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信息存儲應(yīng)用技術(shù)

基于金納米顆粒與羧基化碳納米管的聚吡咯柔性復(fù)合電極及其制備方法和應(yīng)用

本發(fā)明屬于超級電容器技術(shù)領(lǐng)域，公開了基于金納米顆粒與羧基化碳納米管的聚吡咯柔性復(fù)合電極及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明以羧基化碳納米管與聚吡咯制備了羧基化碳納米管/聚吡咯復(fù)合材料，通過引入AuNPs與CNTs?COOH、PPy構(gòu)建三元協(xié)同體系，制...

2025-08-30
一種選擇數(shù)據(jù)可擴展的單電源存算一體數(shù)據(jù)選擇器

本發(fā)明公開了一種選擇數(shù)據(jù)可擴展的單電源存算一體數(shù)據(jù)選擇器，其包括：預(yù)充電路，其輸入端連接至電源信號輸入端、控制端接入預(yù)充控制信號、輸出端與輸出驅(qū)動電路的輸入端連接；至少兩個基本數(shù)據(jù)輸入電路，每個基本數(shù)據(jù)輸入電路由一個鐵電晶體管、一個nMOS...

2025-08-30
數(shù)字存算電路、字線輸入切換電路及數(shù)字存算系統(tǒng)

本申請公開了一種數(shù)字存算電路、字線輸入切換電路及數(shù)字存算系統(tǒng)，該數(shù)字存算電路包括：第一開關(guān)管、第二開關(guān)管以及鎖存電路；第一開關(guān)管的第一端連接位線，第一開關(guān)管的第二端連接第二開關(guān)管的第一端以及運算輸出端；第二開關(guān)管的控制端連接字線；第一開關(guān)管...

2025-08-30
微電子裝置及相關(guān)方法及存儲器裝置

本申請案涉及微電子裝置及相關(guān)方法及存儲器裝置。一種微電子裝置包含：存儲器陣列結(jié)構(gòu)；額外存儲器陣列結(jié)構(gòu)，其在存儲器陣列結(jié)構(gòu)之上且附接到存儲器陣列結(jié)構(gòu)；及控制電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，其在額外存儲器陣列結(jié)構(gòu)之上且附接到額外存儲器陣列結(jié)構(gòu)。存儲器陣列結(jié)構(gòu)包含...

2025-08-30
一種針對UHS PSRAM的刷新方法及裝置

本發(fā)明公開了一種針對UHS PSRAM的刷新方法及裝置。方法包括：基于UHS PSRAM兩次刷新之間的最大時間間隔，確定猝發(fā)讀寫操作的最大猝發(fā)長度；基于UHS PSRAM控制器不斷接收外部設(shè)備發(fā)送的猝發(fā)讀寫請求；針對接收到的當(dāng)前猝發(fā)讀寫請求...

2025-08-30
相變存儲器的數(shù)據(jù)訪問方法、相關(guān)設(shè)備及存儲介質(zhì)

本申請實施例提供一種相變存儲器的數(shù)據(jù)訪問方法、相關(guān)設(shè)備及存儲介質(zhì)。在本申請實施例中，在PCM的控制器中增加少量的SRAM資源，在寫階段，利用SRAM提供的位圖可以對各個粗粒度單位時間是否發(fā)生寫操作進行記錄；利用SRAM提供的布隆過濾器可以對...

2025-08-30
一種磁性存儲單元及磁性存儲器

本發(fā)明公開了一種本發(fā)明所提供的磁性存儲單元，從下至上依次包括磁性參考層、隧道層、磁性自由層及蓋帽層；所述磁性自由層包括多個存儲結(jié)構(gòu)單元；所述存儲結(jié)構(gòu)單元從下至上依次包括第一鐵磁性層、非磁性金屬間隔層、第二鐵磁性層及氧化物界面層；所述磁性自由...

2025-08-30
一種編譯方法、編譯電路、模式寄存器和存儲器

本申請實施例提供了一種編譯方法、編譯電路、模式寄存器和存儲器，該編譯方法包括：接收待編譯信號和電阻匹配信號；對待編譯信號進行編譯處理，得到編譯結(jié)果信號；在待編譯信號為預(yù)留碼的情況下，基于電阻匹配信號對編譯結(jié)果信號進行兼容選擇處理，確定第一編...

2025-08-30
微電子裝置及相關(guān)方法和存儲器裝置

本申請涉及微電子裝置及相關(guān)方法和存儲器裝置。一種微電子裝置包含存儲器陣列結(jié)構(gòu)、在所述存儲器陣列結(jié)構(gòu)之上并附接到其上的額外存儲器陣列結(jié)構(gòu)，及在所述額外存儲器陣列結(jié)構(gòu)之上并附接到其上的控制電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。所述存儲器陣列結(jié)構(gòu)包含具有存儲器單元的陣列...

2025-08-30
一種鐵摻雜的柔性超級電容器電極、制備方法及超級電容器

一種鐵摻雜的柔性超級電容器電極，包括基體和電極漿料，電極漿料粘接在基體上；電極漿料包括40?60重量份的鐵摻雜的石墨和2?10重量份的粘接樹脂；鐵摻雜的石墨包括一階和二階插層的三氯化鐵插層石墨，鐵摻雜的石墨的粒徑在600?5000目之間；電...

