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            拖動(dòng)滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		信息存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本申請(qǐng)案涉及用于模式寄存器頁(yè)面存取模式的設(shè)備、系統(tǒng)及方法。本文中所公開的實(shí)施例提供用于在半導(dǎo)體裝置(例如，存儲(chǔ)器裝置)中進(jìn)入、保持及退出模式寄存器頁(yè)面存取MRPA模式的技術(shù)。命令用于使所述存儲(chǔ)器裝置在存取所述模式寄存器時(shí)進(jìn)入所述MRPA模式...
								
            
							
            
							
						
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								      一種測(cè)試結(jié)構(gòu)以及測(cè)試方法，其中測(cè)試方法包括：提供測(cè)試結(jié)構(gòu)，測(cè)試結(jié)構(gòu)包括待測(cè)晶圓，待測(cè)晶圓包括非功能區(qū)，非功能區(qū)內(nèi)具有的若干待測(cè)存儲(chǔ)單元，各待測(cè)存儲(chǔ)單元包括互為反相且互鎖的第一鎖存點(diǎn)和第二鎖存點(diǎn)；進(jìn)行若干次寫入操作，各次寫入操作用以實(shí)現(xiàn)第一鎖...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種非易失性3T1R1C存儲(chǔ)電路、矯正電路、DRAM和存算電路。非易失性3T1R1C存儲(chǔ)電路包括三個(gè)N型晶體管M0、M1、M2、一個(gè)稱為R0的RRAM和一個(gè)電容C0；電路連接關(guān)系如下：M0、M1、M2的柵...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種用于抗單粒子翻轉(zhuǎn)的FPGA加固系統(tǒng)，包括：SRAM型FPGA、FLASH型FPGA和FLASH存儲(chǔ)器；FLASH型FPGA包括一普通管腳和一SPI管腳，普通管腳與SRAM型FPGA連接，F(xiàn)LASH型FPG...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種記憶體裝置及其操作方法，記憶體裝置包含記憶體陣列，記憶體陣列包含多個(gè)記憶體單元，這些記憶體單元各自包含：記憶體單位；以及第一數(shù)目個(gè)第一晶體管，串聯(lián)耦接在記憶體單位與第一電壓端之間。記憶體裝置還包含耦接在記憶體陣列與第二電壓端之間的電...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N資源管理系統(tǒng)、方法及電子設(shè)備，其中，該系統(tǒng)包括：機(jī)器查看模塊、機(jī)器監(jiān)控模塊、故障維護(hù)模塊，通過機(jī)器查看模塊搜索并展示各個(gè)云資源的詳情信息，然后通過機(jī)器監(jiān)控模塊對(duì)各個(gè)云資源的硬件、操作系統(tǒng)核心指標(biāo)、代理程度狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)控，并基于...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種制備金剛石超級(jí)電容的方法，屬于金剛石應(yīng)用領(lǐng)域。包括以下步驟：S1：在基底材料上沉積超薄金剛石薄膜；S2：在超薄金剛石薄膜上沉積導(dǎo)電薄膜作為電容電極，將沉積有導(dǎo)電薄膜的超薄金剛石薄膜從基底材料上剝離；或，將超薄金剛石薄膜從基底...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)案系關(guān)于報(bào)告控制信息錯(cuò)誤。可在操作期間監(jiān)測(cè)存儲(chǔ)器陣列的狀態(tài)。在檢測(cè)到錯(cuò)誤(例如，在接收到的控制信息中)之后，所述存儲(chǔ)器裝置可進(jìn)入第一狀態(tài)(例如，鎖定狀態(tài))并且可向主機(jī)裝置指示檢測(cè)到錯(cuò)誤、在檢測(cè)到所述錯(cuò)誤之前所述存儲(chǔ)器陣列的所述狀態(tài)和/...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，公開了存儲(chǔ)器的操作方法、存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)器系統(tǒng)，該方法包括：在第一編程循環(huán)的驗(yàn)證階段，為與第一存儲(chǔ)單元耦接的位線提供第一位線電壓；所述第一存儲(chǔ)單元為與選擇字線耦接且待編程至第一編程態(tài)的存儲(chǔ)單元，所述第一編程循環(huán)為需要對(duì)...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器控制方法和相應(yīng)系統(tǒng)。存儲(chǔ)器包括：存儲(chǔ)單元陣列；以及存儲(chǔ)單元陣列操作模塊，包括：讀操作模塊，響應(yīng)于存儲(chǔ)器接收到存儲(chǔ)單元陣列讀指令而被使能，并且用于對(duì)存儲(chǔ)單元陣列進(jìn)行讀取操作；擦除操作模塊，響應(yīng)于存儲(chǔ)器接收到存儲(chǔ)單元陣列...