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          信息存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)
          • 本申請(qǐng)公開一種存儲(chǔ)器裝置、編程方法及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。該存儲(chǔ)器裝置包括存儲(chǔ)單元陣列,其包括多個(gè)存儲(chǔ)單元及與所述多個(gè)存儲(chǔ)單元耦接的字線;及外圍電路被配置為在對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行增量步進(jìn)脈沖編程時(shí)對(duì)字線施加驗(yàn)證電壓執(zhí)行對(duì)多個(gè)數(shù)據(jù)態(tài)中的第一數(shù)據(jù)態(tài)的第一驗(yàn)...
          • 本發(fā)明公開了一種光源單元,其應(yīng)用于熱輔助磁頭,熱輔助磁頭的滑塊與光源單元之間設(shè)有焊接層和止動(dòng)結(jié)構(gòu),在光源單元與滑塊接合時(shí),光源單元能隨焊接層熔化而移動(dòng)并被止動(dòng)結(jié)構(gòu)精確限位在預(yù)設(shè)位置,這樣,光源單元的發(fā)射口與波導(dǎo)可以精確對(duì)準(zhǔn),從而提高了光源單...
          • 本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種能提高處理能力的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)(1)包括第1非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(10)與控制器(100)。第1非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(10)包含:第1電路(60),連接于接收第2信號(hào)RE...
          • 本發(fā)明公開了一種超級(jí)電容器的水泥基電極制備方法,制備方法包括將石墨板、水泥、所述磁控碳纖維、所述磁控水凝膠、減水劑混合攪拌,得到水泥基漿體,將所述水泥基漿體倒入預(yù)埋導(dǎo)線的模具后,放置在數(shù)控線圈磁場(chǎng)發(fā)生系統(tǒng)中調(diào)控磁控碳纖維以及磁控水凝膠的排布...
          • 本發(fā)明公開一種圖像處理算子驗(yàn)證方法、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品,該方法包括:對(duì)預(yù)設(shè)的測(cè)試配置文件進(jìn)行解析,獲得測(cè)試配置文件中待測(cè)圖像處理算子的測(cè)試配置參數(shù);基于測(cè)試配置參數(shù),運(yùn)行待測(cè)圖像處理算子,獲得待測(cè)輸出結(jié)果;基于測(cè)試配置參數(shù),獲取待測(cè)輸出結(jié)果所...
          • 本發(fā)明公開一種柔性自支撐正極片的制備方法,該方法首先將PAN和五氧化二釩溶解于DMF溶劑中形成紡絲液,隨后通過靜電紡絲工藝制備得到納米纖維紡絲物。該紡絲物依次在空氣氣氛、惰性氣體氣氛和含氮?dú)怏w氣氛中進(jìn)行多階段熱處理,最終制得柔性自支撐正極片...
          • 本發(fā)明公開了一種智能型、隱藏式的票卡充值回收模塊,包括儲(chǔ)存箱和設(shè)置在儲(chǔ)存箱上的充值斗,所述充值斗的內(nèi)部設(shè)置有充值底板,所述儲(chǔ)存箱的一側(cè)設(shè)置有旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件,所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件用于驅(qū)動(dòng)充值底板轉(zhuǎn)動(dòng),本發(fā)明涉及票卡回收技術(shù)領(lǐng)域。該智能型、隱藏式的票...
          • 一種多路復(fù)用器,包括多個(gè)輸入/輸出讀出放大器和邏輯電路。每個(gè)輸入/輸出讀出放大器被配置為放大并輸出正常數(shù)據(jù)和元數(shù)據(jù)。邏輯電路連接到多個(gè)輸入/輸出讀出放大器的輸出端子,并且被配置為通過邏輯運(yùn)算輸出元數(shù)據(jù)。
          • 本發(fā)明涉及CAM單元檢查模塊及其檢查方法,所述CAM單元檢查模塊用于對(duì)NAND存儲(chǔ)器中的CAM單元進(jìn)行檢查,包括:讀取電平設(shè)定部,該讀取電平設(shè)定部基于預(yù)先存儲(chǔ)的CAM單元讀取電平表來(lái)設(shè)定CAM單元讀取電平;特殊讀取命令執(zhí)行部,該特殊讀取命令...
          • 本發(fā)明提供一種能夠削減感測(cè)次數(shù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。本發(fā)明的一實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備存儲(chǔ)單元、連接于存儲(chǔ)單元的字線(WLsel)、能夠連接于存儲(chǔ)單元的位線、及感測(cè)放大器,該感測(cè)放大器包含第1節(jié)點(diǎn)(SEN),能夠連接于位線,感測(cè)將充電到第1...
          • 本申請(qǐng)涉及大模型軟硬件系統(tǒng)測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,公開一種用于大模型軟硬件系統(tǒng)的測(cè)試方法及測(cè)試裝置、電子設(shè)備。測(cè)試方法包括:根據(jù)用戶的測(cè)試需求,確定目標(biāo)測(cè)試指標(biāo);在標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試代碼中插入目標(biāo)測(cè)試指標(biāo)對(duì)應(yīng)的測(cè)試探針;在大模型軟硬件系統(tǒng)上運(yùn)行插入測(cè)試探針后的...
