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          • 本發(fā)明涉及一種基于空間光調(diào)控技術(shù)提高二次諧波表征精度的方法及系統(tǒng),方法包括在SHG測(cè)量平臺(tái)的入射光路中增加空間光調(diào)制器,對(duì)入射光束的傾斜相差進(jìn)行校正;在SHG測(cè)量平臺(tái)的探測(cè)光路中增加光路調(diào)整器,對(duì)探測(cè)光束進(jìn)行多維度路徑調(diào)整;根據(jù)SHG測(cè)量平...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N可調(diào)節(jié)光吸收率和透光率的固晶裝置及方法。該裝置包括一第一固晶頭、一第二固晶頭、多個(gè)第一光柵及多個(gè)第二光柵。第一固晶頭可透光。第二固晶頭設(shè)置于第一固晶頭的下方,并且可透光。該多個(gè)第一光柵設(shè)置于第一固晶頭的底部并且彼此之間形成多個(gè)...
          • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體處理裝置,包括第一腔體、第二腔體和升降裝置,所述升降裝置包括氣缸和托盤(pán),所述氣缸設(shè)置于所述第二腔體內(nèi)部的容納空間內(nèi),所述氣缸的伸縮桿穿過(guò)所述連接通道向外伸出所述第二腔體,所述托盤(pán)的頂部可拆卸的設(shè)置有晶圓承載件,所述晶圓承...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)、芯片封裝方法及存儲(chǔ)系統(tǒng),芯片封裝結(jié)構(gòu)包括封裝基板、第一芯片組和第二芯片組,封裝基板包括底板和支撐部,底板包括安裝面,支撐部凸設(shè)于安裝面;第一芯片組設(shè)于安裝面,第一芯片組包括沿遠(yuǎn)離底板的方向依次堆疊成臺(tái)階結(jié)...
          • 一種電池負(fù)極極片結(jié)構(gòu)及其制造方法與電池結(jié)構(gòu),電池負(fù)極極片結(jié)構(gòu)包括銅箔基板、負(fù)極親鋰層以及鋰金屬層。銅箔基板具有4微米至10微米的厚度。負(fù)極親鋰層設(shè)置于銅箔基板的上表面,并具有0.1微米至0.5微米的厚度,其中負(fù)極親鋰層包括多條納米銀線(xiàn)。鋰金...
          • 本發(fā)明提供一種復(fù)合正極補(bǔ)鋰材料及其制備方法和應(yīng)用,所述復(fù)合正極補(bǔ)鋰材料包括內(nèi)核,以及包覆在所述內(nèi)核表面的修飾層;所述內(nèi)核為富鋰材料,所述修飾層的材料包括草酸鋰,所述修飾層的原材料包括氣化草酸。本發(fā)明通過(guò)借助包含氣化草酸的原材料與富鋰材料表面...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種含磷含碲富鋰錳基正極材料及其制備方法和應(yīng)用。所述含磷含碲富鋰錳基正極材料的化學(xué)式為L(zhǎng)i1+δMnaNibCocTex
          • 本發(fā)明涉及一種石墨負(fù)極材料及其制備方法、電池、電池包和用電裝置。一種石墨負(fù)極材料,其包括石墨和石墨表面的包覆層,所述包覆層包括纖維狀分子和親水性高分子;所述親水性高分子是將親水性高分子前驅(qū)體進(jìn)行原位聚合包裹在石墨表面。本發(fā)明能提高負(fù)極極片上...
          • 本發(fā)明涉及電池正極材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種鈮摻雜正極材料及其制備方法和應(yīng)用。所述鈮摻雜正極材料為L(zhǎng)iFexNb1?x?yMnyPO4,其中,0.001...
          • 本發(fā)明涉及涂碳鋁箔漿料技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種鋰電池用涂碳鋁箔漿料的制備方法;包括以下制備步驟:將聚乙烯醇加入去離子水中攪拌溶解分散,加熱至80?100℃反應(yīng)0.5?3h;降溫至75?80℃,加入引發(fā)劑,攪拌均勻,加入丙烯酸單體,保溫反應(yīng)2?2...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N鋰離子電池電解液、鋰離子電池及用電裝置,鋰離子電池電解液包括:有機(jī)溶劑、鋰鹽電解質(zhì)、高溫改善添加劑及循環(huán)改善添加劑;其中,高溫改善添加劑在鋰離子電池電解液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1wt%~5wt%,高溫改善添加劑包括聯(lián)二硫酸乙烯酯、...