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于貴金屬納米催化材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種芝麻桿衍生碳材料及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明通過將芝麻桿依次經(jīng)過清洗除雜、水熱軟化、堿洗、磷化處理、碳化處理、酸洗，最終制得芝麻桿衍生碳材料。本發(fā)明制備的生物質(zhì)衍生碳具有原料廣泛易得、工藝簡(jiǎn)便...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明通過縮短用于傳遞加載電機(jī)的旋轉(zhuǎn)的路徑而減小了光盤驅(qū)動(dòng)器的尺寸。傳輸輥(20)在處于第一輥位置時(shí)與光盤接觸并朝主軸電機(jī)(11)的位置傳送光盤，在處于第二輥位置時(shí)不接觸光盤。滑塊(70)在位于第一操作構(gòu)件位置時(shí)將傳輸輥(20)置于第一輥位...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種鋰離子電容器正極涂布的關(guān)鍵技術(shù)。該電容器以商品化活性炭和硬炭（HC）分別為正正極活性材料組裝鋰離子電容器。該發(fā)明涉及到正極涂布的關(guān)鍵技術(shù)―粘結(jié)劑體系的選擇。具體配料由如下質(zhì)量百分比含量的組分組成：正極主料88?92%、導(dǎo)電劑5...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種用作超級(jí)電容器的稻殼電容炭的制法及稻殼電容炭的用法，稻殼電容器的制法包括：(1)原料預(yù)混，將稻殼炭化料、低灰分瀝青，活化劑進(jìn)行破碎與混合，得到預(yù)混料。(2)活化造孔，將預(yù)混料活化處理，得到活化料；(3)酸洗除雜，將活化料依次...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種激光焊槍出光質(zhì)量的測(cè)量方法，涉及焊接設(shè)備領(lǐng)域，其中，測(cè)量方法包括：在激光焊槍的測(cè)試光束照射成像片的衰減成像區(qū)域生成光束成像時(shí)，利用相機(jī)拍攝成像片，獲得成像片圖像，其中，成像片還包括背景區(qū)域和參照物區(qū)域，參照物區(qū)域內(nèi)設(shè)置有至少...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種超級(jí)電容器及其制備方法，屬于超級(jí)電容器技術(shù)領(lǐng)域。針對(duì)現(xiàn)有超級(jí)電容器在長(zhǎng)期充放電存在的產(chǎn)氣和容量降低以及電阻增加的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種超級(jí)電容器，包括正極、負(fù)極和設(shè)于兩者之間的隔膜，正極為正極集流體和結(jié)合在所述正極集流體...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種NORD閃存耐久性拖尾位的篩選方法，包括：步驟一、對(duì)選定位進(jìn)行編程擦除循環(huán)操作。各編程操作中，字線柵的第一編程電壓根據(jù)循環(huán)次數(shù)進(jìn)行設(shè)置，第一編程電壓為初始編程電壓加上第一偏移電壓，第一偏移電壓用以補(bǔ)償字線柵的第一閾值電壓的第...
								
            
							
            
							
						
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								      柔性超級(jí)電容器長(zhǎng)期面臨電極與凝膠電解質(zhì)界面解離問題。通過在凝膠電解質(zhì)上原位生長(zhǎng)電極材料形成一體化器件可有效解決此難題并提升性能。本發(fā)明成功開發(fā)出一種緩慢反應(yīng)動(dòng)力學(xué)下的原位聚合策略：在聚乙烯醇/海藻酸鈉基水凝膠中添加氧化石墨烯(GO)，實(shí)現(xiàn)苯...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種耐低溫超級(jí)電容器及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明的耐低溫超級(jí)電容器的組成包括電極、電解液、隔膜和封裝殼，電解液中的電解質(zhì)為有機(jī)磷化合物，電解液的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為?60℃～?30℃，室溫電導(dǎo)率≥1.0×10?
...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種位線讀出放大器和一種半導(dǎo)體裝置。該位線讀出放大器包括：P型讀出放大器，其包括第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管，其中，第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管電連接到第一感測(cè)使能線；N型讀出放大器，其包括第一NMOS晶體管和第二...
								
            
							
            
							
						
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