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            拖動滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		信息存儲應(yīng)用技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發(fā)明公開了一種存儲器，包括由多個OTP單元組成的存儲陣列。OTP單元包括由NMOS管組成的選擇管以及由PMOS管組成存儲管。選擇管的源極作為OTP單元的位線端。選擇管的漏極連接存儲管的漏極。存儲管的源極作為OTP單元的源線端。選擇管的柵極...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及半導(dǎo)體電路設(shè)計領(lǐng)域，涉及一種感測放大電路和數(shù)據(jù)讀出方法，包括：第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管和第二NMOS管；第一控制MOS管用于根據(jù)控制信號向第一PMOS管提供偏置電壓；第二控制MOS管用于根據(jù)控制信號向第二PM...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及相變存儲器的操作方法、相應(yīng)的裝置和計算機程序產(chǎn)品。一種PCM裝置包括排列在區(qū)塊中的單元，其中一組單元通過相應(yīng)的寫入操作寫入。確定：第一值，其指示同一區(qū)塊中的要在公共寫入時間在相應(yīng)寫入操作中寫入的單元；以及第二值，其指示要在共同寫入...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種參考電壓控制的等化輸入數(shù)據(jù)緩沖電路。參考電壓控制的等化輸入數(shù)據(jù)緩沖電路包括第一放大器、第二放大器、回授信號產(chǎn)生器、參考電壓轉(zhuǎn)換器、參考電壓多任務(wù)電路及增益控制單元。第一放大器用于接收數(shù)據(jù)信號及參考電壓。第二放大器耦接于第一放...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種適用于民航機載設(shè)備的存儲器件壽命延長設(shè)備及方法，設(shè)備包括：儲能電路，用于在外部電源丟失時為設(shè)備提供電能；掉電監(jiān)測告警電路，用于實時監(jiān)控設(shè)備電源狀態(tài)，并在外部電源丟失時發(fā)出中斷告警信號；掉電中斷處理模塊，用于觸發(fā)數(shù)據(jù)的掉電存儲；...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種存儲器訪問方法、裝置、存儲器、設(shè)備及存儲介質(zhì)，涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：獲取多個陣列中失效位元的位置信息，采用修補算法根據(jù)失效位元的位置信息為多個陣列中的目標(biāo)陣列分派備用電路，獲得目標(biāo)陣列的預(yù)測修補結(jié)果，根據(jù)目標(biāo)陣列的預(yù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種正、負極位于卷芯同側(cè)的圓柱超級電容器及加工工藝，包括殼體、設(shè)置在殼體內(nèi)的卷芯以及設(shè)在殼體開口側(cè)的蓋板；所述卷芯的中心位置設(shè)置有卷芯中心孔，所述蓋板上設(shè)置有含注液孔的負極極柱；所述卷芯靠近蓋板的端面上設(shè)置有正極耳和負極耳，所述...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請案涉及用于模式寄存器頁面存取模式的設(shè)備、系統(tǒng)及方法。本文中所公開的實施例提供用于在半導(dǎo)體裝置(例如，存儲器裝置)中進入、保持及退出模式寄存器頁面存取MRPA模式的技術(shù)。命令用于使所述存儲器裝置在存取所述模式寄存器時進入所述MRPA模式...
								
            
							
            
							
