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          信息存儲應用技術
          • 公開了一種存儲器、存儲器控制方法和相應系統。存儲器包括:存儲單元陣列;以及存儲單元陣列操作模塊,包括:讀操作模塊,響應于存儲器接收到存儲單元陣列讀指令而被使能,并且用于對存儲單元陣列進行讀取操作;擦除操作模塊,響應于存儲器接收到存儲單元陣列...
          • 本發明屬于貴金屬納米催化材料技術領域,具體涉及一種芝麻桿衍生碳材料及其制備方法和應用。本發明通過將芝麻桿依次經過清洗除雜、水熱軟化、堿洗、磷化處理、碳化處理、酸洗,最終制得芝麻桿衍生碳材料。本發明制備的生物質衍生碳具有原料廣泛易得、工藝簡便...
          • 本發明通過縮短用于傳遞加載電機的旋轉的路徑而減小了光盤驅動器的尺寸。傳輸輥(20)在處于第一輥位置時與光盤接觸并朝主軸電機(11)的位置傳送光盤,在處于第二輥位置時不接觸光盤。滑塊(70)在位于第一操作構件位置時將傳輸輥(20)置于第一輥位...
          • 本發明涉及一種鋰離子電容器正極涂布的關鍵技術。該電容器以商品化活性炭和硬炭(HC)分別為正正極活性材料組裝鋰離子電容器。該發明涉及到正極涂布的關鍵技術―粘結劑體系的選擇。具體配料由如下質量百分比含量的組分組成:正極主料88?92%、導電劑5...
          • 本發明公開了一種用作超級電容器的稻殼電容炭的制法及稻殼電容炭的用法,稻殼電容器的制法包括:(1)原料預混,將稻殼炭化料、低灰分瀝青,活化劑進行破碎與混合,得到預混料。(2)活化造孔,將預混料活化處理,得到活化料;(3)酸洗除雜,將活化料依次...
          • 本申請公開了一種激光焊槍出光質量的測量方法,涉及焊接設備領域,其中,測量方法包括:在激光焊槍的測試光束照射成像片的衰減成像區域生成光束成像時,利用相機拍攝成像片,獲得成像片圖像,其中,成像片還包括背景區域和參照物區域,參照物區域內設置有至少...
          • 本發明公開了一種超級電容器及其制備方法,屬于超級電容器技術領域。針對現有超級電容器在長期充放電存在的產氣和容量降低以及電阻增加的技術問題,本發明提供了一種超級電容器,包括正極、負極和設于兩者之間的隔膜,正極為正極集流體和結合在所述正極集流體...
          • 本發明公開了一種NORD閃存耐久性拖尾位的篩選方法,包括:步驟一、對選定位進行編程擦除循環操作。各編程操作中,字線柵的第一編程電壓根據循環次數進行設置,第一編程電壓為初始編程電壓加上第一偏移電壓,第一偏移電壓用以補償字線柵的第一閾值電壓的第...
          • 柔性超級電容器長期面臨電極與凝膠電解質界面解離問題。通過在凝膠電解質上原位生長電極材料形成一體化器件可有效解決此難題并提升性能。本發明成功開發出一種緩慢反應動力學下的原位聚合策略:在聚乙烯醇/海藻酸鈉基水凝膠中添加氧化石墨烯(GO),實現苯...
          • 本發明公開了一種耐低溫超級電容器及其制備方法和應用。本發明的耐低溫超級電容器的組成包括電極、電解液、隔膜和封裝殼,電解液中的電解質為有機磷化合物,電解液的玻璃化轉變溫度為?60℃~?30℃,室溫電導率≥1.0×10? ...
          • 公開了一種位線讀出放大器和一種半導體裝置。該位線讀出放大器包括:P型讀出放大器,其包括第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管,其中,第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管電連接到第一感測使能線;N型讀出放大器,其包括第一NMOS晶體管和第二...
          • 本發明公開了一種鐵鈷雙金屬MOF電極上電沉積鈷摻雜氫氧化鎳的納米陣列材料及其制備方法,包括:通過水熱法在泡沫鎳上生長FeCo?MOF納米片陣列,并在其表面電沉積一層適量鈷摻雜的納米片狀α?Ni(OH)2晶體,成功制備了...
          • 本實施方式提供一種能夠高速執行壓縮的非易失性存儲器、存儲器系統及非易失性存儲器的控制方法。根據本實施方式,非易失性存儲器具備存儲器芯片及指令處理部。在從控制器接收到用于壓縮的第1指令的情況下,指令處理部將從存儲器芯片的第1位置讀取的數據保存...
          • 本發明涉及一種鋰離子電容器電解液和電解液添加劑的關鍵技術,可有效提高鋰離子電容器電解液的電化學性能。其主要內容為一種鹵化鋰、硅藻土和石墨粉與聚氨酯丙烯酸酯和丙烯酸單體制備的電解液添加劑,以及此添加劑與包含六氟磷酸鋰、碳酸乙烯酯和碳酸二甲酯的...
          • 本發明提供一種非易失性存儲器的自測系統以及方法,由從機通過SDA以及SCL端口接收由外部主機發送的I2C指令并進行解碼,再由BIST模塊基于解碼信息以數據?補碼形式儲存數據信息,并生成模式控制信息與數據地址信息發送MTP模塊依次執行擦除操作...
          • 本申請實施例提供了一種測試單元、處理器、片上系統和測試方法,該測試單元包括:總線從接口、輸入緩沖器和控制器;所述總線從接口,用于接收總線主接口通過功能高速總線發送的掃描輸入數據,并將所述掃描輸入數據存儲到所述輸入緩沖器;所述控制器,用于從所...
          • 本申請公開了一種火焰圖的生成方法和裝置、存儲介質及電子設備。涉及計算機技術領域,其中,該方法包括:在目標線程運行時,對所述目標線程在處理器上執行時的時間信息進行采樣,得到所述目標線程對應的第一時間占比信息;對所述目標線程被調出所述處理器和調...
          • 本公開的實施例公開了數據導入裝置。該方法的一具體實施方式包括:數據導入裝置包括數據中轉導入裝置、數據上傳裝置和光盤存儲裝置。其中,數據中轉導入裝置包括第一控制裝置、第一人機交互屏幕、識別裝置、光驅處理裝置、第一電機、第一機械臂、第一機械臂限...
          • 提供搭載了能夠將PCB配置于HDD的殼體側面的連接器的盤裝置。實施方式的盤裝置具有多個磁盤、構成為使多個磁盤旋轉的主軸馬達、以及殼體。殼體具有安裝有主軸馬達的底壁、和與底壁一體成型的側壁。還具有安裝于側壁的第1基板、和安裝于第1基板并與外部...
          • 本發明提供一種分柵存儲器陣列結構的操作方法,該存儲器操作方式基于分柵型SONOS結構,一個存儲單元由一個選擇管和兩個置于選擇管兩側的存儲管構成,兩側存儲管柵極可以共接,作為一個存儲管使用,也可以兩個存儲管分別存儲數據,增加存儲密度。寫入數據...
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