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          • 本公開提供一種薄膜晶體管,包括設(shè)置在襯底基板上的柵極和有源層,所述柵極與所述有源層絕緣間隔;所述有源層包括與所述柵極相對設(shè)置的溝道部,所述溝道部包括:第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層,所述第二半導(dǎo)體層位于所述第一半導(dǎo)體層靠近所述柵極的一側(cè);所述第...
          • 本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及其制作方法、電子設(shè)備,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。半導(dǎo)體器件包括基于GaN的HEMT器件,其中HEMT器件包括:襯底、寄生溝道層、外延層和電極層;寄生溝道層和外延層沿襯底的厚度方向且遠(yuǎn)離襯底的方向依次設(shè)置于襯底上;電極層設(shè)...
          • 本申請?zhí)峁┝艘环N數(shù)據(jù)處理方法、電子設(shè)備及可讀存儲介質(zhì),涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域。本申請?zhí)峁┑臄?shù)據(jù)處理方法中,在第一模型的第一網(wǎng)絡(luò)層對其輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行第一運算的過程中,如果第一運算得到的運算結(jié)果超出電子設(shè)備采用的浮點格式所對應(yīng)的數(shù)據(jù)范圍,則將第一運...
          • 本申請公開了一種文本處理方法、裝置、設(shè)備、存儲介質(zhì)及程序產(chǎn)品,涉及計算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括:獲取限制詞庫;基于限制詞庫對待分析文本進(jìn)行查找,從待分析文本中匹配得到文本限制詞匯;根據(jù)限制詞匯在限制詞組中表達(dá)的情感狀態(tài),對文本限制詞匯進(jìn)行負(fù)向...
          • 本發(fā)明提供了一種基于知識挖掘技術(shù)的高效縫洞型油藏知識管理系統(tǒng)及方法,該系統(tǒng)包括知識獲取模塊、知識存儲模塊、應(yīng)用輔助模塊、應(yīng)用管理模塊和可視化展示模塊,知識存儲模塊包括專業(yè)詞詞庫,提供設(shè)定開發(fā)工藝和配套工藝的多類型專業(yè)詞匯,為系統(tǒng)實現(xiàn)文件處理...
          • 本申請公開了一種機(jī)器人交互控制方法、服務(wù)器、客戶端和機(jī)器人,屬于人工智能技術(shù)領(lǐng)域。方法包括:客戶端接收用戶行為信息,將用戶行為信息發(fā)送至服務(wù)器;服務(wù)器根據(jù)用戶行為信息識別交互的場景類型,將與場景類型匹配的提示信息和用戶行為信息輸入至預(yù)設(shè)的語...
          • 本發(fā)明是一種基于多池注意力機(jī)制的預(yù)訓(xùn)練問答事件抽取方法。該方法包括以下步驟:獲取事件提及描述,得到事件類型分類,并檢索事件類型對應(yīng)的所有事件角色;通過構(gòu)建預(yù)訓(xùn)練問答文本,并使用預(yù)訓(xùn)練模型對其編碼;使用多池注意力機(jī)制獲取特征向量;使用特征向量...
          • 本發(fā)明提供一種離子儲存材料及其制備方法和應(yīng)用,所述離子儲存材料包括式(I)所示的化合物:SnxAyMzOmRn;通過將特定的M元素...
          • 本發(fā)明屬于藥物輸送技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體及其制備方法與應(yīng)用。本發(fā)明提供的鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體,以單價磺酸鹽為內(nèi)水相,將鹽酸米托蒽醌高效、穩(wěn)定地包封在脂質(zhì)體內(nèi)水相中,通過調(diào)節(jié)內(nèi)水相中磺酸鹽的濃度,可使所制備的鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體...
          • 本發(fā)明涉及一種有機(jī)光電子二極管和顯示裝置,有機(jī)光電子二極管包括:彼此面對的陽極和陰極、位于陽極和陰極之間的發(fā)光層、位于陽極和發(fā)光層之間的空穴傳輸層以及位于空穴傳輸層和發(fā)光層之間的空穴傳輸輔助層,其中空穴傳輸輔助層包括與空穴傳輸層鄰近的第一空...
