵芯片(3)的層疊高度，基于測定的層疊高度，在被...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及一種敏感度檢測系統(tǒng)，該敏感度檢測系統(tǒng)準確高效地確定基于用戶瀏覽活動的信息何時無意地揭露了關于所述用戶的私有或其他敏感信息。例如，敏感度檢測系統(tǒng)生成和利用機器學習模型來檢測敏感度，以準確地檢測敏感用戶信息何時從諸如用戶簡檔等用戶信息...
								
            
							
            
							
						
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								      一種顯示面板，包括：襯底、多個子像素、多條數(shù)據(jù)線、多個柵極驅(qū)動電路、第一組數(shù)據(jù)扇出線、第二組數(shù)據(jù)扇出線、第一組控制信號線、第二組控制信號線、第一組靜電釋放電路和第二組靜電釋放電路。第一組數(shù)據(jù)扇出線與第一組控制信號線在襯底的正投影存在交疊，第...
								
            
							
            
							
						
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								      顯示模組包括電路板、油墨層、LED芯片和封裝層。油墨層的材料至少包括丙烯酸脂、環(huán)氧樹脂和有機顏料，油墨膜片貼附于電路板，油墨層具有開窗；LED芯片，固晶于開窗；封裝層覆蓋于電路板、油墨層及LED芯片。
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體結構單元及其形成方法、半導體結構，半導體結構單元包括：襯底，包括第一區(qū)和第二區(qū)；位于襯底上的若干第一柵極結構和若干第二柵極結構，第一柵極結構位于相鄰的第二柵極結構之間；位于第一區(qū)第一柵極結構上和第二柵極結構上的若干第一金屬層，第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實施例提供一種半導體器件及其制備方法，所述方法包括：在襯底上形成柵極層；在所述柵極層上形成第一掩膜層；利用所述第一掩膜層對所述柵極層進行刻蝕，形成柵極；對所述襯底進行離子摻雜，以在所述柵極兩側(cè)形成源/漏區(qū)；去除所述第一掩膜層；形成覆蓋...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種半導體器件及其制作方法、集成電路、存儲系統(tǒng)，涉及半導體芯片技術領域，旨在解決低電壓晶體管背柵漏電的問題。所述半導體器件包括襯底、第一絕緣層、第二絕緣層、半導體層、第一晶體管和第二晶體管。第一絕緣層設置于襯底一側(cè)，包括第一部分...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。所述薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟：在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于第一金屬層上的絕緣層；在絕緣層上形成非晶態(tài)半導體薄膜；對非晶態(tài)半導體薄膜進行熱處理，以使非晶態(tài)半導體薄膜轉(zhuǎn)換...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。所述薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟：在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于第一金屬層上的絕緣層；在絕緣層上形成非晶態(tài)半導體薄膜；對非晶態(tài)半導體薄膜進行離子注入，以將3A族離子注入非晶...
								
            
							
            
							
						
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