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          拖動(dòng)滑塊完成拼圖
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          信息存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)
          • 本發(fā)明公開了一種熱輔助磁頭,其包括滑塊以及設(shè)于滑塊的光源單元,通過提供中轉(zhuǎn)焊盤,且滑塊的第一光源焊盤與滑塊的第二光源焊盤并排設(shè)置于同一直線上,中轉(zhuǎn)焊盤不在該直線上,并使光源單元的第一極與第一光源焊盤電氣連接,光源單元的第二極與第二光源焊盤分...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種I/O驅(qū)動(dòng)器、電子設(shè)備,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,用于提高I/O驅(qū)動(dòng)器的性能。I/O驅(qū)動(dòng)器包括上拉電路、下拉電路以及輸入/輸出端。上拉電路耦接于電源電壓端和輸入/輸出端之間,用于根據(jù)第一控制信號(hào)生成上拉電壓。下拉電路耦接于參考...
          • 本公開是關(guān)于一種錘擊保護(hù)地址確定電路、錘擊保護(hù)地址確定方法、錘擊保護(hù)電路、錘擊保護(hù)方法及電子設(shè)備,涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域。該錘擊保護(hù)地址確定電路包括:第一錘擊監(jiān)測模塊,設(shè)置于多個(gè)陣列的外部,用于在監(jiān)測到錘擊保護(hù)指令的情況下,觸發(fā)外部錘擊保護(hù)使...
          • 本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)單元和存儲(chǔ)器件,存儲(chǔ)單元包括依次堆疊的第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、低阻硅合金化物和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu);第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相互交叉設(shè)置,且具有的多數(shù)載流子類型不同;低阻硅合金化物設(shè)置于第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的交叉點(diǎn)處,分...
          • 本發(fā)明公開了一種光源單元,其應(yīng)用于熱輔助磁頭,熱輔助磁頭的滑塊與光源單元之間設(shè)有焊接層和止動(dòng)結(jié)構(gòu),在光源單元與滑塊接合時(shí),光源單元能隨焊接層熔化而移動(dòng)并被止動(dòng)結(jié)構(gòu)精確限位在預(yù)設(shè)位置,這樣,光源單元的發(fā)射口與波導(dǎo)可以精確對(duì)準(zhǔn),從而提高了光源單...
          • 本公開涉及存儲(chǔ)器中的差分放大器偏移。本公開包含用于存儲(chǔ)器中的差分放大器偏移的設(shè)備、方法及系統(tǒng)。實(shí)施例包含:存儲(chǔ)器單元陣列;差分放大器,其具有第一輸入及第二輸入,其中所述第一輸入可連接到目標(biāo)電壓;及電容器,其耦合到所述第二輸入并經(jīng)配置以存儲(chǔ)所...
          • 本申請(qǐng)公開一種存儲(chǔ)器裝置、編程方法及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。該存儲(chǔ)器裝置包括存儲(chǔ)單元陣列,其包括多個(gè)存儲(chǔ)單元及與所述多個(gè)存儲(chǔ)單元耦接的字線;及外圍電路被配置為在對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行增量步進(jìn)脈沖編程時(shí)對(duì)字線施加驗(yàn)證電壓執(zhí)行對(duì)多個(gè)數(shù)據(jù)態(tài)中的第一數(shù)據(jù)態(tài)的第一驗(yàn)...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝嘶诠虘B(tài)硬盤的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性測試方法和系統(tǒng)。該方法包括:對(duì)目標(biāo)固態(tài)硬盤執(zhí)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性測試,并提取可靠性指標(biāo)數(shù)據(jù);根據(jù)可靠性指標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理,獲得可靠性達(dá)標(biāo)度系數(shù);獲取測試所處區(qū)域的環(huán)境特征數(shù)據(jù),處理獲得環(huán)境干擾系數(shù);根據(jù)可靠...
          • 本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種能提高處理能力的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)(1)包括第1非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(10)與控制器(100)。第1非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(10)包含:第1電路(60),連接于接收第2信號(hào)RE...
          • 本發(fā)明公開一種圖像處理算子驗(yàn)證方法、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品,該方法包括:對(duì)預(yù)設(shè)的測試配置文件進(jìn)行解析,獲得測試配置文件中待測圖像處理算子的測試配置參數(shù);基于測試配置參數(shù),運(yùn)行待測圖像處理算子,獲得待測輸出結(jié)果;基于測試配置參數(shù),獲取待測輸出結(jié)果所...
