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								      本公開涉及互聯(lián)網(wǎng)醫(yī)療技術領域，提供了一種醫(yī)患信息處理方法、醫(yī)患信息處理裝置、計算機存儲介質、電子設備，其中，醫(yī)患信息處理方法包括：獲取原始醫(yī)患信息集以及與所述原始醫(yī)患信息集中包含的每條原始醫(yī)患信息相關聯(lián)的特性描述信息；按照預設的信息過濾規(guī)則...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種電磁波電位模塊，包括PCB板和搖桿機構，所述PCB板上設有電磁波接收線圈，所述搖桿機構上設有與電磁波接收線圈配合的電磁波發(fā)射線圈。本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比的優(yōu)點是：本發(fā)明利用電磁波原理，通過電磁波接收線圈感應磁通量的大小來反應搖...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種電磁波電位裝置，包括PCB板和搖桿機構，所述PCB板上設有電磁波發(fā)射線圈和電磁波接收線圈，所述搖桿機構上設有電磁波屏蔽部，電磁波屏蔽部位于電磁波發(fā)射線圈和電磁波接收線圈之間。本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比的優(yōu)點是：本發(fā)明利用電磁波原理...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N封裝結構、集成電路、存儲器及電子設備，屬于半導體技術領域。所述封裝結構包括：封裝襯底；第一球柵陣列，第一球柵陣列位于封裝襯底的第一表面，第一球柵陣列包括第一金屬球及與第一金屬球相鄰的第二金屬球，第一金屬球通過第一焊盤電藕合到...
								
            
							
            
							
						
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								      一種具有防滲透層的散熱系統(tǒng)及電子設備，該散熱系統(tǒng)包括基板、殼體和至少一層的防滲透層。基板上設置有發(fā)熱元。殼體連接于基板，殼體與基板之間圍合成用于填充冷卻工質的容置空間，發(fā)熱元件設置于容置空間中。防滲透層的至少部分覆蓋于基板上外漏于容置空間中...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N封裝芯片。封裝芯片包括層疊設置的頂層和中介層。頂層包括第一有機層和間隔設置的至少三個頂層芯片，第一有機層包裹頂層芯片的周緣設置。中介層包括第二有機層和中介芯片，第二有機層包裹中介芯片的周緣設置，中介芯片包括至少一個第一中介芯...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N電化學裝置和電子裝置，電化學裝置包括極片，極片包括集流體和位于集流體至少一個表面上的活性材料層，活性材料層的內(nèi)部設置有孔洞，孔洞與集流體的表面相連。通過上述設置，有利于電解液在極片中的浸潤，避免負極發(fā)生析鋰，改善電化學裝置的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N二次電池和用電裝置。本申請的二次電池包括正極極片，正極極片包括正極集流體以及位于正極集流體至少一個表面上的活性材料層，活性材料層包括第一活性材料層和第二活性材料層，第一活性材料層位于正極集流體的表面，第二活性材料層位于第一活...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N正極材料及其制備方法、正極極片、二次電池、用電裝置，正極材料包括導電基體材料和分布于導電基體材料上的活性材料；活性材料包括納米級磷酸鹽類活性材料，導電基體材料包括摻雜元素改性石墨烯；基于正極材料的總重量計，活性材料的重量含量為...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于新能源技術領域，具體涉及蠶絲織物衍生的雙金屬單原子修飾的片狀多孔碳材料及其制備方法和應用。為了克服現(xiàn)有技術中鋰硫電池正極材料電化學性能差以及合成工藝復雜等缺點，本發(fā)明提供蠶絲織物衍生的雙金屬單原子修飾的片狀多孔碳材料，包括：多孔碳...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及用于檢測燃料電池系統(tǒng)的故障的方法和相關裝置。該方法包括獲取燃料電池系統(tǒng)中的氫氣循環(huán)泵的電流信號。該方法還包括基于電流信號和預定基準信號，生成目標信號，其中預定基準信號的頻率與燃料電池系統(tǒng)的預定故障相對應。此外，該方法還包括基于目標...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種燃料電池系統(tǒng)的開機吹掃方法及裝置，本發(fā)明的燃料電池系統(tǒng)的開機吹掃方法包括接收到開機指令后，獲取燃料電池系統(tǒng)的參數(shù)信息和停機時長；基于燃料電池系統(tǒng)的參數(shù)信息和停機時長，計算陽極管路中的氮氣量；基于燃料電池系統(tǒng)的參數(shù)信息，以及陽...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于新能源技術領域，具體涉及一種全絡合錳正極電解液及其應用。為了克服現(xiàn)有技術中Mn3+的不穩(wěn)定性問題，避免Mn3+在水溶液中發(fā)生歧化反應生成固相二氧化錳產(chǎn)物而導致的電池庫倫效率、能量效率降低...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝硕坞姵兀ㄕ龢O極片、負極極片和電解液，其中電解液包括草酸鋰鹽，正極極片包括正極活性材料和位于正極活性材料表面的固體電解質界面膜，正極活性材料包括鋰過渡金屬磷酸鹽和覆蓋所述鋰過渡金屬磷酸鹽表面的碳包覆層，基于正極活性材料的質量...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及二次電池和裝置。本申請的二次電池包括正極極片、負極極片和電解液，其中，所述正極極片包括正極活性材料，所述正極活性材料包括鋰過渡金屬磷酸鹽；所述電解液包括含氮環(huán)狀化合物。該二次電池具有降低的阻抗，改善的首效、倍率特性、常溫和高溫循環(huán)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種頂蓋組件、電池單體、電池及用電裝置，屬于電池技術領域。頂蓋組件包括：頂蓋、第一磁性件、濾網(wǎng)及第二磁性件；頂蓋設有注液孔；第一磁性件安裝于頂蓋；濾網(wǎng)安裝于頂蓋且罩設注液孔；第二磁性件可活動地安裝于濾網(wǎng)內(nèi)，第一磁性件與第二...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N天線結構及移動終端。該天線結構包括輻射體和阻抗匹配電路，輻射體包括相連接的第一枝節(jié)和第二枝節(jié)，第一枝節(jié)的背離第二枝節(jié)的一端為開放端，第一枝節(jié)包括饋電點，第二枝節(jié)的背離第一枝節(jié)的一端接地，第一枝節(jié)與第二枝節(jié)的連接點通過感性結構...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種半導體激光器及其制備方法、激光投影設備，該半導體激光器包括依次設置的第一電極、N型襯底、N型緩沖層、N型限制層、N型波導層、有源層、P型波導層、P型限制層、歐姆接觸層、絕緣層和第二電極；第一電極遠離N型襯底的一側和/或第二電極...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種外腔型窄線寬激光器，包括增益芯片和硅基外腔芯片，該增益芯片耦合封裝于該硅基外腔芯片，該硅基外腔芯片包括依次布置的：模斑轉換器，連接于該增益芯片；相移器，連接于該模斑轉換器；以及微環(huán)濾波反射器，該微環(huán)濾波反射器包括第一微環(huán)，耦合...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種半導體激光器，包括依次設置的N面電極、N型襯底、N型緩沖層、N型限制層、N型波導層、有源層、P型波導層、P型限制層、歐姆接觸層和P面電極；半導體激光器還包括P型穩(wěn)定層，P型穩(wěn)定層設置在P型限制層和歐姆接觸層之間；P型穩(wěn)定層的...
								
            
							
            
							
						
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