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                  		信息存儲應(yīng)用技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本公開是關(guān)于一種刷新地址計數(shù)電路、刷新地址計數(shù)方法、刷新地址讀寫電路及電子設(shè)備，涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域。該刷新地址計數(shù)電路包括：自振蕩時鐘產(chǎn)生模塊，用于在獲取到刷新信號后，在每個刷新周期內(nèi)，根據(jù)陣列激活信號產(chǎn)生自振蕩時鐘信號；自振蕩屏蔽模塊，...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N數(shù)據(jù)采樣電路的布局結(jié)構(gòu)及方法。該布局結(jié)構(gòu)包括：多個數(shù)據(jù)信號模塊，多個數(shù)據(jù)信號模塊沿第一方向間隔排布；選通信號模塊，用于產(chǎn)生選通信號，數(shù)據(jù)采樣電路用于根據(jù)選通信號從數(shù)據(jù)信號模塊讀取數(shù)據(jù)信號，或者將數(shù)據(jù)信號寫入數(shù)據(jù)信號模塊；多根信...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N功耗預(yù)測方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)，可應(yīng)用于設(shè)備內(nèi)存功耗預(yù)測，該方法包括：獲取設(shè)備存儲器在目標場景下的指令數(shù)據(jù)，指令數(shù)據(jù)用于指示存儲器在預(yù)設(shè)時段內(nèi)的狀態(tài)變化；根據(jù)指令數(shù)據(jù)確定在預(yù)設(shè)時段內(nèi)存儲器的每個狀態(tài)對應(yīng)的功耗；根據(jù)預(yù)設(shè)時段...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明的技術(shù)方案是提供了一種比特交錯結(jié)構(gòu)下可消除半選擇干擾的超低電壓SRAM單元，其特征在于，包括一組反相器環(huán)，兩個N型寫晶體管NM1、NM2，兩個P型寫晶體管PM1、PM2和兩個N型晶體管NM3、NM4組成的讀出路徑。本發(fā)明可以被應(yīng)用于超...
								
            
							
            
							
						
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								      根據(jù)實施例，一種用于表征非易失性存儲器的方法包括：在導(dǎo)電地耦合到非易失性存儲器單元的字線上施加第一電壓，以及響應(yīng)于施加第一電壓來測量流過非易失性存儲器單元的電流。測量電流包括：使用感測放大器，將流過非易失性存儲器單元的電流與由可調(diào)節(jié)電流源生...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種鈉基電池型超級電容器及其制備方法，所述鈉基電池型超級電容器包括正極、負極、隔膜和電解液，所述正負極包括正負極復(fù)配活性材料、導(dǎo)電劑和粘結(jié)劑，所述正負極復(fù)配活性材料包括正負極離子脫嵌型活性材料和包覆在所述正負極離子脫嵌型活性材料...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于超級電容器技術(shù)領(lǐng)域，公開了基于金納米顆粒與羧基化碳納米管的聚吡咯柔性復(fù)合電極及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明以羧基化碳納米管與聚吡咯制備了羧基化碳納米管/聚吡咯復(fù)合材料，通過引入AuNPs與CNTs?COOH、PPy構(gòu)建三元協(xié)同體系，制...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種選擇數(shù)據(jù)可擴展的單電源存算一體數(shù)據(jù)選擇器，其包括：預(yù)充電路，其輸入端連接至電源信號輸入端、控制端接入預(yù)充控制信號、輸出端與輸出驅(qū)動電路的輸入端連接；至少兩個基本數(shù)據(jù)輸入電路，每個基本數(shù)據(jù)輸入電路由一個鐵電晶體管、一個nMOS...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種數(shù)字存算電路、字線輸入切換電路及數(shù)字存算系統(tǒng)，該數(shù)字存算電路包括：第一開關(guān)管、第二開關(guān)管以及鎖存電路；第一開關(guān)管的第一端連接位線，第一開關(guān)管的第二端連接第二開關(guān)管的第一端以及運算輸出端；第二開關(guān)管的控制端連接字線；第一開關(guān)管...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種針對UHS PSRAM的刷新方法及裝置。方法包括：基于UHS PSRAM兩次刷新之間的最大時間間隔，確定猝發(fā)讀寫操作的最大猝發(fā)長度；基于UHS PSRAM控制器不斷接收外部設(shè)備發(fā)送的猝發(fā)讀寫請求；針對接收到的當前猝發(fā)讀寫請求...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請案涉及微電子裝置及相關(guān)方法及存儲器裝置。一種微電子裝置包含：存儲器陣列結(jié)構(gòu)；額外存儲器陣列結(jié)構(gòu)，其在存儲器陣列結(jié)構(gòu)之上且附接到存儲器陣列結(jié)構(gòu)；及控制電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，其在額外存儲器陣列結(jié)構(gòu)之上且附接到額外存儲器陣列結(jié)構(gòu)。存儲器陣列結(jié)構(gòu)包含...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種本發(fā)明所提供的磁性存儲單元，從下至上依次包括磁性參考層、隧道層、磁性自由層及蓋帽層；所述磁性自由層包括多個存儲結(jié)構(gòu)單元；所述存儲結(jié)構(gòu)單元從下至上依次包括第一鐵磁性層、非磁性金屬間隔層、第二鐵磁性層及氧化物界面層；所述磁性自由...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種編譯方法、編譯電路、模式寄存器和存儲器，該編譯方法包括：接收待編譯信號和電阻匹配信號；對待編譯信號進行編譯處理，得到編譯結(jié)果信號；在待編譯信號為預(yù)留碼的情況下，基于電阻匹配信號對編譯結(jié)果信號進行兼容選擇處理，確定第一編...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種相變存儲器的數(shù)據(jù)訪問方法、相關(guān)設(shè)備及存儲介質(zhì)。在本申請實施例中，在PCM的控制器中增加少量的SRAM資源，在寫階段，利用SRAM提供的位圖可以對各個粗粒度單位時間是否發(fā)生寫操作進行記錄；利用SRAM提供的布隆過濾器可以對...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及微電子裝置及相關(guān)方法和存儲器裝置。一種微電子裝置包含存儲器陣列結(jié)構(gòu)、在所述存儲器陣列結(jié)構(gòu)之上并附接到其上的額外存儲器陣列結(jié)構(gòu)，及在所述額外存儲器陣列結(jié)構(gòu)之上并附接到其上的控制電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。所述存儲器陣列結(jié)構(gòu)包含具有存儲器單元的陣列...
								
