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          • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種上行傳輸方法及終端,屬于通信技術(shù)領(lǐng)域,本申請(qǐng)實(shí)施例的上行傳輸方法包括:終端執(zhí)行第一操作,所述第一操作包括如下兩者至少之一:在所述終端被配置或使能了上行靜默的情況下,根據(jù)第一上行傳輸?shù)男畔ⅲ_定所述第一上行傳輸是否進(jìn)行上...
          • 本案為一種電源模塊及其適用的電源系統(tǒng),所述電源模塊包含:主電路板,包含相對(duì)設(shè)置的第一面及第二面;多個(gè)夾片端子,分別設(shè)置于第一面及第二面的對(duì)稱位置上;外殼,包含第一側(cè)壁、第二側(cè)壁、第三側(cè)壁及容置空間,第三側(cè)壁的兩相對(duì)側(cè)邊分別連接于第一側(cè)壁及第...
          • 本發(fā)明適用于檢測箱技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種便攜式工控模塊檢測箱,包括:檢測箱本體,所述檢測箱本體包括有兩個(gè)側(cè)板以及一個(gè)背板、檢修門板,頂板以及底板,兩個(gè)所述側(cè)板以及一個(gè)背板、檢修門板、頂板以及所述底板相互之間通過螺栓螺母可拆卸固定連接,且連接處...
          • 本發(fā)明涉及一種水冷裝置,涉及換熱器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的水冷裝置包括柜體和換熱器,柜體一側(cè)設(shè)有側(cè)板和可開啟的副柜門,通過將柜體內(nèi)需要拆卸維護(hù)的各類部件布置在副柜門對(duì)應(yīng)的可操作區(qū)域,將無需拆卸的部件布置在側(cè)板對(duì)應(yīng)的區(qū)域,實(shí)現(xiàn)分區(qū)設(shè)計(jì),滿足日常維護(hù)...
          • 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法包括:于基底上堆疊形成n個(gè)疊層材料層組,疊層材料層組包括第一材料膜層與第二材料膜層;刻蝕n個(gè)疊層材料層組以n個(gè)第一開孔,其中,在由淺至深的各第一開孔中,第i個(gè)第一開孔貫穿i個(gè)疊層材料...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施方式提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法以及存儲(chǔ)器系統(tǒng),半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:存儲(chǔ)器單元以及第一外圍電路。第一外圍電路與多個(gè)存儲(chǔ)器單元連接,并包括感測結(jié)構(gòu)。至少部分第一外圍電路位于多個(gè)存儲(chǔ)器單元的正下方,以及感測結(jié)構(gòu)包括鰭式場效應(yīng)...
          • 本公開提供了一種存儲(chǔ)陣列及其制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)、電子設(shè)備,涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域。該存儲(chǔ)陣列包括電容結(jié)構(gòu)層和晶體管結(jié)構(gòu)層。電容結(jié)構(gòu)層包括多個(gè)電容單元以及嵌設(shè)在多個(gè)電容單元之間的支撐層,其中,電容單元包括:第一電極、第二電極和介電層。第一電極...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件、存儲(chǔ)器系統(tǒng)以及半導(dǎo)體器件的制造方法。該半導(dǎo)體器件包括:第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),包括第一襯底和依次位于第一襯底一側(cè)的第一外圍電路和第一存儲(chǔ)單元陣列;以及第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),包括第二襯底和依次位于第二襯底一側(cè)的第二外圍電路...
          • 本申請(qǐng)公開了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、三維存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)系統(tǒng)。該半導(dǎo)體器件包括:半導(dǎo)體層;堆疊結(jié)構(gòu),位于所述半導(dǎo)體層的一側(cè),并包括沿第一方向交替堆疊的柵極層和第一層間介質(zhì)層;以及連接結(jié)構(gòu),至少部分位于所述堆疊結(jié)構(gòu)中,并包括多個(gè)沿第二方向嵌套...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件及其制備方法和存儲(chǔ)系統(tǒng),該半導(dǎo)體器件包括第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、第一信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu)和焊盤。第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括晶體管,所述晶體管包括源/漏極摻雜區(qū)和柵極,第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)連接在所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)靠近所述柵極的一側(cè)...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N太陽能電池組件及其制備方法、用電設(shè)備和發(fā)電設(shè)備,該太陽能電池組件包括溝槽,溝槽沿厚度方向至少貫穿功能層,功能層至少包括吸光層,太陽能電池組件包括量子點(diǎn),量子點(diǎn)位于溝槽內(nèi),量子點(diǎn)至少設(shè)置于功能層的側(cè)面形成保護(hù)層和/或填充于溝槽。...
