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          • 本申請涉及一種天線陣列及天線裝置,包括多個陣元和超表面,多個陣元沿天線陣列的第一方向間隔設置,超表面與陣元沿天線陣列的厚度方向間隔設置;超表面包括多個超表面單元,多個超表面單元呈陣列排布,超表面單元包括超表面介質板和貼片,貼片設置在超表面介...
          • 本公開提供了一種天線單元以及天線陣列,屬于天線技術領域,旨在拓寬天線單元的阻抗帶寬和軸比帶寬,所述天線單元包括:饋電結構,包括用于饋電的金屬元件;以及輻射結構,與饋電結構耦合,包括輻射貼片,所述輻射貼片包括目標點;其中,所述輻射貼片包括環(huán)繞...
          • 本申請?zhí)峁┝艘环N二次電池及用電裝置,二次電池包括由負極極片、隔離膜和正極極片層疊形成的層疊結構,負極極片和/或正極極片包括活性材料區(qū)和粘結區(qū),粘結區(qū)沿第一方向位于活性材料區(qū)的兩側;在第二方向上,粘結區(qū)相對于活性材料區(qū)伸出,隔離膜相對于活性材...
          • 本申請的實施例提供了隔膜,該隔膜包括:基底膜層和設置在基底膜層上的補鋰層,補鋰層具有:補鋰劑、導電劑、以及聚酰亞胺,其中,聚酰亞胺包覆補鋰劑與導電劑。本申請的實施例提供的隔膜由于具有補鋰層,能夠用于補充活性鋰離子,另外,聚酰亞胺包覆補鋰劑,...
          • 本申請公開了一種電芯、電池、車輛及電芯補鋰方法,涉及鋰電池技術領域。該電芯包括電芯本體、端蓋、正電極、負電極和含鋰電極。所述端蓋設置在所述電芯本體的一端,所述端蓋設有第一極柱、第二極柱和第三極柱;所述正電極、所述負電極和所述含鋰電極每一者的...
          • 本發(fā)明涉及新能源領域,尤其涉及電池散熱領域。一種彈性電池水冷散熱器,包括由散熱芯內部安裝彈片形成的彈性結構,或者由兩列散熱芯將彈片夾在中間形成的彈性結構,或者由兩列散熱芯和彈片交替安裝形成的彈性結構。電池放置在散熱芯的外側,由彈片的彈力保持...
          • 本申請涉及一種二次電池、凝膠電解質前驅液、制備方法和用電裝置。該二次電池包括電極極片;任一個電極極片獨立地包括電極活性材料層;二次電池包括凝膠電解質,凝膠電解質包括第一凝膠電解質和第二凝膠電解質,第一凝膠電解質位于電極活性材料層的內部,第二...
          • 本申請涉及一種氟氮共摻雜的碳包覆正極材料及其制備方法,通過在正極活性物質表面設置氟氮共摻雜的碳包覆層,有效改善了正極材料的循環(huán)性能。將本申請的正極材料應用到電池體系中,能夠提高電池的循環(huán)壽命。
          • 本公開涉及一種預鋰化負極材料及其制備方法、負極和含鋰電池。包括以下步驟:S1、將第一含硅基質與有機碳源接觸,進行碳包覆處理,得到碳包覆含硅基質;S2、將金屬鋰與第二含硅基質接觸,進行第一球磨處理,得到預鋰前驅體;S3、將預鋰前驅體與第一有機...
          • 本公開涉及一種具有核殼結構的三元正極材料及其制備方法和應用,該方法包括以下步驟:S1、將鋰源與鎳鈷錳氫氧化物三元前驅體混合,將得到的混合物在第一含氧氣氛下進行第一熱處理,得到第一物料;S2、將所述第一物料與含有銨鹽的溶液接觸并進行浸漬,將得...
          • 本公開涉及一種預鋰化鋰離子電池負極片及其制備方法和鋰離子電池。所述方法包括以下步驟:S1、將金屬鋰與基質材料混合,進行球磨處理,得到預鋰化前驅體,基質材料選自硅和氧化亞硅中的一種或兩種;S2、將預鋰化前驅體與電解液混合,進行穩(wěn)定化處理,得到...
          • 半導體結構包括基板、主動元件、至少一放電結構、柵極接墊、多層互連金屬層以及熔絲結構?;寰哂兄鲃訁^(qū)和虛設區(qū)。主動元件設置于基板的主動區(qū)。放電結構設置于基板的虛設區(qū)。柵極接墊設置于主動元件與放電結構上方。多層互連金屬層設置于基板上方并位于柵極...
          • 本申請實施例提供了一種基板、封裝結構、電子設備和基板的制備方法,涉及電子設備技術領域。其中,基板包括層疊結構、導電芯、磁性件和導磁件。層疊結構包括多層布線層和多層介質層,布線層和介質層交替層疊設置。導電芯嵌設在層疊結構中,且貫穿至少一層介質...
          • 本申請實施例提供了一種封裝結構、電子設備和封裝結構的制備方法,涉及電子設備技術領域。其中,封裝結構包括第一芯片、第一布線層、第二布線層、第一封裝層、第一連接部和第二芯片。第一布線層設于第一芯片的第一表面所在一側且與第一芯片電連接。第二布線層...
          • 本申請實施方式提供一種功率模組及功率變換裝置。功率模組包括第一基板、第一芯片、互連件、第一阻擋結構、連接物及封裝體,第一芯片與第一基板層疊設置,第一阻擋結構設于互連件的外表面,第一芯片與互連件之間通過連接物連接,第一阻擋結構、連接物、第一芯...
          • 本申請實施例公開了一種電子電路器件及電子設備。該電子電路器件包括本體結構和接口焊點,該本體結構包括有機材料,接口焊點與本體結構電連接;在本體結構的外周表面包覆有防潮層,防潮層包括無機膜層,且接口焊點外露于防潮層,以構建相應的電連接。如此設置...
          • 本發(fā)明提供一種壓環(huán)組件、半導體工藝腔室及其控制方法。壓環(huán)組件包括環(huán)形本體;在環(huán)形本體內沿其周向環(huán)繞設置有環(huán)形負壓通道,環(huán)形負壓通道在環(huán)形本體上形成有抽入口和抽出口;環(huán)形本體可升降地在第一位置和第二位置之間移動,在環(huán)形本體處于第一位置的情況下...
          • 本發(fā)明提供一種清潔方法及半導體設備,半導體設備包括傳輸腔室、及用于對傳輸腔室抽真空的抽氣泵組和高抽速泵,傳輸腔室的腔壁上設有出氣口及多個充氣口,出氣口和多個充氣口的分布方式配置成使傳輸腔室的各個拐角區(qū)域均能夠被氣體吹掃;抽氣泵組的抽速低于高...
          • 本申請實施例公開了一種電子設備、電子器件及其制作方法,涉及金剛石技術領域,解決了現(xiàn)有金剛石在半導體異質材料成膜時生長界面的結合力差,導致容易脫膜失效的問題。該電子器件包括緩沖層、鈍化層、金剛石層及半導體器件層。其中,緩沖層具有相對設置的第一...
          • 本發(fā)明涉及調節(jié)雙腔體系統(tǒng)中偏置發(fā)生器之間相位延遲的設備和方法,雙腔體系統(tǒng)包括:第一腔體裝置,包括:包括第一卡盤的第一腔體和與該第一卡盤相連接的第一偏置發(fā)生器;第二腔體裝置,包括:包括第二卡盤的第二腔體和與該第二卡盤相連接的第二偏置發(fā)生器,其...
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