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								      本發明的技術方案是提供了一種比特交錯結構下可消除半選擇干擾的超低電壓SRAM單元，其特征在于，包括一組反相器環，兩個N型寫晶體管NM1、NM2，兩個P型寫晶體管PM1、PM2和兩個N型晶體管NM3、NM4組成的讀出路徑。本發明可以被應用于超...
								
            
							
            
							
						
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								      根據實施例，一種用于表征非易失性存儲器的方法包括：在導電地耦合到非易失性存儲器單元的字線上施加第一電壓，以及響應于施加第一電壓來測量流過非易失性存儲器單元的電流。測量電流包括：使用感測放大器，將流過非易失性存儲器單元的電流與由可調節電流源生...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種鈉基電池型超級電容器及其制備方法，所述鈉基電池型超級電容器包括正極、負極、隔膜和電解液，所述正負極包括正負極復配活性材料、導電劑和粘結劑，所述正負極復配活性材料包括正負極離子脫嵌型活性材料和包覆在所述正負極離子脫嵌型活性材料...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于超級電容器技術領域，公開了基于金納米顆粒與羧基化碳納米管的聚吡咯柔性復合電極及其制備方法和應用。本發明以羧基化碳納米管與聚吡咯制備了羧基化碳納米管/聚吡咯復合材料，通過引入AuNPs與CNTs?COOH、PPy構建三元協同體系，制...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種選擇數據可擴展的單電源存算一體數據選擇器，其包括：預充電路，其輸入端連接至電源信號輸入端、控制端接入預充控制信號、輸出端與輸出驅動電路的輸入端連接；至少兩個基本數據輸入電路，每個基本數據輸入電路由一個鐵電晶體管、一個nMOS...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種數字存算電路、字線輸入切換電路及數字存算系統，該數字存算電路包括：第一開關管、第二開關管以及鎖存電路；第一開關管的第一端連接位線，第一開關管的第二端連接第二開關管的第一端以及運算輸出端；第二開關管的控制端連接字線；第一開關管...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種針對UHS PSRAM的刷新方法及裝置。方法包括：基于UHS PSRAM兩次刷新之間的最大時間間隔，確定猝發讀寫操作的最大猝發長度；基于UHS PSRAM控制器不斷接收外部設備發送的猝發讀寫請求；針對接收到的當前猝發讀寫請求...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請案涉及微電子裝置及相關方法及存儲器裝置。一種微電子裝置包含：存儲器陣列結構；額外存儲器陣列結構，其在存儲器陣列結構之上且附接到存儲器陣列結構；及控制電路系統結構，其在額外存儲器陣列結構之上且附接到額外存儲器陣列結構。存儲器陣列結構包含...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種本發明所提供的磁性存儲單元，從下至上依次包括磁性參考層、隧道層、磁性自由層及蓋帽層；所述磁性自由層包括多個存儲結構單元；所述存儲結構單元從下至上依次包括第一鐵磁性層、非磁性金屬間隔層、第二鐵磁性層及氧化物界面層；所述磁性自由...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種編譯方法、編譯電路、模式寄存器和存儲器，該編譯方法包括：接收待編譯信號和電阻匹配信號；對待編譯信號進行編譯處理，得到編譯結果信號；在待編譯信號為預留碼的情況下，基于電阻匹配信號對編譯結果信號進行兼容選擇處理，確定第一編...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及微電子裝置及相關方法和存儲器裝置。一種微電子裝置包含存儲器陣列結構、在所述存儲器陣列結構之上并附接到其上的額外存儲器陣列結構，及在所述額外存儲器陣列結構之上并附接到其上的控制電路系統結構。所述存儲器陣列結構包含具有存儲器單元的陣列...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種相變存儲器的數據訪問方法、相關設備及存儲介質。在本申請實施例中，在PCM的控制器中增加少量的SRAM資源，在寫階段，利用SRAM提供的位圖可以對各個粗粒度單位時間是否發生寫操作進行記錄；利用SRAM提供的布隆過濾器可以對...
								
            
							
            
							
						
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								      一種鐵摻雜的柔性超級電容器電極，包括基體和電極漿料，電極漿料粘接在基體上；電極漿料包括40?60重量份的鐵摻雜的石墨和2?10重量份的粘接樹脂；鐵摻雜的石墨包括一階和二階插層的三氯化鐵插層石墨，鐵摻雜的石墨的粒徑在600?5000目之間；電...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種多孔碳納米纖維/多孔泡沫石墨烯/聚吡咯三元電極材料的制備方法，其包括如下步驟：1)多孔碳納米纖維的制備；2)多孔泡沫石墨烯的制備；3)將多孔碳納米纖維、多孔泡沫石墨烯、聚吡咯、乙炔黑和PTFE混合在無水乙醇中，超聲分散40m...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種存儲器裝置、存儲器系統、存儲器控制器及操作方法。其中，存儲器裝置包括：存儲單元陣列，包括多個存儲單元，預設個數的存儲單元形成一個碼字；外圍電路，與存儲單元陣列耦接且被配置為：獲取至少一個碼字在目標讀取電壓下對應的第一結果...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種基于3D打印的結構超級電容器及其制備方法，屬于結構超級電容器領域。該結構超級電容器由兩個碳纖維電極構成，所述兩個碳纖維電極上分別通過3D打印方式在表面分別形成帶有榫頭和榫眼微陣列的特定結構，使兩碳纖維電極組合成榫卯結構后，不...
								
            
							
            
							
						
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								      本揭露提供一種電極結構。電極結構包含基板、導電層、納米級導電結構以及數個導電粒子。導電層設置于基板上。納米級導電結構設置于導電層上。納米級導電結構摻雜有氮摻雜劑。導電粒子分布于納米級導電結構上。本揭露的電極結構及其制造方法實現了電池快速充放...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種用于工件螺旋齒廓尺寸檢測的方法及裝置，涉及工件螺旋齒廓檢測技術領域，解決了現有技術中不能實現螺旋結構工件的齒形尺寸精確測定問題。包括以下步驟：調整工件姿態，獲取工件法向截面輪廓影像；建立坐標系，取一組相鄰的齒Ⅰ和齒Ⅱ的法向截...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及存儲器的擦除裝置及方法。存儲器的擦除裝置控制開關和漏電流讀出電路，控制開關的一端與存儲單元連接，另一端連接有開關選通信號，漏電流讀出電路包括跨阻放大器和電壓放大器。其中的方法包括：根據當前閾值電壓與初始閾值電壓的當前差值，重復對存...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于柔性透明儲能技術領域，公開一種柔性可拉伸透明MXene/AgNWs/PDMS復合薄膜電極的制備方法及應用，所述方法通過PDMS基底薄膜、AgNWs和MXene三者層層組裝，一維AgNWs與二維MXene間形成肖特基勢壘，使得MXe...
								
            
							
            
							
						
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