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								      一種非易失性數據保持電路包括：互補鎖存器，被配置為當處于寫入模式時，生成并存儲對應于輸入信號的互補非易失性自旋狀態，并且當處于讀取模式時，同時生成對應于互補非易失性自旋狀態的第一充電電流信號和第二充電電流信號；以及差分放大器，耦合到互補鎖存...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種自控輸入數據緩沖電路，包括第一放大器、第二放大器、回授信號產生器以及增益控制單元。第一放大器包括用以接收數據信號的第一輸入端，用以接收參考信號的第二輸入端，第一輸出端及第二輸出端。第二放大器耦接于第一放大器的第一輸出端及第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開是關于一種刷新地址計數電路、刷新地址計數方法、刷新地址讀寫電路及電子設備，涉及集成電路技術領域。該刷新地址計數電路包括：自振蕩時鐘產生模塊，用于在獲取到刷新信號后，在每個刷新周期內，根據陣列激活信號產生自振蕩時鐘信號；自振蕩屏蔽模塊，...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供一種數據采樣電路的布局結構及方法。該布局結構包括：多個數據信號模塊，多個數據信號模塊沿第一方向間隔排布；選通信號模塊，用于產生選通信號，數據采樣電路用于根據選通信號從數據信號模塊讀取數據信號，或者將數據信號寫入數據信號模塊；多根信...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供一種功耗預測方法、裝置、設備及存儲介質，可應用于設備內存功耗預測，該方法包括：獲取設備存儲器在目標場景下的指令數據，指令數據用于指示存儲器在預設時段內的狀態變化；根據指令數據確定在預設時段內存儲器的每個狀態對應的功耗；根據預設時段...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明的技術方案是提供了一種比特交錯結構下可消除半選擇干擾的超低電壓SRAM單元，其特征在于，包括一組反相器環，兩個N型寫晶體管NM1、NM2，兩個P型寫晶體管PM1、PM2和兩個N型晶體管NM3、NM4組成的讀出路徑。本發明可以被應用于超...
								
            
							
            
							
						
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								      根據實施例，一種用于表征非易失性存儲器的方法包括：在導電地耦合到非易失性存儲器單元的字線上施加第一電壓，以及響應于施加第一電壓來測量流過非易失性存儲器單元的電流。測量電流包括：使用感測放大器，將流過非易失性存儲器單元的電流與由可調節電流源生...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種鈉基電池型超級電容器及其制備方法，所述鈉基電池型超級電容器包括正極、負極、隔膜和電解液，所述正負極包括正負極復配活性材料、導電劑和粘結劑，所述正負極復配活性材料包括正負極離子脫嵌型活性材料和包覆在所述正負極離子脫嵌型活性材料...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于超級電容器技術領域，公開了基于金納米顆粒與羧基化碳納米管的聚吡咯柔性復合電極及其制備方法和應用。本發明以羧基化碳納米管與聚吡咯制備了羧基化碳納米管/聚吡咯復合材料，通過引入AuNPs與CNTs?COOH、PPy構建三元協同體系，制...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種選擇數據可擴展的單電源存算一體數據選擇器，其包括：預充電路，其輸入端連接至電源信號輸入端、控制端接入預充控制信號、輸出端與輸出驅動電路的輸入端連接；至少兩個基本數據輸入電路，每個基本數據輸入電路由一個鐵電晶體管、一個nMOS...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種數字存算電路、字線輸入切換電路及數字存算系統，該數字存算電路包括：第一開關管、第二開關管以及鎖存電路；第一開關管的第一端連接位線，第一開關管的第二端連接第二開關管的第一端以及運算輸出端；第二開關管的控制端連接字線；第一開關管...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請案涉及微電子裝置及相關方法及存儲器裝置。一種微電子裝置包含：存儲器陣列結構；額外存儲器陣列結構，其在存儲器陣列結構之上且附接到存儲器陣列結構；及控制電路系統結構，其在額外存儲器陣列結構之上且附接到額外存儲器陣列結構。存儲器陣列結構包含...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種相變存儲器的數據訪問方法、相關設備及存儲介質。在本申請實施例中，在PCM的控制器中增加少量的SRAM資源，在寫階段，利用SRAM提供的位圖可以對各個粗粒度單位時間是否發生寫操作進行記錄；利用SRAM提供的布隆過濾器可以對...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種針對UHS PSRAM的刷新方法及裝置。方法包括：基于UHS PSRAM兩次刷新之間的最大時間間隔，確定猝發讀寫操作的最大猝發長度；基于UHS PSRAM控制器不斷接收外部設備發送的猝發讀寫請求；針對接收到的當前猝發讀寫請求...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種本發明所提供的磁性存儲單元，從下至上依次包括磁性參考層、隧道層、磁性自由層及蓋帽層；所述磁性自由層包括多個存儲結構單元；所述存儲結構單元從下至上依次包括第一鐵磁性層、非磁性金屬間隔層、第二鐵磁性層及氧化物界面層；所述磁性自由...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種編譯方法、編譯電路、模式寄存器和存儲器，該編譯方法包括：接收待編譯信號和電阻匹配信號；對待編譯信號進行編譯處理，得到編譯結果信號；在待編譯信號為預留碼的情況下，基于電阻匹配信號對編譯結果信號進行兼容選擇處理，確定第一編...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及微電子裝置及相關方法和存儲器裝置。一種微電子裝置包含存儲器陣列結構、在所述存儲器陣列結構之上并附接到其上的額外存儲器陣列結構，及在所述額外存儲器陣列結構之上并附接到其上的控制電路系統結構。所述存儲器陣列結構包含具有存儲器單元的陣列...
								
            
							
            
							
						
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								      一種鐵摻雜的柔性超級電容器電極，包括基體和電極漿料，電極漿料粘接在基體上；電極漿料包括40?60重量份的鐵摻雜的石墨和2?10重量份的粘接樹脂；鐵摻雜的石墨包括一階和二階插層的三氯化鐵插層石墨，鐵摻雜的石墨的粒徑在600?5000目之間；電...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種多孔碳納米纖維/多孔泡沫石墨烯/聚吡咯三元電極材料的制備方法，其包括如下步驟：1)多孔碳納米纖維的制備；2)多孔泡沫石墨烯的制備；3)將多孔碳納米纖維、多孔泡沫石墨烯、聚吡咯、乙炔黑和PTFE混合在無水乙醇中，超聲分散40m...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種基于3D打印的結構超級電容器及其制備方法，屬于結構超級電容器領域。該結構超級電容器由兩個碳纖維電極構成，所述兩個碳纖維電極上分別通過3D打印方式在表面分別形成帶有榫頭和榫眼微陣列的特定結構，使兩碳纖維電極組合成榫卯結構后，不...
								
            
							
            
							
						
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