2025-08-30
存儲器裝置、存儲器系統(tǒng)、存儲器控制器及操作方法

本申請實施例提供一種存儲器裝置、存儲器系統(tǒng)、存儲器控制器及操作方法。其中，存儲器裝置包括：存儲單元陣列，包括多個存儲單元，預(yù)設(shè)個數(shù)的存儲單元形成一個碼字；外圍電路，與存儲單元陣列耦接且被配置為：獲取至少一個碼字在目標(biāo)讀取電壓下對應(yīng)的第一結(jié)果...

2025-08-30
一種基于3D打印的結(jié)構(gòu)超級電容器及其制備方法

本發(fā)明公開了一種基于3D打印的結(jié)構(gòu)超級電容器及其制備方法，屬于結(jié)構(gòu)超級電容器領(lǐng)域。該結(jié)構(gòu)超級電容器由兩個碳纖維電極構(gòu)成，所述兩個碳纖維電極上分別通過3D打印方式在表面分別形成帶有榫頭和榫眼微陣列的特定結(jié)構(gòu)，使兩碳纖維電極組合成榫卯結(jié)構(gòu)后，不...

2025-08-30
一種多孔碳納米纖維/多孔泡沫石墨烯/聚吡咯三元電極材料的制備方法及其用途

本發(fā)明提供了一種多孔碳納米纖維/多孔泡沫石墨烯/聚吡咯三元電極材料的制備方法，其包括如下步驟：1)多孔碳納米纖維的制備；2)多孔泡沫石墨烯的制備；3)將多孔碳納米纖維、多孔泡沫石墨烯、聚吡咯、乙炔黑和PTFE混合在無水乙醇中，超聲分散40m...

2025-08-30
電極結(jié)構(gòu)及其制造方法

本揭露提供一種電極結(jié)構(gòu)。電極結(jié)構(gòu)包含基板、導(dǎo)電層、納米級導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以及數(shù)個導(dǎo)電粒子。導(dǎo)電層設(shè)置于基板上。納米級導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)置于導(dǎo)電層上。納米級導(dǎo)電結(jié)構(gòu)摻雜有氮摻雜劑。導(dǎo)電粒子分布于納米級導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上。本揭露的電極結(jié)構(gòu)及其制造方法實現(xiàn)了電池快速充放...

2025-08-30
一種存儲器的擦除方法和裝置

本發(fā)明涉及存儲器的擦除裝置及方法。存儲器的擦除裝置控制開關(guān)和漏電流讀出電路，控制開關(guān)的一端與存儲單元連接，另一端連接有開關(guān)選通信號，漏電流讀出電路包括跨阻放大器和電壓放大器。其中的方法包括：根據(jù)當(dāng)前閾值電壓與初始閾值電壓的當(dāng)前差值，重復(fù)對存...

2025-08-30
一種用于工件螺旋齒廓尺寸檢測的方法及裝置

本發(fā)明公開了一種用于工件螺旋齒廓尺寸檢測的方法及裝置，涉及工件螺旋齒廓檢測技術(shù)領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有技術(shù)中不能實現(xiàn)螺旋結(jié)構(gòu)工件的齒形尺寸精確測定問題。包括以下步驟：調(diào)整工件姿態(tài)，獲取工件法向截面輪廓影像；建立坐標(biāo)系，取一組相鄰的齒Ⅰ和齒Ⅱ的法向截...

2025-08-30
一種柔性可拉伸透明MXene/AgNWs/PDMS復(fù)合薄膜電極的制備方法及應(yīng)用

本發(fā)明屬于柔性透明儲能技術(shù)領(lǐng)域，公開一種柔性可拉伸透明MXene/AgNWs/PDMS復(fù)合薄膜電極的制備方法及應(yīng)用，所述方法通過PDMS基底薄膜、AgNWs和MXene三者層層組裝，一維AgNWs與二維MXene間形成肖特基勢壘，使得MXe...

2025-08-30
一種基于激光測距的環(huán)形軌道偏差自動測量方法及系統(tǒng)

本發(fā)明涉及環(huán)形軌道測量領(lǐng)域，尤其涉及一種基于激光測距的環(huán)形軌道偏差自動測量方法及系統(tǒng)。系統(tǒng)包括：軌道小車固定在環(huán)形軌道上，軌道小車上設(shè)置圓柱靶標(biāo)物，第一信號收發(fā)控制板；伺服電機驅(qū)動軌道小車在環(huán)形軌道上勻速行駛，且能定點停留；終端測量系統(tǒng)固定...

2025-08-30
圓弧端齒仿真匹配及數(shù)字化著色檢測方法、裝置及設(shè)備

本申請公開了一種圓弧端齒仿真匹配及數(shù)字化著色檢測方法、裝置及設(shè)備，所述方法包括步驟：S1、利用三坐標(biāo)測量機作為檢測數(shù)據(jù)采集設(shè)備，使用三坐標(biāo)測量機搭載的三維模擬測頭對圓弧端齒輪廓進行自動化掃描采集，獲取齒面輪廓數(shù)據(jù)點，進而計算圓弧端齒的幾何參...

2025-08-30
一種基于高密度緩存的存算一體硬件加速器與系統(tǒng)

本發(fā)明公開一種基于高密度緩存的存算一體硬件加速器與系統(tǒng)。在該加速器中，存儲單元陣列包含多個2T eDRAM單元，讀字線解碼器用于從存儲單元陣列選擇存儲了待運算操作數(shù)的存儲單元；感應(yīng)放大器用于根據(jù)設(shè)置的參考電壓將存儲單元陣列的待運算操作數(shù)讀出...

2025-08-30

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