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            拖動(dòng)滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		信息存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種I/O驅(qū)動(dòng)器、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，用于提高I/O驅(qū)動(dòng)器的性能。I/O驅(qū)動(dòng)器包括上拉電路、下拉電路以及輸入/輸出端。上拉電路耦接于電源電壓端和輸入/輸出端之間，用于根據(jù)第一控制信號(hào)生成上拉電壓。下拉電路耦接于參考...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)單元和存儲(chǔ)器件，存儲(chǔ)單元包括依次堆疊的第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、低阻硅合金化物和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相互交叉設(shè)置，且具有的多數(shù)載流子類型不同；低阻硅合金化物設(shè)置于第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的交叉點(diǎn)處，分...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種光源單元，其應(yīng)用于熱輔助磁頭，熱輔助磁頭的滑塊與光源單元之間設(shè)有焊接層和止動(dòng)結(jié)構(gòu)，在光源單元與滑塊接合時(shí)，光源單元能隨焊接層熔化而移動(dòng)并被止動(dòng)結(jié)構(gòu)精確限位在預(yù)設(shè)位置，這樣，光源單元的發(fā)射口與波導(dǎo)可以精確對(duì)準(zhǔn)，從而提高了光源單...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及存儲(chǔ)器中的差分放大器偏移。本公開包含用于存儲(chǔ)器中的差分放大器偏移的設(shè)備、方法及系統(tǒng)。實(shí)施例包含：存儲(chǔ)器單元陣列；差分放大器，其具有第一輸入及第二輸入，其中所述第一輸入可連接到目標(biāo)電壓；及電容器，其耦合到所述第二輸入并經(jīng)配置以存儲(chǔ)所...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開一種存儲(chǔ)器裝置、編程方法及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。該存儲(chǔ)器裝置包括存儲(chǔ)單元陣列，其包括多個(gè)存儲(chǔ)單元及與所述多個(gè)存儲(chǔ)單元耦接的字線；及外圍電路被配置為在對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行增量步進(jìn)脈沖編程時(shí)對(duì)字線施加驗(yàn)證電壓執(zhí)行對(duì)多個(gè)數(shù)據(jù)態(tài)中的第一數(shù)據(jù)態(tài)的第一驗(yàn)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝嘶诠虘B(tài)硬盤的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性測(cè)試方法和系統(tǒng)。該方法包括：對(duì)目標(biāo)固態(tài)硬盤執(zhí)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性測(cè)試，并提取可靠性指標(biāo)數(shù)據(jù)；根據(jù)可靠性指標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，獲得可靠性達(dá)標(biāo)度系數(shù)；獲取測(cè)試所處區(qū)域的環(huán)境特征數(shù)據(jù)，處理獲得環(huán)境干擾系數(shù)；根據(jù)可靠...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種能提高處理能力的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)(1)包括第1非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(10)與控制器(100)。第1非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(10)包含：第1電路(60)，連接于接收第2信號(hào)RE...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種圖像處理算子驗(yàn)證方法、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品，該方法包括：對(duì)預(yù)設(shè)的測(cè)試配置文件進(jìn)行解析，獲得測(cè)試配置文件中待測(cè)圖像處理算子的測(cè)試配置參數(shù)；基于測(cè)試配置參數(shù)，運(yùn)行待測(cè)圖像處理算子，獲得待測(cè)輸出結(jié)果；基于測(cè)試配置參數(shù)，獲取待測(cè)輸出結(jié)果所...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種超級(jí)電容器的水泥基電極制備方法，制備方法包括將石墨板、水泥、所述磁控碳纖維、所述磁控水凝膠、減水劑混合攪拌，得到水泥基漿體，將所述水泥基漿體倒入預(yù)埋導(dǎo)線的模具后，放置在數(shù)控線圈磁場(chǎng)發(fā)生系統(tǒng)中調(diào)控磁控碳纖維以及磁控水凝膠的排布...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種柔性自支撐正極片的制備方法，該方法首先將PAN和五氧化二釩溶解于DMF溶劑中形成紡絲液，隨后通過靜電紡絲工藝制備得到納米纖維紡絲物。該紡絲物依次在空氣氣氛、惰性氣體氣氛和含氮?dú)怏w氣氛中進(jìn)行多階段熱處理，最終制得柔性自支撐正極片...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及CAM單元檢查模塊及其檢查方法，所述CAM單元檢查模塊用于對(duì)NAND存儲(chǔ)器中的CAM單元進(jìn)行檢查，包括：讀取電平設(shè)定部，該讀取電平設(shè)定部基于預(yù)先存儲(chǔ)的CAM單元讀取電平表來設(shè)定CAM單元讀取電平；特殊讀取命令執(zhí)行部，該特殊讀取命令...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種智能型、隱藏式的票卡充值回收模塊，包括儲(chǔ)存箱和設(shè)置在儲(chǔ)存箱上的充值斗，所述充值斗的內(nèi)部設(shè)置有充值底板，所述儲(chǔ)存箱的一側(cè)設(shè)置有旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件用于驅(qū)動(dòng)充值底板轉(zhuǎn)動(dòng)，本發(fā)明涉及票卡回收技術(shù)領(lǐng)域。該智能型、隱藏式的票...
								
