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            拖動(dòng)滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		信息存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發(fā)明公開了一種參考電壓控制的等化輸入數(shù)據(jù)緩沖電路。參考電壓控制的等化輸入數(shù)據(jù)緩沖電路包括第一放大器、第二放大器、回授信號產(chǎn)生器、參考電壓轉(zhuǎn)換器、參考電壓多任務(wù)電路及增益控制單元。第一放大器用于接收數(shù)據(jù)信號及參考電壓。第二放大器耦接于第一放...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種存儲(chǔ)器訪問方法、裝置、存儲(chǔ)器、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：獲取多個(gè)陣列中失效位元的位置信息，采用修補(bǔ)算法根據(jù)失效位元的位置信息為多個(gè)陣列中的目標(biāo)陣列分派備用電路，獲得目標(biāo)陣列的預(yù)測修補(bǔ)結(jié)果，根據(jù)目標(biāo)陣列的預(yù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種正、負(fù)極位于卷芯同側(cè)的圓柱超級電容器及加工工藝，包括殼體、設(shè)置在殼體內(nèi)的卷芯以及設(shè)在殼體開口側(cè)的蓋板；所述卷芯的中心位置設(shè)置有卷芯中心孔，所述蓋板上設(shè)置有含注液孔的負(fù)極極柱；所述卷芯靠近蓋板的端面上設(shè)置有正極耳和負(fù)極耳，所述...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請案涉及用于模式寄存器頁面存取模式的設(shè)備、系統(tǒng)及方法。本文中所公開的實(shí)施例提供用于在半導(dǎo)體裝置(例如，存儲(chǔ)器裝置)中進(jìn)入、保持及退出模式寄存器頁面存取MRPA模式的技術(shù)。命令用于使所述存儲(chǔ)器裝置在存取所述模式寄存器時(shí)進(jìn)入所述MRPA模式...
								
            
							
            
							