            
							
            
							
						
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								      一種鐵摻雜的柔性超級電容器電極，包括基體和電極漿料，電極漿料粘接在基體上；電極漿料包括40?60重量份的鐵摻雜的石墨和2?10重量份的粘接樹脂；鐵摻雜的石墨包括一階和二階插層的三氯化鐵插層石墨，鐵摻雜的石墨的粒徑在600?5000目之間；電...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種存儲器裝置、存儲器系統(tǒng)、存儲器控制器及操作方法。其中，存儲器裝置包括：存儲單元陣列，包括多個存儲單元，預(yù)設(shè)個數(shù)的存儲單元形成一個碼字；外圍電路，與存儲單元陣列耦接且被配置為：獲取至少一個碼字在目標讀取電壓下對應(yīng)的第一結(jié)果...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種基于3D打印的結(jié)構(gòu)超級電容器及其制備方法，屬于結(jié)構(gòu)超級電容器領(lǐng)域。該結(jié)構(gòu)超級電容器由兩個碳纖維電極構(gòu)成，所述兩個碳纖維電極上分別通過3D打印方式在表面分別形成帶有榫頭和榫眼微陣列的特定結(jié)構(gòu)，使兩碳纖維電極組合成榫卯結(jié)構(gòu)后，不...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種多孔碳納米纖維/多孔泡沫石墨烯/聚吡咯三元電極材料的制備方法，其包括如下步驟：1)多孔碳納米纖維的制備；2)多孔泡沫石墨烯的制備；3)將多孔碳納米纖維、多孔泡沫石墨烯、聚吡咯、乙炔黑和PTFE混合在無水乙醇中，超聲分散40m...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及存儲器的擦除裝置及方法。存儲器的擦除裝置控制開關(guān)和漏電流讀出電路，控制開關(guān)的一端與存儲單元連接，另一端連接有開關(guān)選通信號，漏電流讀出電路包括跨阻放大器和電壓放大器。其中的方法包括：根據(jù)當前閾值電壓與初始閾值電壓的當前差值，重復(fù)對存...
								
            
							
            
							
						
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