          • 本發(fā)明屬于電化學(xué)儲(chǔ)能技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種形狀記憶聚合物增強(qiáng)復(fù)合隔膜及其制備方法與應(yīng)用。所述復(fù)合隔膜包括隔膜基底和負(fù)載于所述隔膜基底一側(cè)表面的形狀記憶聚合物涂層,涂層的厚度為1~15μm;所述形狀記憶聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為70~130℃。...
          • 本申請(qǐng)涉及無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種天線(xiàn)組件及通信設(shè)備。本申請(qǐng)旨在簡(jiǎn)化連接天線(xiàn)的線(xiàn)路,安裝和制作。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種天線(xiàn)組件,包括第一天線(xiàn)和第二天線(xiàn),第一天線(xiàn)包括第一金屬層、第二金屬層及第一饋電結(jié)構(gòu),傳播第一信號(hào)并產(chǎn)生了磁流;第二天線(xiàn)...
          • 本申請(qǐng)是關(guān)于一種方向圖可重構(gòu)的天線(xiàn),涉及天線(xiàn)技術(shù)領(lǐng)域。該天線(xiàn)包括:天線(xiàn)單元以及饋電網(wǎng)絡(luò);天線(xiàn)單元位于饋電網(wǎng)絡(luò)的上層且與饋電網(wǎng)絡(luò)級(jí)聯(lián),包括主輻射天線(xiàn),第一類(lèi)寄生天線(xiàn)組以及第二類(lèi)寄生天線(xiàn)組;第一類(lèi)寄生天線(xiàn)組中的第一類(lèi)寄生天線(xiàn)沿x軸分布在主輻射天...
          • 一種端子模組,包括一差分信號(hào)端子對(duì)、兩個(gè)接地端子及一絕緣架。每一個(gè)該接地端子具有一板面。該絕緣架一體成型地局部包覆該差分信號(hào)端子對(duì)與該兩個(gè)接地端子。該絕緣架具有對(duì)應(yīng)該兩個(gè)接地端子的兩個(gè)板面的一表面,該表面設(shè)置有兩個(gè)凹陷段。每一個(gè)該凹陷段的位...
          • 本發(fā)明公開(kāi)一種端子本體、端子和連接器。端子本體包括:第一端子板,包括第一對(duì)配板和與第一對(duì)配板相連的第一連接板;第二端子板,位于第一端子板的上方并包括第二對(duì)配板和與第二對(duì)配板相連的第二連接板。第一對(duì)配板和第二對(duì)配板在端子本體的厚度方向上間隔相...
          • 本公開(kāi)是關(guān)于一種Type?C端口防燒設(shè)備、方法及裝置、電子設(shè)備、可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。其中,設(shè)備包括:多個(gè)溫度感知組件,分別與信號(hào)處理單元連接,用于獲取多個(gè)溫度檢測(cè)點(diǎn)中的每個(gè)溫度檢測(cè)點(diǎn)的檢測(cè)點(diǎn)溫度信息,并將檢測(cè)點(diǎn)溫度信息傳輸給信號(hào)處理單元;信號(hào)處理...
          • 本發(fā)明公開(kāi)一種雙絞線(xiàn)纜姿態(tài)調(diào)整方法和雙絞線(xiàn)纜處理方法。雙絞線(xiàn)纜姿態(tài)調(diào)整方法包括:拍攝雙絞線(xiàn)纜的端面的圖像;根據(jù)拍攝到的圖像計(jì)算雙絞線(xiàn)纜的雙絞芯線(xiàn)在端面處的姿態(tài);根據(jù)雙絞芯線(xiàn)在端面處的姿態(tài)、要從雙絞線(xiàn)纜上剝除的外被層的長(zhǎng)度和雙絞線(xiàn)纜的絞距計(jì)算...
          • 本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底、第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層;襯底上形成有平坦化層,平坦化層包括沿第一方向延伸的第一分支,以及沿第二方向延伸的第二分支,第一方向與第二方向相交;第一導(dǎo)電層位于襯底上,沿第一方向延伸并沿第...
          • 本發(fā)明提供一種碳纖維線(xiàn)管接頭任意角度快速對(duì)接裝置,涉及管件對(duì)接技術(shù)領(lǐng)域。該碳纖維線(xiàn)管接頭任意角度快速對(duì)接裝置,包括第一線(xiàn)管和第二線(xiàn)管,所述第一線(xiàn)管一端固定連接有連接座,所述連接座頂部固定連接有蓋板,所述第一線(xiàn)管一端內(nèi)部固定連接有固定環(huán),所述...
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