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            拖動滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		信息存儲應用技術
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      一種測試結構以及測試方法，其中測試方法包括：提供測試結構，測試結構包括待測晶圓，待測晶圓包括非功能區，非功能區內具有的若干待測存儲單元，各待測存儲單元包括互為反相且互鎖的第一鎖存點和第二鎖存點；進行若干次寫入操作，各次寫入操作用以實現第一鎖...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于集成電路技術領域，具體涉及一種非易失性3T1R1C存儲電路、矯正電路、DRAM和存算電路。非易失性3T1R1C存儲電路包括三個N型晶體管M0、M1、M2、一個稱為R0的RRAM和一個電容C0；電路連接關系如下：M0、M1、M2的柵...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于數據處理技術領域，涉及一種用于抗單粒子翻轉的FPGA加固系統，包括：SRAM型FPGA、FLASH型FPGA和FLASH存儲器；FLASH型FPGA包括一普通管腳和一SPI管腳，普通管腳與SRAM型FPGA連接，FLASH型FPG...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種記憶體裝置及其操作方法，記憶體裝置包含記憶體陣列，記憶體陣列包含多個記憶體單元，這些記憶體單元各自包含：記憶體單位；以及第一數目個第一晶體管，串聯耦接在記憶體單位與第一電壓端之間。記憶體裝置還包含耦接在記憶體陣列與第二電壓端之間的電...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供了一種資源管理系統、方法及電子設備，其中，該系統包括：機器查看模塊、機器監控模塊、故障維護模塊，通過機器查看模塊搜索并展示各個云資源的詳情信息，然后通過機器監控模塊對各個云資源的硬件、操作系統核心指標、代理程度狀態進行監控，并基于...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種制備金剛石超級電容的方法，屬于金剛石應用領域。包括以下步驟：S1：在基底材料上沉積超薄金剛石薄膜；S2：在超薄金剛石薄膜上沉積導電薄膜作為電容電極，將沉積有導電薄膜的超薄金剛石薄膜從基底材料上剝離；或，將超薄金剛石薄膜從基底...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請案系關于報告控制信息錯誤。可在操作期間監測存儲器陣列的狀態。在檢測到錯誤(例如，在接收到的控制信息中)之后，所述存儲器裝置可進入第一狀態(例如，鎖定狀態)并且可向主機裝置指示檢測到錯誤、在檢測到所述錯誤之前所述存儲器陣列的所述狀態和/...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及存儲器技術領域，公開了存儲器的操作方法、存儲器及存儲器系統，該方法包括：在第一編程循環的驗證階段，為與第一存儲單元耦接的位線提供第一位線電壓；所述第一存儲單元為與選擇字線耦接且待編程至第一編程態的存儲單元，所述第一編程循環為需要對...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種存儲器、存儲器控制方法和相應系統。存儲器包括：存儲單元陣列；以及存儲單元陣列操作模塊，包括：讀操作模塊，響應于存儲器接收到存儲單元陣列讀指令而被使能，并且用于對存儲單元陣列進行讀取操作；擦除操作模塊，響應于存儲器接收到存儲單元陣列...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于貴金屬納米催化材料技術領域，具體涉及一種芝麻桿衍生碳材料及其制備方法和應用。本發明通過將芝麻桿依次經過清洗除雜、水熱軟化、堿洗、磷化處理、碳化處理、酸洗，最終制得芝麻桿衍生碳材料。本發明制備的生物質衍生碳具有原料廣泛易得、工藝簡便...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明通過縮短用于傳遞加載電機的旋轉的路徑而減小了光盤驅動器的尺寸。傳輸輥(20)在處于第一輥位置時與光盤接觸并朝主軸電機(11)的位置傳送光盤，在處于第二輥位置時不接觸光盤。滑塊(70)在位于第一操作構件位置時將傳輸輥(20)置于第一輥位...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種鋰離子電容器正極涂布的關鍵技術。該電容器以商品化活性炭和硬炭（HC）分別為正正極活性材料組裝鋰離子電容器。該發明涉及到正極涂布的關鍵技術―粘結劑體系的選擇。具體配料由如下質量百分比含量的組分組成：正極主料88?92%、導電劑5...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種用作超級電容器的稻殼電容炭的制法及稻殼電容炭的用法，稻殼電容器的制法包括：(1)原料預混，將稻殼炭化料、低灰分瀝青，活化劑進行破碎與混合，得到預混料。(2)活化造孔，將預混料活化處理，得到活化料；(3)酸洗除雜，將活化料依次...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種激光焊槍出光質量的測量方法，涉及焊接設備領域，其中，測量方法包括：在激光焊槍的測試光束照射成像片的衰減成像區域生成光束成像時，利用相機拍攝成像片，獲得成像片圖像，其中，成像片還包括背景區域和參照物區域，參照物區域內設置有至少...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種超級電容器及其制備方法，屬于超級電容器技術領域。針對現有超級電容器在長期充放電存在的產氣和容量降低以及電阻增加的技術問題，本發明提供了一種超級電容器，包括正極、負極和設于兩者之間的隔膜，正極為正極集流體和結合在所述正極集流體...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種NORD閃存耐久性拖尾位的篩選方法，包括：步驟一、對選定位進行編程擦除循環操作。各編程操作中，字線柵的第一編程電壓根據循環次數進行設置，第一編程電壓為初始編程電壓加上第一偏移電壓，第一偏移電壓用以補償字線柵的第一閾值電壓的第...
								
            
							
            
							
						
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								      柔性超級電容器長期面臨電極與凝膠電解質界面解離問題。通過在凝膠電解質上原位生長電極材料形成一體化器件可有效解決此難題并提升性能。本發明成功開發出一種緩慢反應動力學下的原位聚合策略：在聚乙烯醇/海藻酸鈉基水凝膠中添加氧化石墨烯(GO)，實現苯...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種耐低溫超級電容器及其制備方法和應用。本發明的耐低溫超級電容器的組成包括電極、電解液、隔膜和封裝殼，電解液中的電解質為有機磷化合物，電解液的玻璃化轉變溫度為?60℃～?30℃，室溫電導率≥1.0×10?
...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種位線讀出放大器和一種半導體裝置。該位線讀出放大器包括：P型讀出放大器，其包括第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管，其中，第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管電連接到第一感測使能線；N型讀出放大器，其包括第一NMOS晶體管和第二...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種鐵鈷雙金屬MOF電極上電沉積鈷摻雜氫氧化鎳的納米陣列材料及其制備方法，包括：通過水熱法在泡沫鎳上生長FeCo?MOF納米片陣列，并在其表面電沉積一層適量鈷摻雜的納米片狀α?Ni(OH)2晶體，成功制備了...
								
            
							
            
							
						
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