            
							
            
							
						
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								      一種多路復(fù)用器，包括多個(gè)輸入/輸出讀出放大器和邏輯電路。每個(gè)輸入/輸出讀出放大器被配置為放大并輸出正常數(shù)據(jù)和元數(shù)據(jù)。邏輯電路連接到多個(gè)輸入/輸出讀出放大器的輸出端子，并且被配置為通過邏輯運(yùn)算輸出元數(shù)據(jù)。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種能夠削減感測(cè)次數(shù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。本發(fā)明的一實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備存儲(chǔ)單元、連接于存儲(chǔ)單元的字線(WLsel)、能夠連接于存儲(chǔ)單元的位線、及感測(cè)放大器，該感測(cè)放大器包含第1節(jié)點(diǎn)(SEN)，能夠連接于位線，感測(cè)將充電到第1...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種構(gòu)件拼裝方法及系統(tǒng)，所述構(gòu)件拼裝方法包括以下步驟：調(diào)整線激光的光斑延伸方向與設(shè)計(jì)拼裝方向一致；在待拼裝構(gòu)件上設(shè)置第二標(biāo)識(shí)點(diǎn)，所述第二標(biāo)識(shí)點(diǎn)為正三棱形的凹槽；調(diào)整所述待拼裝構(gòu)件在水平方向上的位置，令線激光光斑經(jīng)過所述第二標(biāo)識(shí)點(diǎn)；...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于內(nèi)存測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于批量內(nèi)存條獨(dú)立控溫測(cè)試的裝置，包括測(cè)試主板，設(shè)置有多個(gè)相互并列的內(nèi)存條測(cè)試工位；內(nèi)存條測(cè)試工位用于安裝待測(cè)試的內(nèi)存條；多個(gè)調(diào)溫片呈扁條狀，并與多個(gè)內(nèi)存條測(cè)試工位交替排列；在調(diào)溫片的相對(duì)兩側(cè)具有調(diào)溫...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及大模型軟硬件系統(tǒng)測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，公開一種用于大模型軟硬件系統(tǒng)的測(cè)試方法及測(cè)試裝置、電子設(shè)備。測(cè)試方法包括：根據(jù)用戶的測(cè)試需求，確定目標(biāo)測(cè)試指標(biāo)；在標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試代碼中插入目標(biāo)測(cè)試指標(biāo)對(duì)應(yīng)的測(cè)試探針；在大模型軟硬件系統(tǒng)上運(yùn)行插入測(cè)試探針后的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種投產(chǎn)驗(yàn)證方法、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)以及程序產(chǎn)品，涉及互聯(lián)網(wǎng)軟件技術(shù)領(lǐng)域，包括：獲取目標(biāo)應(yīng)用的若干個(gè)接口驗(yàn)證用例，并根據(jù)所述若干個(gè)接口驗(yàn)證用例，構(gòu)建出驗(yàn)證用例列表；根據(jù)所述驗(yàn)證用例列表，向所述目標(biāo)應(yīng)用發(fā)送接口請(qǐng)求，以對(duì)所述目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種存儲(chǔ)系統(tǒng)的測(cè)試系統(tǒng)、方法、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及自動(dòng)化測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，該系統(tǒng)包括電源分配單元與測(cè)試組件，通過測(cè)試組件對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試過程中控制電源分配單元對(duì)存儲(chǔ)組件進(jìn)行上電和下電，并在測(cè)試開始時(shí)啟動(dòng)狀態(tài)監(jiān)控程序和超時(shí)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種可執(zhí)行原位存儲(chǔ)邏輯運(yùn)算的10T1C SRAM單元結(jié)構(gòu)，包括10個(gè)MOS晶體管；一個(gè)中轉(zhuǎn)存儲(chǔ)電容，其中M1～M6構(gòu)成存儲(chǔ)部分，M7～M10構(gòu)成計(jì)算部分；PMOS管M1與NMOS管M2、以及PMOS管M3與NMOS管M4形成兩個(gè)...
								
            
							
            
							
						
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          技術(shù)分類
          
                  
          
                      
                  
          
                
          
            
          
          
          
      
          
    
          
    
    

























































































































































 
 
    







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