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								      本發(fā)明公開了一種高寒高海拔礦區(qū)生態(tài)修復(fù)土基質(zhì)和應(yīng)用，包括原土、纖維、動物糞便、保水劑、粘結(jié)劑、緩釋肥，還包括改良劑，所述改良劑包括質(zhì)量比為（1~3）：（1~3）：（1~3）：（1~3）的假單胞菌屬、芽孢桿菌屬、伯克霍爾德氏菌屬、固氮桿菌屬。...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提出一種基于廊道構(gòu)建的濕地旗艦物種棲息地修復(fù)方法。屬于濕地生態(tài)工程技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所述方法具體包括：一、修復(fù)區(qū)域選址與對比性本底調(diào)查；二、河床梯級改造與局地微地貌營建；三、應(yīng)季水文調(diào)控與植被定向組配；四、食源生物配給與仿生巢址營造；五...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了農(nóng)業(yè)用大棚定時(shí)噴灑裝置，涉及農(nóng)業(yè)大棚噴灑技術(shù)領(lǐng)域，包括大棚主體，大棚主體靠近內(nèi)棚頂?shù)奈恢霉潭ò惭b有儲水箱體，儲水箱體的出水端固定連接有出水管，出水管的下端固定連接有加熱管，加熱管的一側(cè)固定安裝有溫控器，加熱管的下端固定連接有伸縮...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及水肥智能化管理技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種智能化水肥管理方法及操作系統(tǒng)，所述方法包括獲取水肥管理區(qū)域的區(qū)域參數(shù)，根據(jù)區(qū)域參數(shù)確定采樣點(diǎn)位及其運(yùn)動軌跡；根據(jù)安裝在采樣點(diǎn)位處的傳感器實(shí)時(shí)獲取環(huán)境數(shù)據(jù)，根據(jù)所述環(huán)境數(shù)據(jù)確定水肥管理區(qū)域在各時(shí)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開的一種有機(jī)肥條施旋耕集成化設(shè)備，屬于農(nóng)業(yè)機(jī)械技術(shù)領(lǐng)域，所述糞肥處理裝置包括安裝箱，所述安裝箱設(shè)于安裝板上壁上，所述安裝箱上壁安裝有驅(qū)動組件和糞肥破碎組件，所述糞肥破碎組件設(shè)于驅(qū)動組件的下端，所述安裝箱內(nèi)安裝有處理組件，所述處理組件...
								
            
							
            
							
