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          信息存儲應(yīng)用技術(shù)
          • 本發(fā)明提供了一種測試機(jī)的硬件健康監(jiān)測方法、系統(tǒng)、設(shè)備和介質(zhì)。其中,該方法包括:根據(jù)第一檢測規(guī)則獲取測試機(jī)的待監(jiān)測硬件的溫度數(shù)據(jù)和磁盤的健康狀態(tài),待監(jiān)測硬件包括控制器、機(jī)箱、磁盤;基于待監(jiān)測硬件的溫度數(shù)據(jù)和/或磁盤的健康狀態(tài)是否滿足預(yù)設(shè)的條件...
          • 本發(fā)明涉及一種RISCV處理器系統(tǒng)的仿真系統(tǒng)及過程程序加載方法,屬于仿真測試領(lǐng)域。本發(fā)明系統(tǒng)包括:Test_top模塊、RISCV處理器模塊、總線結(jié)構(gòu)模塊、FLASH模型、外設(shè)單元以及iRAM模塊。本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)從復(fù)位開始的全流程仿真測試;...
          • 本申請?zhí)峁┝艘环N存儲器檢測裝置、存儲器檢測方法和相關(guān)設(shè)備。該存儲器檢測裝置包括:多個(gè)寄存器和處理模塊,該多個(gè)寄存器用于存儲存儲器中待檢測的端口個(gè)數(shù)、循環(huán)次數(shù)N、多個(gè)地址跳變方式、多個(gè)數(shù)據(jù)類型、多個(gè)操作組。該處理模塊用于:對存儲器的每個(gè)待檢測...
          • 一種基于傅里葉并行單像素的高光反射表面偏折測量方法,包括采用LCD投射多頻多向傅里葉基底圖案,通過CCD采集待測表面反射光場,利用傅里葉單像素成像原理解析各像素點(diǎn)的光場強(qiáng)度分布,通過引入閾值分割技術(shù)濾除漫反射干擾信息,結(jié)合二維插值實(shí)現(xiàn)亞像素...
          • 本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種基于冗余存儲的多層級數(shù)據(jù)恢復(fù)系統(tǒng)及方法,系統(tǒng)包括:檢測模塊,用以檢測數(shù)據(jù)的使用參數(shù)以及各節(jié)點(diǎn)的CPU占用率;存儲模塊;分析模塊,用以根據(jù)數(shù)據(jù)熱度值對數(shù)據(jù)的存儲位置進(jìn)行判定,響應(yīng)于進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù),分析模塊根...
          • 提供能夠提高基體的端面與外罩的結(jié)合強(qiáng)度的盤裝置。本實(shí)施方式的盤裝置具備磁盤、基體、膜、內(nèi)罩以及外罩。所述基體設(shè)置有內(nèi)部空間,并具有包圍所述磁盤的第1內(nèi)表面、與第1方向上的所述第1內(nèi)表面的端連接的支承面、比所述第1內(nèi)表面遠(yuǎn)離所述磁盤的旋轉(zhuǎn)軸并...
          • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置以及傳感器裝置。其對修正用存儲器的劣化進(jìn)行檢測。該半導(dǎo)體裝置具備:修正用存儲器,其存儲有對修正對象進(jìn)行修正的修正用數(shù)據(jù);修正部,其使用從修正用存儲器讀取出的修正用數(shù)據(jù),對傳感器元件的檢測值進(jìn)行修正;診斷部,其使用從修...
          • 本發(fā)明公開了一種轉(zhuǎn)運(yùn)箱和存儲設(shè)備,所述轉(zhuǎn)運(yùn)箱包括:箱體、存儲盒以及第一鎖體,所述箱體圍設(shè)形成存儲空間,所述存儲盒設(shè)于所述存儲空間內(nèi),所述箱體開設(shè)連通所述存儲空間的取放口,所述第一鎖體包括鎖芯和鎖緊件,所述鎖芯包括向所述鎖緊件延伸的抵壓件,所...
          • 本公開的方面對例如存儲器子系統(tǒng)控制器等系統(tǒng)組件進(jìn)行配置以修改用以對存儲器組件進(jìn)行編程的脈沖。所述控制器接收對在一組存儲器組件中的個(gè)別存儲器組件中對數(shù)據(jù)進(jìn)行編程的請求。所述控制器計(jì)算與所述個(gè)別存儲器組件相關(guān)聯(lián)的多個(gè)存儲器可靠性準(zhǔn)則,且將所述多...
          • 本發(fā)明涉及車輛技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種油氣懸架總成及車輛。在油氣懸架總成中,第一油氣彈簧主要承受垂向力,主要起減震緩沖和轉(zhuǎn)向主銷的作用,進(jìn)而可有效防止第一油氣彈簧的活塞桿斷裂,提高油氣懸架的使用安全性和可靠性。由于現(xiàn)有的油氣彈簧通常設(shè)置在車橋...
          • 本申請屬于傳感器制造技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種用于制作光電傳感器發(fā)射端的安裝殼,包括殼本體,殼本體上設(shè)有進(jìn)光口和出光口,進(jìn)光口的軸線與出光口的軸線之間具有夾角且位于同一平面A內(nèi),進(jìn)光口的軸線與殼本體內(nèi)背向出光口的側(cè)壁A之間的夾角等于出光口的軸線與...