          • 提供能夠在將鐵芯片一體化后可靠地調(diào)整層疊高度的層疊鐵芯的制造方法。層疊多個鐵芯片(3),層疊的鐵芯片(3)由通過遍及突起(15)間的第一焊接形成的第一焊接部(5)結(jié)合而被一體化,測定被一體化的鐵芯片(3)的層疊高度,基于測定的層疊高度,在被...
          • 本公開涉及一種敏感度檢測系統(tǒng),該敏感度檢測系統(tǒng)準(zhǔn)確高效地確定基于用戶瀏覽活動的信息何時無意地揭露了關(guān)于所述用戶的私有或其他敏感信息。例如,敏感度檢測系統(tǒng)生成和利用機(jī)器學(xué)習(xí)模型來檢測敏感度,以準(zhǔn)確地檢測敏感用戶信息何時從諸如用戶簡檔等用戶信息...
          • 一種顯示面板,包括:襯底、多個子像素、多條數(shù)據(jù)線、多個柵極驅(qū)動電路、第一組數(shù)據(jù)扇出線、第二組數(shù)據(jù)扇出線、第一組控制信號線、第二組控制信號線、第一組靜電釋放電路和第二組靜電釋放電路。第一組數(shù)據(jù)扇出線與第一組控制信號線在襯底的正投影存在交疊,第...
          • 顯示模組包括電路板、油墨層、LED芯片和封裝層。油墨層的材料至少包括丙烯酸脂、環(huán)氧樹脂和有機(jī)顏料,油墨膜片貼附于電路板,油墨層具有開窗;LED芯片,固晶于開窗;封裝層覆蓋于電路板、油墨層及LED芯片。
          • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)單元及其形成方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)單元包括:襯底,包括第一區(qū)和第二區(qū);位于襯底上的若干第一柵極結(jié)構(gòu)和若干第二柵極結(jié)構(gòu),第一柵極結(jié)構(gòu)位于相鄰的第二柵極結(jié)構(gòu)之間;位于第一區(qū)第一柵極結(jié)構(gòu)上和第二柵極結(jié)構(gòu)上的若干第一金屬層,第一...
          • 本公開實施例提供一種半導(dǎo)體器件及其制備方法,所述方法包括:在襯底上形成柵極層;在所述柵極層上形成第一掩膜層;利用所述第一掩膜層對所述柵極層進(jìn)行刻蝕,形成柵極;對所述襯底進(jìn)行離子摻雜,以在所述柵極兩側(cè)形成源/漏區(qū);去除所述第一掩膜層;形成覆蓋...
          • 本公開提供了一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、集成電路、存儲系統(tǒng),涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域,旨在解決低電壓晶體管背柵漏電的問題。所述半導(dǎo)體器件包括襯底、第一絕緣層、第二絕緣層、半導(dǎo)體層、第一晶體管和第二晶體管。第一絕緣層設(shè)置于襯底一側(cè),包括第一部分...
          • 本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。所述薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟:在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于第一金屬層上的絕緣層;在絕緣層上形成非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜;對非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行熱處理,以使非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜轉(zhuǎn)換...
          • 本發(fā)明公開一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。所述薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟:在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于第一金屬層上的絕緣層;在絕緣層上形成非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜;對非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行離子注入,以將3A族離子注入非晶...
          • 提供半導(dǎo)體裝置及其形成方法。半導(dǎo)體裝置包括碳化硅基板、外延層、第一電極、分離柵極結(jié)構(gòu)以及源極接觸。碳化硅基板具有第一、第二以及第三區(qū),且具有第一導(dǎo)電類型。外延層設(shè)置于碳化硅基板的頂面上。外延層具有第一導(dǎo)電類型。第一電極設(shè)置于第一區(qū)的外延層中...
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