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                  		信息存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N功耗預(yù)測(cè)方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，可應(yīng)用于設(shè)備內(nèi)存功耗預(yù)測(cè)，該方法包括：獲取設(shè)備存儲(chǔ)器在目標(biāo)場(chǎng)景下的指令數(shù)據(jù)，指令數(shù)據(jù)用于指示存儲(chǔ)器在預(yù)設(shè)時(shí)段內(nèi)的狀態(tài)變化；根據(jù)指令數(shù)據(jù)確定在預(yù)設(shè)時(shí)段內(nèi)存儲(chǔ)器的每個(gè)狀態(tài)對(duì)應(yīng)的功耗；根據(jù)預(yù)設(shè)時(shí)段...
								
            
							
            
							
						
            • 
					
						
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								      本發(fā)明的技術(shù)方案是提供了一種比特交錯(cuò)結(jié)構(gòu)下可消除半選擇干擾的超低電壓SRAM單元，其特征在于，包括一組反相器環(huán)，兩個(gè)N型寫晶體管NM1、NM2，兩個(gè)P型寫晶體管PM1、PM2和兩個(gè)N型晶體管NM3、NM4組成的讀出路徑。本發(fā)明可以被應(yīng)用于超...
								
            
							
            
							
						
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								      根據(jù)實(shí)施例，一種用于表征非易失性存儲(chǔ)器的方法包括：在導(dǎo)電地耦合到非易失性存儲(chǔ)器單元的字線上施加第一電壓，以及響應(yīng)于施加第一電壓來測(cè)量流過非易失性存儲(chǔ)器單元的電流。測(cè)量電流包括：使用感測(cè)放大器，將流過非易失性存儲(chǔ)器單元的電流與由可調(diào)節(jié)電流源生...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種鈉基電池型超級(jí)電容器及其制備方法，所述鈉基電池型超級(jí)電容器包括正極、負(fù)極、隔膜和電解液，所述正負(fù)極包括正負(fù)極復(fù)配活性材料、導(dǎo)電劑和粘結(jié)劑，所述正負(fù)極復(fù)配活性材料包括正負(fù)極離子脫嵌型活性材料和包覆在所述正負(fù)極離子脫嵌型活性材料...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于超級(jí)電容器技術(shù)領(lǐng)域，公開了基于金納米顆粒與羧基化碳納米管的聚吡咯柔性復(fù)合電極及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明以羧基化碳納米管與聚吡咯制備了羧基化碳納米管/聚吡咯復(fù)合材料，通過引入AuNPs與CNTs?COOH、PPy構(gòu)建三元協(xié)同體系，制...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種選擇數(shù)據(jù)可擴(kuò)展的單電源存算一體數(shù)據(jù)選擇器，其包括：預(yù)充電路，其輸入端連接至電源信號(hào)輸入端、控制端接入預(yù)充控制信號(hào)、輸出端與輸出驅(qū)動(dòng)電路的輸入端連接；至少兩個(gè)基本數(shù)據(jù)輸入電路，每個(gè)基本數(shù)據(jù)輸入電路由一個(gè)鐵電晶體管、一個(gè)nMOS...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種數(shù)字存算電路、字線輸入切換電路及數(shù)字存算系統(tǒng)，該數(shù)字存算電路包括：第一開關(guān)管、第二開關(guān)管以及鎖存電路；第一開關(guān)管的第一端連接位線，第一開關(guān)管的第二端連接第二開關(guān)管的第一端以及運(yùn)算輸出端；第二開關(guān)管的控制端連接字線；第一開關(guān)管...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)案涉及微電子裝置及相關(guān)方法及存儲(chǔ)器裝置。一種微電子裝置包含：存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)；額外存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)，其在存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)之上且附接到存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)；及控制電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，其在額外存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)之上且附接到額外存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)包含...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種相變存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)訪問方法、相關(guān)設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。在本申請(qǐng)實(shí)施例中，在PCM的控制器中增加少量的SRAM資源，在寫階段，利用SRAM提供的位圖可以對(duì)各個(gè)粗粒度單位時(shí)間是否發(fā)生寫操作進(jìn)行記錄；利用SRAM提供的布隆過濾器可以對(duì)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種針對(duì)UHS PSRAM的刷新方法及裝置。方法包括：基于UHS PSRAM兩次刷新之間的最大時(shí)間間隔，確定猝發(fā)讀寫操作的最大猝發(fā)長(zhǎng)度；基于UHS PSRAM控制器不斷接收外部設(shè)備發(fā)送的猝發(fā)讀寫請(qǐng)求；針對(duì)接收到的當(dāng)前猝發(fā)讀寫請(qǐng)求...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種本發(fā)明所提供的磁性存儲(chǔ)單元，從下至上依次包括磁性參考層、隧道層、磁性自由層及蓋帽層；所述磁性自由層包括多個(gè)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)單元；所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)單元從下至上依次包括第一鐵磁性層、非磁性金屬間隔層、第二鐵磁性層及氧化物界面層；所述磁性自由...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種編譯方法、編譯電路、模式寄存器和存儲(chǔ)器，該編譯方法包括：接收待編譯信號(hào)和電阻匹配信號(hào)；對(duì)待編譯信號(hào)進(jìn)行編譯處理，得到編譯結(jié)果信號(hào)；在待編譯信號(hào)為預(yù)留碼的情況下，基于電阻匹配信號(hào)對(duì)編譯結(jié)果信號(hào)進(jìn)行兼容選擇處理，確定第一編...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及微電子裝置及相關(guān)方法和存儲(chǔ)器裝置。一種微電子裝置包含存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)、在所述存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)之上并附接到其上的額外存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)，及在所述額外存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)之上并附接到其上的控制電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。所述存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)包含具有存儲(chǔ)器單元的陣列...
								
