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            拖動滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		信息存儲應用技術
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發明公開了一種存儲器，包括由多個OTP單元組成的存儲陣列。OTP單元包括由NMOS管組成的選擇管以及由PMOS管組成存儲管。選擇管的源極作為OTP單元的位線端。選擇管的漏極連接存儲管的漏極。存儲管的源極作為OTP單元的源線端。選擇管的柵極...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及半導體電路設計領域，涉及一種感測放大電路和數據讀出方法，包括：第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管和第二NMOS管；第一控制MOS管用于根據控制信號向第一PMOS管提供偏置電壓；第二控制MOS管用于根據控制信號向第二PM...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及相變存儲器的操作方法、相應的裝置和計算機程序產品。一種PCM裝置包括排列在區塊中的單元，其中一組單元通過相應的寫入操作寫入。確定：第一值，其指示同一區塊中的要在公共寫入時間在相應寫入操作中寫入的單元；以及第二值，其指示要在共同寫入...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種參考電壓控制的等化輸入數據緩沖電路。參考電壓控制的等化輸入數據緩沖電路包括第一放大器、第二放大器、回授信號產生器、參考電壓轉換器、參考電壓多任務電路及增益控制單元。第一放大器用于接收數據信號及參考電壓。第二放大器耦接于第一放...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種適用于民航機載設備的存儲器件壽命延長設備及方法，設備包括：儲能電路，用于在外部電源丟失時為設備提供電能；掉電監測告警電路，用于實時監控設備電源狀態，并在外部電源丟失時發出中斷告警信號；掉電中斷處理模塊，用于觸發數據的掉電存儲；...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種存儲器訪問方法、裝置、存儲器、設備及存儲介質，涉及存儲器技術領域。該方法包括：獲取多個陣列中失效位元的位置信息，采用修補算法根據失效位元的位置信息為多個陣列中的目標陣列分派備用電路，獲得目標陣列的預測修補結果，根據目標陣列的預...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種正、負極位于卷芯同側的圓柱超級電容器及加工工藝，包括殼體、設置在殼體內的卷芯以及設在殼體開口側的蓋板；所述卷芯的中心位置設置有卷芯中心孔，所述蓋板上設置有含注液孔的負極極柱；所述卷芯靠近蓋板的端面上設置有正極耳和負極耳，所述...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請案涉及用于模式寄存器頁面存取模式的設備、系統及方法。本文中所公開的實施例提供用于在半導體裝置(例如，存儲器裝置)中進入、保持及退出模式寄存器頁面存取MRPA模式的技術。命令用于使所述存儲器裝置在存取所述模式寄存器時進入所述MRPA模式...
								
            
							
            
							
						
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								      一種測試結構以及測試方法，其中測試方法包括：提供測試結構，測試結構包括待測晶圓，待測晶圓包括非功能區，非功能區內具有的若干待測存儲單元，各待測存儲單元包括互為反相且互鎖的第一鎖存點和第二鎖存點；進行若干次寫入操作，各次寫入操作用以實現第一鎖...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于集成電路技術領域，具體涉及一種非易失性3T1R1C存儲電路、矯正電路、DRAM和存算電路。非易失性3T1R1C存儲電路包括三個N型晶體管M0、M1、M2、一個稱為R0的RRAM和一個電容C0；電路連接關系如下：M0、M1、M2的柵...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于數據處理技術領域，涉及一種用于抗單粒子翻轉的FPGA加固系統，包括：SRAM型FPGA、FLASH型FPGA和FLASH存儲器；FLASH型FPGA包括一普通管腳和一SPI管腳，普通管腳與SRAM型FPGA連接，FLASH型FPG...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種記憶體裝置及其操作方法，記憶體裝置包含記憶體陣列，記憶體陣列包含多個記憶體單元，這些記憶體單元各自包含：記憶體單位；以及第一數目個第一晶體管，串聯耦接在記憶體單位與第一電壓端之間。記憶體裝置還包含耦接在記憶體陣列與第二電壓端之間的電...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供了一種資源管理系統、方法及電子設備，其中，該系統包括：機器查看模塊、機器監控模塊、故障維護模塊，通過機器查看模塊搜索并展示各個云資源的詳情信息，然后通過機器監控模塊對各個云資源的硬件、操作系統核心指標、代理程度狀態進行監控，并基于...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種制備金剛石超級電容的方法，屬于金剛石應用領域。包括以下步驟：S1：在基底材料上沉積超薄金剛石薄膜；S2：在超薄金剛石薄膜上沉積導電薄膜作為電容電極，將沉積有導電薄膜的超薄金剛石薄膜從基底材料上剝離；或，將超薄金剛石薄膜從基底...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請案系關于報告控制信息錯誤。可在操作期間監測存儲器陣列的狀態。在檢測到錯誤(例如，在接收到的控制信息中)之后，所述存儲器裝置可進入第一狀態(例如，鎖定狀態)并且可向主機裝置指示檢測到錯誤、在檢測到所述錯誤之前所述存儲器陣列的所述狀態和/...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及存儲器技術領域，公開了存儲器的操作方法、存儲器及存儲器系統，該方法包括：在第一編程循環的驗證階段，為與第一存儲單元耦接的位線提供第一位線電壓；所述第一存儲單元為與選擇字線耦接且待編程至第一編程態的存儲單元，所述第一編程循環為需要對...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種存儲器、存儲器控制方法和相應系統。存儲器包括：存儲單元陣列；以及存儲單元陣列操作模塊，包括：讀操作模塊，響應于存儲器接收到存儲單元陣列讀指令而被使能，并且用于對存儲單元陣列進行讀取操作；擦除操作模塊，響應于存儲器接收到存儲單元陣列...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于貴金屬納米催化材料技術領域，具體涉及一種芝麻桿衍生碳材料及其制備方法和應用。本發明通過將芝麻桿依次經過清洗除雜、水熱軟化、堿洗、磷化處理、碳化處理、酸洗，最終制得芝麻桿衍生碳材料。本發明制備的生物質衍生碳具有原料廣泛易得、工藝簡便...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明通過縮短用于傳遞加載電機的旋轉的路徑而減小了光盤驅動器的尺寸。傳輸輥(20)在處于第一輥位置時與光盤接觸并朝主軸電機(11)的位置傳送光盤，在處于第二輥位置時不接觸光盤。滑塊(70)在位于第一操作構件位置時將傳輸輥(20)置于第一輥位...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種鋰離子電容器正極涂布的關鍵技術。該電容器以商品化活性炭和硬炭（HC）分別為正正極活性材料組裝鋰離子電容器。該發明涉及到正極涂布的關鍵技術―粘結劑體系的選擇。具體配料由如下質量百分比含量的組分組成：正極主料88?92%、導電劑5...
								
            
							
            
							
						
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