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								      本申請公開了一種激光焊槍出光質量的測量方法，涉及焊接設備領域，其中，測量方法包括：在激光焊槍的測試光束照射成像片的衰減成像區域生成光束成像時，利用相機拍攝成像片，獲得成像片圖像，其中，成像片還包括背景區域和參照物區域，參照物區域內設置有至少...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種超級電容器及其制備方法，屬于超級電容器技術領域。針對現有超級電容器在長期充放電存在的產氣和容量降低以及電阻增加的技術問題，本發明提供了一種超級電容器，包括正極、負極和設于兩者之間的隔膜，正極為正極集流體和結合在所述正極集流體...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種NORD閃存耐久性拖尾位的篩選方法，包括：步驟一、對選定位進行編程擦除循環操作。各編程操作中，字線柵的第一編程電壓根據循環次數進行設置，第一編程電壓為初始編程電壓加上第一偏移電壓，第一偏移電壓用以補償字線柵的第一閾值電壓的第...
								
            
							
            
							
						
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								      柔性超級電容器長期面臨電極與凝膠電解質界面解離問題。通過在凝膠電解質上原位生長電極材料形成一體化器件可有效解決此難題并提升性能。本發明成功開發出一種緩慢反應動力學下的原位聚合策略：在聚乙烯醇/海藻酸鈉基水凝膠中添加氧化石墨烯(GO)，實現苯...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種耐低溫超級電容器及其制備方法和應用。本發明的耐低溫超級電容器的組成包括電極、電解液、隔膜和封裝殼，電解液中的電解質為有機磷化合物，電解液的玻璃化轉變溫度為?60℃～?30℃，室溫電導率≥1.0×10?
...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種位線讀出放大器和一種半導體裝置。該位線讀出放大器包括：P型讀出放大器，其包括第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管，其中，第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管電連接到第一感測使能線；N型讀出放大器，其包括第一NMOS晶體管和第二...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種鐵鈷雙金屬MOF電極上電沉積鈷摻雜氫氧化鎳的納米陣列材料及其制備方法，包括：通過水熱法在泡沫鎳上生長FeCo?MOF納米片陣列，并在其表面電沉積一層適量鈷摻雜的納米片狀α?Ni(OH)2晶體，成功制備了...
								
            
							
            
							
						
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								      本實施方式提供一種能夠高速執行壓縮的非易失性存儲器、存儲器系統及非易失性存儲器的控制方法。根據本實施方式，非易失性存儲器具備存儲器芯片及指令處理部。在從控制器接收到用于壓縮的第1指令的情況下，指令處理部將從存儲器芯片的第1位置讀取的數據保存...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種鋰離子電容器電解液和電解液添加劑的關鍵技術，可有效提高鋰離子電容器電解液的電化學性能。其主要內容為一種鹵化鋰、硅藻土和石墨粉與聚氨酯丙烯酸酯和丙烯酸單體制備的電解液添加劑，以及此添加劑與包含六氟磷酸鋰、碳酸乙烯酯和碳酸二甲酯的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種非易失性存儲器的自測系統以及方法，由從機通過SDA以及SCL端口接收由外部主機發送的I2C指令并進行解碼，再由BIST模塊基于解碼信息以數據?補碼形式儲存數據信息，并生成模式控制信息與數據地址信息發送MTP模塊依次執行擦除操作...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種測試單元、處理器、片上系統和測試方法，該測試單元包括：總線從接口、輸入緩沖器和控制器；所述總線從接口，用于接收總線主接口通過功能高速總線發送的掃描輸入數據，并將所述掃描輸入數據存儲到所述輸入緩沖器；所述控制器，用于從所...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種火焰圖的生成方法和裝置、存儲介質及電子設備。涉及計算機技術領域，其中，該方法包括：在目標線程運行時，對所述目標線程在處理器上執行時的時間信息進行采樣，得到所述目標線程對應的第一時間占比信息；對所述目標線程被調出所述處理器和調...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的實施例公開了數據導入裝置。該方法的一具體實施方式包括：數據導入裝置包括數據中轉導入裝置、數據上傳裝置和光盤存儲裝置。其中，數據中轉導入裝置包括第一控制裝置、第一人機交互屏幕、識別裝置、光驅處理裝置、第一電機、第一機械臂、第一機械臂限...
								
            
							
            
							
						
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								      提供搭載了能夠將PCB配置于HDD的殼體側面的連接器的盤裝置。實施方式的盤裝置具有多個磁盤、構成為使多個磁盤旋轉的主軸馬達、以及殼體。殼體具有安裝有主軸馬達的底壁、和與底壁一體成型的側壁。還具有安裝于側壁的第1基板、和安裝于第1基板并與外部...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種分柵存儲器陣列結構的操作方法，該存儲器操作方式基于分柵型SONOS結構，一個存儲單元由一個選擇管和兩個置于選擇管兩側的存儲管構成，兩側存儲管柵極可以共接，作為一個存儲管使用，也可以兩個存儲管分別存儲數據，增加存儲密度。寫入數據...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及噪聲控制領域，具體提供了一種復合寬頻降噪超結構，包括中高頻降噪體和低頻寬帶降噪體；中高頻降噪體包括入射穿孔板和吸聲體二；低頻寬帶降噪體包括多個并聯設置的吸聲單元，吸聲單元包括頂部穿孔板、背部封閉板、側部封閉板和封閉隔板，吸聲單元的...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實施例提供一種存儲器及其操作方法、存儲器系統。該存儲器包括多個存儲單元集，存儲單元集包括第一存儲單元組和第二存儲單元組，第一存儲單元組包括目標態為第i態至第i+k態的存儲單元，第二存儲單元組包括目標態為第i+k+1態至第i+j態的存儲...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種非接觸式測量光學元件間隔的方法，具體涉及光學元件測量技術領域，包括步驟S01：非接觸式測量、步驟S02：原始光學元件間隔獲取、步驟S03：光學元件結構穩定性數據采集、步驟S04：光學元件熱穩定性數據處理、步驟S05：光學元件...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種榫接式聲學超構單元模塊、聲學超構材料組件及其制備方法，榫接式聲學超構單元模塊，包括插接凸臺和榫接端，插接凸臺底端和榫接端頂端相連，插接凸臺內部和榫接端內部連通構成吸聲腔體，插接凸臺由前封板和側封板組成，側封板一端與前封板相連，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開一種存儲器的外圍電路和存儲器，存儲器包括多個存儲單元。外圍電路包括位線解碼器，位線解碼器包括多個選通單元。各選通單元包括與任一存儲單元的位線耦接的第一端、用于輸出選中的存儲單元的讀取信號的第二端、耦接于第一端和第二端之間且與存儲器...
								
            
							
            
							
						
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