            
							
            
							
						
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								      一種鐵摻雜的柔性超級(jí)電容器電極，包括基體和電極漿料，電極漿料粘接在基體上；電極漿料包括40?60重量份的鐵摻雜的石墨和2?10重量份的粘接樹脂；鐵摻雜的石墨包括一階和二階插層的三氯化鐵插層石墨，鐵摻雜的石墨的粒徑在600?5000目之間；電...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種多孔碳納米纖維/多孔泡沫石墨烯/聚吡咯三元電極材料的制備方法，其包括如下步驟：1)多孔碳納米纖維的制備；2)多孔泡沫石墨烯的制備；3)將多孔碳納米纖維、多孔泡沫石墨烯、聚吡咯、乙炔黑和PTFE混合在無水乙醇中，超聲分散40m...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種基于3D打印的結(jié)構(gòu)超級(jí)電容器及其制備方法，屬于結(jié)構(gòu)超級(jí)電容器領(lǐng)域。該結(jié)構(gòu)超級(jí)電容器由兩個(gè)碳纖維電極構(gòu)成，所述兩個(gè)碳纖維電極上分別通過3D打印方式在表面分別形成帶有榫頭和榫眼微陣列的特定結(jié)構(gòu)，使兩碳纖維電極組合成榫卯結(jié)構(gòu)后，不...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)器裝置、存儲(chǔ)器系統(tǒng)、存儲(chǔ)器控制器及操作方法。其中，存儲(chǔ)器裝置包括：存儲(chǔ)單元陣列，包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)的存儲(chǔ)單元形成一個(gè)碼字；外圍電路，與存儲(chǔ)單元陣列耦接且被配置為：獲取至少一個(gè)碼字在目標(biāo)讀取電壓下對(duì)應(yīng)的第一結(jié)果...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器的擦除裝置及方法。存儲(chǔ)器的擦除裝置控制開關(guān)和漏電流讀出電路，控制開關(guān)的一端與存儲(chǔ)單元連接，另一端連接有開關(guān)選通信號(hào)，漏電流讀出電路包括跨阻放大器和電壓放大器。其中的方法包括：根據(jù)當(dāng)前閾值電壓與初始閾值電壓的當(dāng)前差值，重復(fù)對(duì)存...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種用于工件螺旋齒廓尺寸檢測(cè)的方法及裝置，涉及工件螺旋齒廓檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有技術(shù)中不能實(shí)現(xiàn)螺旋結(jié)構(gòu)工件的齒形尺寸精確測(cè)定問題。包括以下步驟：調(diào)整工件姿態(tài)，獲取工件法向截面輪廓影像；建立坐標(biāo)系，取一組相鄰的齒Ⅰ和齒Ⅱ的法向截...
								
            
							
            
							
						
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								      本揭露提供一種電極結(jié)構(gòu)。電極結(jié)構(gòu)包含基板、導(dǎo)電層、納米級(jí)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以及數(shù)個(gè)導(dǎo)電粒子。導(dǎo)電層設(shè)置于基板上。納米級(jí)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)置于導(dǎo)電層上。納米級(jí)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)摻雜有氮摻雜劑。導(dǎo)電粒子分布于納米級(jí)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上。本揭露的電極結(jié)構(gòu)及其制造方法實(shí)現(xiàn)了電池快速充放...
								
            
							
            
							
						
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