          • 本發(fā)明公開了一種超級(jí)電容器的水泥基電極制備方法,制備方法包括將石墨板、水泥、所述磁控碳纖維、所述磁控水凝膠、減水劑混合攪拌,得到水泥基漿體,將所述水泥基漿體倒入預(yù)埋導(dǎo)線的模具后,放置在數(shù)控線圈磁場發(fā)生系統(tǒng)中調(diào)控磁控碳纖維以及磁控水凝膠的排布...
          • 本發(fā)明公開一種柔性自支撐正極片的制備方法,該方法首先將PAN和五氧化二釩溶解于DMF溶劑中形成紡絲液,隨后通過靜電紡絲工藝制備得到納米纖維紡絲物。該紡絲物依次在空氣氣氛、惰性氣體氣氛和含氮?dú)怏w氣氛中進(jìn)行多階段熱處理,最終制得柔性自支撐正極片...
          • 一種多路復(fù)用器,包括多個(gè)輸入/輸出讀出放大器和邏輯電路。每個(gè)輸入/輸出讀出放大器被配置為放大并輸出正常數(shù)據(jù)和元數(shù)據(jù)。邏輯電路連接到多個(gè)輸入/輸出讀出放大器的輸出端子,并且被配置為通過邏輯運(yùn)算輸出元數(shù)據(jù)。
          • 本發(fā)明公開了一種智能型、隱藏式的票卡充值回收模塊,包括儲(chǔ)存箱和設(shè)置在儲(chǔ)存箱上的充值斗,所述充值斗的內(nèi)部設(shè)置有充值底板,所述儲(chǔ)存箱的一側(cè)設(shè)置有旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件,所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件用于驅(qū)動(dòng)充值底板轉(zhuǎn)動(dòng),本發(fā)明涉及票卡回收技術(shù)領(lǐng)域。該智能型、隱藏式的票...
          • 本發(fā)明涉及CAM單元檢查模塊及其檢查方法,所述CAM單元檢查模塊用于對(duì)NAND存儲(chǔ)器中的CAM單元進(jìn)行檢查,包括:讀取電平設(shè)定部,該讀取電平設(shè)定部基于預(yù)先存儲(chǔ)的CAM單元讀取電平表來設(shè)定CAM單元讀取電平;特殊讀取命令執(zhí)行部,該特殊讀取命令...
          • 本發(fā)明提供一種能夠削減感測次數(shù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。本發(fā)明的一實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備存儲(chǔ)單元、連接于存儲(chǔ)單元的字線(WLsel)、能夠連接于存儲(chǔ)單元的位線、及感測放大器,該感測放大器包含第1節(jié)點(diǎn)(SEN),能夠連接于位線,感測將充電到第1...
          • 本申請(qǐng)涉及大模型軟硬件系統(tǒng)測試技術(shù)領(lǐng)域,公開一種用于大模型軟硬件系統(tǒng)的測試方法及測試裝置、電子設(shè)備。測試方法包括:根據(jù)用戶的測試需求,確定目標(biāo)測試指標(biāo);在標(biāo)準(zhǔn)測試代碼中插入目標(biāo)測試指標(biāo)對(duì)應(yīng)的測試探針;在大模型軟硬件系統(tǒng)上運(yùn)行插入測試探針后的...
          • 本申請(qǐng)公開了一種投產(chǎn)驗(yàn)證方法、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)以及程序產(chǎn)品,涉及互聯(lián)網(wǎng)軟件技術(shù)領(lǐng)域,包括:獲取目標(biāo)應(yīng)用的若干個(gè)接口驗(yàn)證用例,并根據(jù)所述若干個(gè)接口驗(yàn)證用例,構(gòu)建出驗(yàn)證用例列表;根據(jù)所述驗(yàn)證用例列表,向所述目標(biāo)應(yīng)用發(fā)送接口請(qǐng)求,以對(duì)所述目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)...
          • 本發(fā)明公開了一種可執(zhí)行原位存儲(chǔ)邏輯運(yùn)算的10T1C SRAM單元結(jié)構(gòu),包括10個(gè)MOS晶體管;一個(gè)中轉(zhuǎn)存儲(chǔ)電容,其中M1~M6構(gòu)成存儲(chǔ)部分,M7~M10構(gòu)成計(jì)算部分;PMOS管M1與NMOS管M2、以及PMOS管M3與NMOS管M4形成兩個(gè)...
          • 本發(fā)明屬于內(nèi)存測試技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種用于批量內(nèi)存條獨(dú)立控溫測試的裝置,包括測試主板,設(shè)置有多個(gè)相互并列的內(nèi)存條測試工位;內(nèi)存條測試工位用于安裝待測試的內(nèi)存條;多個(gè)調(diào)溫片呈扁條狀,并與多個(gè)內(nèi)存條測試工位交替排列;在調(diào)溫片的相對(duì)兩側(cè)具有調(diào)溫...
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