          • 本申請(qǐng)公開了一種投產(chǎn)驗(yàn)證方法、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)以及程序產(chǎn)品,涉及互聯(lián)網(wǎng)軟件技術(shù)領(lǐng)域,包括:獲取目標(biāo)應(yīng)用的若干個(gè)接口驗(yàn)證用例,并根據(jù)所述若干個(gè)接口驗(yàn)證用例,構(gòu)建出驗(yàn)證用例列表;根據(jù)所述驗(yàn)證用例列表,向所述目標(biāo)應(yīng)用發(fā)送接口請(qǐng)求,以對(duì)所述目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)...
          • 本發(fā)明公開了一種可執(zhí)行原位存儲(chǔ)邏輯運(yùn)算的10T1C SRAM單元結(jié)構(gòu),包括10個(gè)MOS晶體管;一個(gè)中轉(zhuǎn)存儲(chǔ)電容,其中M1~M6構(gòu)成存儲(chǔ)部分,M7~M10構(gòu)成計(jì)算部分;PMOS管M1與NMOS管M2、以及PMOS管M3與NMOS管M4形成兩個(gè)...
          • 本發(fā)明屬于內(nèi)存測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種用于批量?jī)?nèi)存條獨(dú)立控溫測(cè)試的裝置,包括測(cè)試主板,設(shè)置有多個(gè)相互并列的內(nèi)存條測(cè)試工位;內(nèi)存條測(cè)試工位用于安裝待測(cè)試的內(nèi)存條;多個(gè)調(diào)溫片呈扁條狀,并與多個(gè)內(nèi)存條測(cè)試工位交替排列;在調(diào)溫片的相對(duì)兩側(cè)具有調(diào)溫...
          • 本發(fā)明涉及一種構(gòu)件拼裝方法及系統(tǒng),所述構(gòu)件拼裝方法包括以下步驟:調(diào)整線激光的光斑延伸方向與設(shè)計(jì)拼裝方向一致;在待拼裝構(gòu)件上設(shè)置第二標(biāo)識(shí)點(diǎn),所述第二標(biāo)識(shí)點(diǎn)為正三棱形的凹槽;調(diào)整所述待拼裝構(gòu)件在水平方向上的位置,令線激光光斑經(jīng)過所述第二標(biāo)識(shí)點(diǎn);...
          • 本發(fā)明提供一種三維存儲(chǔ)器裝置,如三維與門快閃存儲(chǔ)器(3D ANDFlash memory)裝置。三維存儲(chǔ)器裝置包括多條字線、多個(gè)第一開關(guān)、多個(gè)第二開關(guān)以及N個(gè)導(dǎo)線層,N為大于1的正整數(shù)。字線區(qū)分為多個(gè)字線群組。第一開關(guān)接收共同字線電壓。第二...
          • 本發(fā)明涉及一種聲聚焦編碼超表面及其可重構(gòu)方法,超表面包括若干個(gè)沿第一方向線性排列的區(qū)域,每個(gè)區(qū)域內(nèi)包括一個(gè)或多個(gè)編碼單元,所述編碼單元分為第一編碼單元和第二編碼單元,兩種編碼單元的反射相位差為π,含有不同種類編碼單元的區(qū)域交替排列;編碼單元...
          • 本申請(qǐng)公開了一種時(shí)鐘功能測(cè)試方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì),涉及邊緣服務(wù)器技術(shù)領(lǐng)域。應(yīng)用于預(yù)設(shè)測(cè)試板卡,該方法包括:判斷是否獲取到邊緣服務(wù)器中用于處理時(shí)鐘的處理芯片發(fā)送的時(shí)鐘測(cè)試信號(hào);如果獲取到時(shí)鐘測(cè)試信號(hào),則通過預(yù)設(shè)測(cè)試板卡中的現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯...
          • 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種控制器的切換預(yù)警方法、裝置、電子設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì),所述方法包括:獲取前端業(yè)務(wù)模型、前端業(yè)務(wù)壓力和后端業(yè)務(wù)壓力;根據(jù)預(yù)設(shè)內(nèi)嵌數(shù)據(jù)庫(kù)、所述前端業(yè)務(wù)模型、所述前端業(yè)務(wù)壓力以及所述后端業(yè)務(wù)壓力,擬合控制器切換最優(yōu)化時(shí)間和正常...
          • 本申請(qǐng)公開了一種存儲(chǔ)系統(tǒng)的測(cè)試系統(tǒng)、方法、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì),涉及自動(dòng)化測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,該系統(tǒng)包括電源分配單元與測(cè)試組件,通過測(cè)試組件對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試過程中控制電源分配單元對(duì)存儲(chǔ)組件進(jìn)行上電和下電,并在測(cè)試開始時(shí)啟動(dòng)狀態(tài)監(jiān)控程序和超時(shí)...
          技術(shù)分類
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