						
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								      一種測試結(jié)構(gòu)以及測試方法，其中測試方法包括：提供測試結(jié)構(gòu)，測試結(jié)構(gòu)包括待測晶圓，待測晶圓包括非功能區(qū)，非功能區(qū)內(nèi)具有的若干待測存儲單元，各待測存儲單元包括互為反相且互鎖的第一鎖存點和第二鎖存點；進行若干次寫入操作，各次寫入操作用以實現(xiàn)第一鎖...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種非易失性3T1R1C存儲電路、矯正電路、DRAM和存算電路。非易失性3T1R1C存儲電路包括三個N型晶體管M0、M1、M2、一個稱為R0的RRAM和一個電容C0；電路連接關(guān)系如下：M0、M1、M2的柵...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種用于抗單粒子翻轉(zhuǎn)的FPGA加固系統(tǒng)，包括：SRAM型FPGA、FLASH型FPGA和FLASH存儲器；FLASH型FPGA包括一普通管腳和一SPI管腳，普通管腳與SRAM型FPGA連接，F(xiàn)LASH型FPG...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種記憶體裝置及其操作方法，記憶體裝置包含記憶體陣列，記憶體陣列包含多個記憶體單元，這些記憶體單元各自包含：記憶體單位；以及第一數(shù)目個第一晶體管，串聯(lián)耦接在記憶體單位與第一電壓端之間。記憶體裝置還包含耦接在記憶體陣列與第二電壓端之間的電...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N資源管理系統(tǒng)、方法及電子設(shè)備，其中，該系統(tǒng)包括：機器查看模塊、機器監(jiān)控模塊、故障維護模塊，通過機器查看模塊搜索并展示各個云資源的詳情信息，然后通過機器監(jiān)控模塊對各個云資源的硬件、操作系統(tǒng)核心指標(biāo)、代理程度狀態(tài)進行監(jiān)控，并基于...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種制備金剛石超級電容的方法，屬于金剛石應(yīng)用領(lǐng)域。包括以下步驟：S1：在基底材料上沉積超薄金剛石薄膜；S2：在超薄金剛石薄膜上沉積導(dǎo)電薄膜作為電容電極，將沉積有導(dǎo)電薄膜的超薄金剛石薄膜從基底材料上剝離；或，將超薄金剛石薄膜從基底...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請案系關(guān)于報告控制信息錯誤?？稍诓僮髌陂g監(jiān)測存儲器陣列的狀態(tài)。在檢測到錯誤(例如，在接收到的控制信息中)之后，所述存儲器裝置可進入第一狀態(tài)(例如，鎖定狀態(tài))并且可向主機裝置指示檢測到錯誤、在檢測到所述錯誤之前所述存儲器陣列的所述狀態(tài)和/...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域，公開了存儲器的操作方法、存儲器及存儲器系統(tǒng)，該方法包括：在第一編程循環(huán)的驗證階段，為與第一存儲單元耦接的位線提供第一位線電壓；所述第一存儲單元為與選擇字線耦接且待編程至第一編程態(tài)的存儲單元，所述第一編程循環(huán)為需要對...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種存儲器、存儲器控制方法和相應(yīng)系統(tǒng)。存儲器包括：存儲單元陣列；以及存儲單元陣列操作模塊，包括：讀操作模塊，響應(yīng)于存儲器接收到存儲單元陣列讀指令而被使能，并且用于對存儲單元陣列進行讀取操作；擦除操作模塊，響應(yīng)于存儲器接收到存儲單元陣列...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于貴金屬納米催化材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種芝麻桿衍生碳材料及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明通過將芝麻桿依次經(jīng)過清洗除雜、水熱軟化、堿洗、磷化處理、碳化處理、酸洗，最終制得芝麻桿衍生碳材料。本發(fā)明制備的生物質(zhì)衍生碳具有原料廣泛易得、工藝簡便...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明通過縮短用于傳遞加載電機的旋轉(zhuǎn)的路徑而減小了光盤驅(qū)動器的尺寸。傳輸輥(20)在處于第一輥位置時與光盤接觸并朝主軸電機(11)的位置傳送光盤，在處于第二輥位置時不接觸光盤。滑塊(70)在位于第一操作構(gòu)件位置時將傳輸輥(20)置于第一輥位...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種鋰離子電容器正極涂布的關(guān)鍵技術(shù)。該電容器以商品化活性炭和硬炭（HC）分別為正正極活性材料組裝鋰離子電容器。該發(fā)明涉及到正極涂布的關(guān)鍵技術(shù)―粘結(jié)劑體系的選擇。具體配料由如下質(zhì)量百分比含量的組分組成：正極主料88?92%、導(dǎo)電劑5...
								
            
							
            
							
						
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