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            拖動滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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								      本公開是關于一種錘擊保護地址確定電路、錘擊保護地址確定方法、錘擊保護電路、錘擊保護方法及電子設備，涉及集成電路技術領域。該錘擊保護地址確定電路包括：第一錘擊監(jiān)測模塊，設置于多個陣列的外部，用于在監(jiān)測到錘擊保護指令的情況下，觸發(fā)外部錘擊保護使...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種I/O驅動器、電子設備，涉及半導體技術領域，用于提高I/O驅動器的性能。I/O驅動器包括上拉電路、下拉電路以及輸入/輸出端。上拉電路耦接于電源電壓端和輸入/輸出端之間，用于根據第一控制信號生成上拉電壓。下拉電路耦接于參考...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種存儲單元和存儲器件，存儲單元包括依次堆疊的第一半導體結構、低阻硅合金化物和第二半導體結構；第一半導體結構和第二半導體結構相互交叉設置，且具有的多數載流子類型不同；低阻硅合金化物設置于第一半導體結構和第二半導體結構的交叉點處，分...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及存儲器中的差分放大器偏移。本公開包含用于存儲器中的差分放大器偏移的設備、方法及系統(tǒng)。實施例包含：存儲器單元陣列；差分放大器，其具有第一輸入及第二輸入，其中所述第一輸入可連接到目標電壓；及電容器，其耦合到所述第二輸入并經配置以存儲所...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開一種存儲器裝置、編程方法及存儲器系統(tǒng)。該存儲器裝置包括存儲單元陣列，其包括多個存儲單元及與所述多個存儲單元耦接的字線；及外圍電路被配置為在對多個存儲單元進行增量步進脈沖編程時對字線施加驗證電壓執(zhí)行對多個數據態(tài)中的第一數據態(tài)的第一驗...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝嘶诠虘B(tài)硬盤的數據存儲可靠性測試方法和系統(tǒng)。該方法包括：對目標固態(tài)硬盤執(zhí)行數據存儲可靠性測試，并提取可靠性指標數據；根據可靠性指標數據進行處理，獲得可靠性達標度系數；獲取測試所處區(qū)域的環(huán)境特征數據，處理獲得環(huán)境干擾系數；根據可靠...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種光源單元，其應用于熱輔助磁頭，熱輔助磁頭的滑塊與光源單元之間設有焊接層和止動結構，在光源單元與滑塊接合時，光源單元能隨焊接層熔化而移動并被止動結構精確限位在預設位置，這樣，光源單元的發(fā)射口與波導可以精確對準，從而提高了光源單...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明的實施方式提供一種能提高處理能力的非易失性半導體存儲裝置及存儲器系統(tǒng)。實施方式的存儲器系統(tǒng)(1)包括第1非易失性半導體存儲裝置(10)與控制器(100)。第1非易失性半導體存儲裝置(10)包含：第1電路(60)，連接于接收第2信號RE...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種超級電容器的水泥基電極制備方法，制備方法包括將石墨板、水泥、所述磁控碳纖維、所述磁控水凝膠、減水劑混合攪拌，得到水泥基漿體，將所述水泥基漿體倒入預埋導線的模具后，放置在數控線圈磁場發(fā)生系統(tǒng)中調控磁控碳纖維以及磁控水凝膠的排布...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種圖像處理算子驗證方法、設備、介質及產品，該方法包括：對預設的測試配置文件進行解析，獲得測試配置文件中待測圖像處理算子的測試配置參數；基于測試配置參數，運行待測圖像處理算子，獲得待測輸出結果；基于測試配置參數，獲取待測輸出結果所...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種柔性自支撐正極片的制備方法，該方法首先將PAN和五氧化二釩溶解于DMF溶劑中形成紡絲液，隨后通過靜電紡絲工藝制備得到納米纖維紡絲物。該紡絲物依次在空氣氣氛、惰性氣體氣氛和含氮氣體氣氛中進行多階段熱處理，最終制得柔性自支撐正極片...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種智能型、隱藏式的票卡充值回收模塊，包括儲存箱和設置在儲存箱上的充值斗，所述充值斗的內部設置有充值底板，所述儲存箱的一側設置有旋轉驅動組件，所述旋轉驅動組件用于驅動充值底板轉動，本發(fā)明涉及票卡回收技術領域。該智能型、隱藏式的票...
								
            
							
            
							
						
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								      一種多路復用器，包括多個輸入/輸出讀出放大器和邏輯電路。每個輸入/輸出讀出放大器被配置為放大并輸出正常數據和元數據。邏輯電路連接到多個輸入/輸出讀出放大器的輸出端子，并且被配置為通過邏輯運算輸出元數據。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及CAM單元檢查模塊及其檢查方法，所述CAM單元檢查模塊用于對NAND存儲器中的CAM單元進行檢查，包括：讀取電平設定部，該讀取電平設定部基于預先存儲的CAM單元讀取電平表來設定CAM單元讀取電平；特殊讀取命令執(zhí)行部，該特殊讀取命令...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種能夠削減感測次數的半導體存儲裝置。本發(fā)明的一實施方式的半導體存儲裝置具備存儲單元、連接于存儲單元的字線(WLsel)、能夠連接于存儲單元的位線、及感測放大器，該感測放大器包含第1節(jié)點(SEN)，能夠連接于位線，感測將充電到第1...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種構件拼裝方法及系統(tǒng)，所述構件拼裝方法包括以下步驟：調整線激光的光斑延伸方向與設計拼裝方向一致；在待拼裝構件上設置第二標識點，所述第二標識點為正三棱形的凹槽；調整所述待拼裝構件在水平方向上的位置，令線激光光斑經過所述第二標識點；...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于內存測試技術領域，具體涉及一種用于批量內存條獨立控溫測試的裝置，包括測試主板，設置有多個相互并列的內存條測試工位；內存條測試工位用于安裝待測試的內存條；多個調溫片呈扁條狀，并與多個內存條測試工位交替排列；在調溫片的相對兩側具有調溫...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及大模型軟硬件系統(tǒng)測試技術領域，公開一種用于大模型軟硬件系統(tǒng)的測試方法及測試裝置、電子設備。測試方法包括：根據用戶的測試需求，確定目標測試指標；在標準測試代碼中插入目標測試指標對應的測試探針；在大模型軟硬件系統(tǒng)上運行插入測試探針后的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種投產驗證方法、設備、存儲介質以及程序產品，涉及互聯(lián)網軟件技術領域，包括：獲取目標應用的若干個接口驗證用例，并根據所述若干個接口驗證用例，構建出驗證用例列表；根據所述驗證用例列表，向所述目標應用發(fā)送接口請求，以對所述目標應用進...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種可執(zhí)行原位存儲邏輯運算的10T1C SRAM單元結構，包括10個MOS晶體管；一個中轉存儲電容，其中M1～M6構成存儲部分，M7～M10構成計算部分；PMOS管M1與NMOS管M2、以及PMOS管M3與NMOS管M4形成兩個...
								
            
							
            
							
						
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