						
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								      一種測試結(jié)構(gòu)以及測試方法，其中測試方法包括：提供測試結(jié)構(gòu)，測試結(jié)構(gòu)包括待測晶圓，待測晶圓包括非功能區(qū)，非功能區(qū)內(nèi)具有的若干待測存儲(chǔ)單元，各待測存儲(chǔ)單元包括互為反相且互鎖的第一鎖存點(diǎn)和第二鎖存點(diǎn)；進(jìn)行若干次寫入操作，各次寫入操作用以實(shí)現(xiàn)第一鎖...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種非易失性3T1R1C存儲(chǔ)電路、矯正電路、DRAM和存算電路。非易失性3T1R1C存儲(chǔ)電路包括三個(gè)N型晶體管M0、M1、M2、一個(gè)稱為R0的RRAM和一個(gè)電容C0；電路連接關(guān)系如下：M0、M1、M2的柵...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種用于抗單粒子翻轉(zhuǎn)的FPGA加固系統(tǒng)，包括：SRAM型FPGA、FLASH型FPGA和FLASH存儲(chǔ)器；FLASH型FPGA包括一普通管腳和一SPI管腳，普通管腳與SRAM型FPGA連接，F(xiàn)LASH型FPG...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N資源管理系統(tǒng)、方法及電子設(shè)備，其中，該系統(tǒng)包括：機(jī)器查看模塊、機(jī)器監(jiān)控模塊、故障維護(hù)模塊，通過機(jī)器查看模塊搜索并展示各個(gè)云資源的詳情信息，然后通過機(jī)器監(jiān)控模塊對各個(gè)云資源的硬件、操作系統(tǒng)核心指標(biāo)、代理程度狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)控，并基于...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種記憶體裝置及其操作方法，記憶體裝置包含記憶體陣列，記憶體陣列包含多個(gè)記憶體單元，這些記憶體單元各自包含：記憶體單位；以及第一數(shù)目個(gè)第一晶體管，串聯(lián)耦接在記憶體單位與第一電壓端之間。記憶體裝置還包含耦接在記憶體陣列與第二電壓端之間的電...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種制備金剛石超級電容的方法，屬于金剛石應(yīng)用領(lǐng)域。包括以下步驟：S1：在基底材料上沉積超薄金剛石薄膜；S2：在超薄金剛石薄膜上沉積導(dǎo)電薄膜作為電容電極，將沉積有導(dǎo)電薄膜的超薄金剛石薄膜從基底材料上剝離；或，將超薄金剛石薄膜從基底...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，公開了存儲(chǔ)器的操作方法、存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)器系統(tǒng)，該方法包括：在第一編程循環(huán)的驗(yàn)證階段，為與第一存儲(chǔ)單元耦接的位線提供第一位線電壓；所述第一存儲(chǔ)單元為與選擇字線耦接且待編程至第一編程態(tài)的存儲(chǔ)單元，所述第一編程循環(huán)為需要對...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器控制方法和相應(yīng)系統(tǒng)。存儲(chǔ)器包括：存儲(chǔ)單元陣列；以及存儲(chǔ)單元陣列操作模塊，包括：讀操作模塊，響應(yīng)于存儲(chǔ)器接收到存儲(chǔ)單元陣列讀指令而被使能，并且用于對存儲(chǔ)單元陣列進(jìn)行讀取操作；擦除操作模塊，響應(yīng)于存儲(chǔ)器接收到存儲(chǔ)單元陣列...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請案系關(guān)于報(bào)告控制信息錯(cuò)誤。可在操作期間監(jiān)測存儲(chǔ)器陣列的狀態(tài)。在檢測到錯(cuò)誤(例如，在接收到的控制信息中)之后，所述存儲(chǔ)器裝置可進(jìn)入第一狀態(tài)(例如，鎖定狀態(tài))并且可向主機(jī)裝置指示檢測到錯(cuò)誤、在檢測到所述錯(cuò)誤之前所述存儲(chǔ)器陣列的所述狀態(tài)和/...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于貴金屬納米催化材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種芝麻桿衍生碳材料及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明通過將芝麻桿依次經(jīng)過清洗除雜、水熱軟化、堿洗、磷化處理、碳化處理、酸洗，最終制得芝麻桿衍生碳材料。本發(fā)明制備的生物質(zhì)衍生碳具有原料廣泛易得、工藝簡便...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種用作超級電容器的稻殼電容炭的制法及稻殼電容炭的用法，稻殼電容器的制法包括：(1)原料預(yù)混，將稻殼炭化料、低灰分瀝青，活化劑進(jìn)行破碎與混合，得到預(yù)混料。(2)活化造孔，將預(yù)混料活化處理，得到活化料；(3)酸洗除雜，將活化料依次...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種鋰離子電容器正極涂布的關(guān)鍵技術(shù)。該電容器以商品化活性炭和硬炭（HC）分別為正正極活性材料組裝鋰離子電容器。該發(fā)明涉及到正極涂布的關(guān)鍵技術(shù)―粘結(jié)劑體系的選擇。具體配料由如下質(zhì)量百分比含量的組分組成：正極主料88?92%、導(dǎo)電劑5...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種超級電容器及其制備方法，屬于超級電容器技術(shù)領(lǐng)域。針對現(xiàn)有超級電容器在長期充放電存在的產(chǎn)氣和容量降低以及電阻增加的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種超級電容器，包括正極、負(fù)極和設(shè)于兩者之間的隔膜，正極為正極集流體和結(jié)合在所述正極集流體...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明通過縮短用于傳遞加載電機(jī)的旋轉(zhuǎn)的路徑而減小了光盤驅(qū)動(dòng)器的尺寸。傳輸輥(20)在處于第一輥位置時(shí)與光盤接觸并朝主軸電機(jī)(11)的位置傳送光盤，在處于第二輥位置時(shí)不接觸光盤。滑塊(70)在位于第一操作構(gòu)件位置時(shí)將傳輸輥(20)置于第一輥位...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種激光焊槍出光質(zhì)量的測量方法，涉及焊接設(shè)備領(lǐng)域，其中，測量方法包括：在激光焊槍的測試光束照射成像片的衰減成像區(qū)域生成光束成像時(shí)，利用相機(jī)拍攝成像片，獲得成像片圖像，其中，成像片還包括背景區(qū)域和參照物區(qū)域，參照物區(qū)域內(nèi)設(shè)置有至少...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種NORD閃存耐久性拖尾位的篩選方法，包括：步驟一、對選定位進(jìn)行編程擦除循環(huán)操作。各編程操作中，字線柵的第一編程電壓根據(jù)循環(huán)次數(shù)進(jìn)行設(shè)置，第一編程電壓為初始編程電壓加上第一偏移電壓，第一偏移電壓用以補(bǔ)償字線柵的第一閾值電壓的第...
								
            
							
            
							
						
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