          • 本申請(qǐng)公開了一種太陽能電池及其制備方法、光伏發(fā)電系統(tǒng)及用電設(shè)備,太陽能電池包括導(dǎo)電基層,設(shè)置在導(dǎo)電基層上的第一光吸收層,以及與第一光吸收層層疊設(shè)置的第一電子傳輸層,第一光吸收層的帶隙寬度為0.90eV?1.60eV。上述太陽能電池的導(dǎo)電基層...
          • 本申請(qǐng)涉及一種太陽能電池及其制備方法、光伏組件、系統(tǒng)、用電裝置和發(fā)電裝置。該太陽能電池包括層疊設(shè)置的第一電極層、第一吸光層、第一空穴傳輸層和第二電極層;所述第一空穴傳輸層的組分包括P型摻雜SnO2。該太陽能電池具有較高...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N鈣鈦礦太陽能電池、制備方法、光伏系統(tǒng)、發(fā)電裝置以及用電裝置。鈣鈦礦太陽能電池包括依次層疊設(shè)置的第一電極、電荷提取層、第一鈍化層、鈣鈦礦層以及第二電極;所述電荷提取層的材料包括鎳氧化物,所述第一鈍化層的材料包括還原劑,所述還原...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N太陽能電池及其制備方法、用電裝置和發(fā)電裝置,其中,太陽能電池至少包括第一電荷傳輸層、鈣鈦礦層以及鈍化層,鈍化層位于第一電荷傳輸層和鈣鈦礦層之間,鈍化層包括金屬有機(jī)框架材料,金屬有機(jī)框架材料的端部基團(tuán)至少包括羧酸基團(tuán),使得具有框...
          • 本申請(qǐng)涉及一種太陽能電池及其制備方法、光伏組件、系統(tǒng)、用電裝置和發(fā)電裝置。該太陽能電池包括層疊設(shè)置的第一電極層、傳輸功能層、介孔鈍化層、鈣鈦礦吸光層和第二電極層;所述介孔鈍化層的組分包括介孔材料以及吸附于所述介孔材料孔隙中的含氮?dú)怏w,所述含...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N太陽能電池、用電裝置和發(fā)電裝置,太陽能電池的背電極層包括復(fù)合材料,太陽能電池包括貫穿功能層的溝槽,復(fù)合材料至少位于溝槽、覆蓋功能層朝向溝槽的側(cè)面或者填充溝槽,復(fù)合材料包括金屬有機(jī)框架材料和位于所述金屬有機(jī)框架材料中的金屬單質(zhì)或...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N太陽能電池及其制備方法、用電裝置和發(fā)電裝置,該太陽能電池至少包括光吸收層,光吸收層包括光吸收材料和添加劑,添加劑包括第一基團(tuán)和第二基團(tuán),第一基團(tuán)包括苯基、烷基、苯胺基、咔唑基中的至少一個(gè),第二基團(tuán)包括羧基、磷酸基、銨根基團(tuán)中的...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N太陽能電池和用電設(shè)備。太陽能電池包括活性層,所述活性層包括依次層疊的三維鈣鈦礦層、第一載流子傳輸層;其中,所述第一載流子傳輸層內(nèi)在靠近所述三維鈣鈦礦層一側(cè)包括二維鈣鈦礦。該太陽能電池具有改善的光伏性能和熱穩(wěn)定性。
          • 本申請(qǐng)公開了一種太陽能電池及其制備方法、用電裝置和發(fā)電裝置,該太陽能電池通過在第一電荷傳輸層和光吸收層之間引入包括共價(jià)有機(jī)框架材料和銨鹽的功能層,調(diào)控鈣鈦礦結(jié)晶的同時(shí)實(shí)現(xiàn)缺陷鈍化;同時(shí),共價(jià)有機(jī)框架材料能夠吸附銨鹽分解產(chǎn)生的氣體和鈣鈦礦材料...
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