						
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								      一種園林綠化土壤的調(diào)控方法及系統(tǒng)，涉及園林土壤檢測技術(shù)領(lǐng)域。響應(yīng)于用戶的調(diào)控請求確定檢測區(qū)域；獲取檢測區(qū)域?qū)?yīng)的目標(biāo)材料；獲取檢測區(qū)域?qū)?yīng)的目標(biāo)酸堿度，根據(jù)目標(biāo)酸堿度和目標(biāo)材料確定第一調(diào)節(jié)措施，并按照第一調(diào)節(jié)措施對檢測區(qū)域進(jìn)行處理；當(dāng)檢測區(qū)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于農(nóng)業(yè)機(jī)械技術(shù)領(lǐng)域，具體的說是一種鹽堿地治理用土壤疏松結(jié)構(gòu)，包括：安裝架；疏松機(jī)構(gòu)，所述疏松機(jī)構(gòu)設(shè)置在安裝架的相對側(cè)；噴灑機(jī)構(gòu)，所述噴灑機(jī)構(gòu)安裝在疏松機(jī)構(gòu)的頂部，所述噴灑機(jī)構(gòu)的外壁安裝有防塵機(jī)構(gòu)，本發(fā)明通過設(shè)置疏松機(jī)構(gòu)，使土壤破碎，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種具有柱狀夾層結(jié)構(gòu)的柔性磁電傳感器及其制備方法，屬于微米功能材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的柔性磁電傳感器包括壓電層、鐵磁層以及位于所述壓電層和鐵磁層之間的柱狀夾層；柱狀夾層為具有第一表面和第二表面的環(huán)氧樹脂薄膜，第一表面上具有若干陣列...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┑囊环NOLED芯片的晶圓級封裝方法和封裝結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。該OLED芯片的晶圓級封裝方法包括提供透光蓋板和晶圓；其中，晶圓上設(shè)有多個(gè)發(fā)光區(qū)，發(fā)光區(qū)的外周設(shè)有電極，電極和發(fā)光區(qū)之間有預(yù)設(shè)間隔。在透光蓋板的一側(cè)形成多個(gè)凹槽...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種太陽能電池及其制造方法、光伏組件，涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域，用于提高非晶硅層對半導(dǎo)體基底的鈍化效果，利于提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。所述太陽能電池包括：半導(dǎo)體基底和非晶硅層。半導(dǎo)體基底包括第一絨面形貌區(qū)。非晶硅層設(shè)置于第一絨面形貌區(qū)上...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種太陽能電池及其制造方法、光伏組件，涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域，用于降低半導(dǎo)體基底表面和表面鈍化層被刮傷的風(fēng)險(xiǎn)，有利于提高表面鈍化層對半導(dǎo)體基底的鈍化效果，進(jìn)而利于提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。所述太陽能電池包括：半導(dǎo)體基底和表面鈍化層。半...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種光伏組件端部導(dǎo)線折疊方法、裝置及光伏組件制備裝置，涉及光伏組件生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：抵壓延伸出電池串端部的焊帶表面的預(yù)設(shè)折彎點(diǎn)，預(yù)設(shè)折彎點(diǎn)一側(cè)的導(dǎo)線為導(dǎo)線預(yù)彎部；驅(qū)動導(dǎo)線預(yù)彎部沿著折彎點(diǎn)轉(zhuǎn)動并折疊至電池片的第一面上，通過...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種光伏組件制備方法及設(shè)備，涉及光伏組件生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：將若干的電池串矩陣排布為電池串組，在至少位于光伏組件一端的電池串的端部的背面鋪設(shè)絕緣膜條；將延伸出電池串端部的若干導(dǎo)線沿折彎點(diǎn)轉(zhuǎn)動翻折至電池片背面，形成導(dǎo)線折彎部...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N二維NbMoO6紫外探測器及其應(yīng)用，所述紫外探測器包括襯底、NbMoO6納米片和兩個(gè)金屬電極，所述兩個(gè)金屬電極位于所述NbMoO6納米片的兩側(cè)，NbMoO
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種低紫外衰減TOPCon背接觸太陽能電池及制備方法。該電池包括背面結(jié)構(gòu)和正面結(jié)構(gòu)，背面結(jié)構(gòu)包括電極層，正面結(jié)構(gòu)包括單晶硅基底和與單晶硅基底接觸的寬禁帶半導(dǎo)體膜層，寬禁帶半導(dǎo)體膜層和單晶硅基底形成異質(zhì)結(jié)；寬禁帶半導(dǎo)體膜層的帶隙寬...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種低紫外衰減晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制備方法。該太陽能電池包括依次設(shè)置的受光面層、寬禁帶半導(dǎo)體膜層、非晶硅層和硅基體，所述寬禁帶半導(dǎo)體膜層和所述非晶硅層形成異質(zhì)結(jié)；所述寬禁帶半導(dǎo)體膜層的帶隙寬度大于3eV且厚度為5nm?20n...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及MOS半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，且公開了具有改進(jìn)柵極氧化層可靠性的碳化硅SiCMOSFET器件，所述碳化硅SiCMOSFET器件由若干個(gè)相互并列的MOS元胞組成，所述MOS元胞包括漏極、半導(dǎo)體外延層、柵極、柵氧化層、源極，所述半導(dǎo)體外延層包...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種高頻屏蔽波紋管和具有其的同步輻射加速器，包括：波紋外管，波紋外管沿第一方向延伸；屏蔽管，屏蔽管布置在波紋外管的徑向內(nèi)側(cè)且包括：兩個(gè)束流管道，兩個(gè)束流管道沿第一方向延伸并在第一方向上間隔排布，且兩個(gè)束流管道相背的一端分別與波紋...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了基于AI的節(jié)能燈控制方法，涉及節(jié)能燈控制技術(shù)領(lǐng)域，包括如下步驟：在教室內(nèi)布置多種傳感器，采集節(jié)能燈的照明范圍內(nèi)的人員存在數(shù)據(jù)以及人員行為數(shù)據(jù)，并采集節(jié)能燈的光強(qiáng)控制數(shù)據(jù)；基于人員存在數(shù)據(jù)構(gòu)建預(yù)測模型，并進(jìn)行人員存在預(yù)測分析，得到...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種基于時(shí)延?能耗協(xié)同優(yōu)化的車聯(lián)網(wǎng)任務(wù)卸載緩存方法，屬于車聯(lián)網(wǎng)邊緣計(jì)算技術(shù)領(lǐng)域。包括：獲取車輛產(chǎn)生的任務(wù)單元；根據(jù)任務(wù)單元、預(yù)構(gòu)建的車輛與路側(cè)單元的通信模型，計(jì)算任務(wù)單元在車輛上執(zhí)行時(shí)的處理時(shí)延和能耗、任務(wù)單元卸載至路側(cè)單元的傳...
								
            
							
            
							
						
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