          • 本發(fā)明公開了一種非接觸測量不透光光學(xué)平面零件平行和垂直的方法,采用旋轉(zhuǎn)平臺、自準(zhǔn)直儀和基準(zhǔn)光學(xué)四方體測量零件平行拋光面的平行度和垂直拋光面的垂直度,旋轉(zhuǎn)平臺能夠調(diào)整水平度和自轉(zhuǎn),基準(zhǔn)光學(xué)四方體擺放在旋轉(zhuǎn)平臺表面,自準(zhǔn)直儀水平設(shè)置在基準(zhǔn)光學(xué)四...
          • 本實(shí)用新型理療設(shè)備生產(chǎn)加工技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種滑道組裝工裝,邊框,邊框呈匚字形截面的管道,邊框的側(cè)壁面活動(dòng)連接有滾軸,滾軸呈圓柱狀,滾軸的兩側(cè)壁面對稱設(shè)置邊框,組裝結(jié)構(gòu),組裝結(jié)構(gòu)設(shè)置在邊框的壁面用于將滾軸和邊框組裝,組裝結(jié)構(gòu)包括:滑塊、轉(zhuǎn)槽...
          • 本發(fā)明涉及鋰離子電池膜片技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種用于混合型電容器的干法電極及其制備方法。包括以下步驟:步驟1:將改性活性材料、導(dǎo)電劑、復(fù)合粘結(jié)劑混合,攪拌,原纖化,得到干混合料;步驟2:將干混合料進(jìn)行造粒、分級輥壓,得到干法自支撐膜;步驟3:將...
          • 本發(fā)明公開了一種基于數(shù)據(jù)分析的擴(kuò)展塢檢測方法及系統(tǒng),涉及電子設(shè)備維護(hù)技術(shù)領(lǐng)域,當(dāng)接收到急停信號后,對擴(kuò)展塢進(jìn)行停機(jī)處理并記錄停機(jī)前的狀態(tài)數(shù)據(jù),這能在擴(kuò)展塢出現(xiàn)異常時(shí),保存關(guān)鍵的運(yùn)行信息。基于卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)構(gòu)建檢測模型,并通過迭代獲取參數(shù)配置優(yōu)...
          • 本發(fā)明提供了一種雙面聲波協(xié)同調(diào)控的聲學(xué)超結(jié)構(gòu)及其設(shè)計(jì)方法,解決現(xiàn)有聲學(xué)超材料只能實(shí)現(xiàn)單側(cè)波調(diào)控,無法實(shí)現(xiàn)雙側(cè)波調(diào)控的技術(shù)問題。一種雙面聲波協(xié)同調(diào)控的聲學(xué)超結(jié)構(gòu)包括多個(gè)陣列排布的聲學(xué)單元;聲學(xué)單元為Ω型亥姆霍茲共鳴器,且Ω型亥姆霍茲共鳴器的聲...
          • 本發(fā)明公開了一種用于高效讀取數(shù)據(jù)的光盤存儲裝置,包括;柜體,所述柜體內(nèi)側(cè)的頂部和底部均固定連接有框架,所述柜體背端的頂部和底部均固定連接有空心板,所述框架的內(nèi)側(cè)滑動(dòng)連接有儲存機(jī)構(gòu),所述儲存機(jī)構(gòu)包括滑板、放置板、凹槽盤和把手,所述框架的內(nèi)側(cè)滑...
          • 本實(shí)用新型公開了一種計(jì)算機(jī)硬件消磁設(shè)備,屬于消磁設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,包括消磁機(jī),其中滑動(dòng)設(shè)有消磁抽屜,其中,所述消磁抽屜包括屜框,屜框中滑動(dòng)設(shè)有活動(dòng)置物板,且屜框側(cè)面設(shè)有與活動(dòng)置物板連接的復(fù)位件,同時(shí),屜框側(cè)面設(shè)有用以卡接復(fù)位件的自動(dòng)鎖止件。其技...
          • 本發(fā)明公開了一種批量調(diào)度系統(tǒng)的報(bào)錯(cuò)處理方法、裝置、電子設(shè)備和存儲介質(zhì),涉及系統(tǒng)運(yùn)維領(lǐng)域,該方法包括:響應(yīng)于獲取到批量調(diào)度系統(tǒng)的切片回傳圖像,通過視覺變換器獲取切片回傳圖像的報(bào)錯(cuò)類型;通過模糊搜索方式從報(bào)錯(cuò)案例庫中獲取與報(bào)錯(cuò)類型對應(yīng)的報(bào)錯(cuò)案例...
          • 本發(fā)明公開一種存內(nèi)計(jì)算陣列及其操作方法,屬于半導(dǎo)體和CMOS混合集成電路技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明設(shè)計(jì)了一種基于亞閾值電流的2T1R存內(nèi)計(jì)算陣列,該陣列中每個(gè)單元由一個(gè)憶阻器、一個(gè)選通管T1和一個(gè)讀出管T2組成,寫入和擦除操作與1T1R陣列架構(gòu)類似,...
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