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            拖動(dòng)滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N阻尼組件，包括固定組件、第一彈性件、第一卡持件和阻尼擺臂。固定組件包括第一凸伸部，第一凸伸部包括第一轉(zhuǎn)動(dòng)面，第一轉(zhuǎn)動(dòng)面為圓弧面，第一轉(zhuǎn)動(dòng)面用于確定沿第一方向延伸的軸線；第一卡持件抵持于第一彈性件；阻尼擺臂與第一轉(zhuǎn)動(dòng)面相互配合，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了TCR?T細(xì)胞的制備方法及其應(yīng)用。本發(fā)明公開(kāi)的制備TCR?T細(xì)胞的方法，包括：連接41BB的胞內(nèi)結(jié)構(gòu)域、CD3ζ信號(hào)域與TCR蛋白，得到重組TCR；將重組TCR的編碼基因?qū)隩細(xì)胞中，并使其得到表達(dá)，得到TCR?T細(xì)胞；其中，重...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N提高治療性抗體產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)率的發(fā)酵工藝，使用倒置果錐振動(dòng)生物反應(yīng)器（IFSB），通過(guò)使用倒置果錐振動(dòng)生物反應(yīng)器（IFSB），能夠利用表層通氣與液相之間的氣液交換滿足供氣需求，并且無(wú)內(nèi)部混勻攪拌槳，通過(guò)整體振蕩驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生的渦流滿...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)提供了一種車輛和應(yīng)用于車輛的冷卻系統(tǒng)，其中，冷卻系統(tǒng)包括：控制模塊、駕駛艙制冷模塊、電池模塊和電池冷卻模塊，控制模塊與駕駛艙制冷模塊、電池冷卻模塊連接；控制模塊用于在接收到第一指令時(shí)，控制駕駛艙制冷模塊中的第一冷卻回路連通，使駕駛艙制...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)工具輸送裝置和熱縮設(shè)備。工具輸送裝置包括：支架；一對(duì)帶輪，被轉(zhuǎn)動(dòng)地安裝在支架上；環(huán)形帶，連接在一對(duì)帶輪之間；和多個(gè)保持工具，連接到環(huán)形帶上并彼此間隔開(kāi)。保持工具包括：延伸部，適于被夾持在熱縮機(jī)的一對(duì)輸送帶之間，使得保持工具和環(huán)形帶...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種富含黃酮類化合物的植物來(lái)源的外泌體樣囊泡及其制備方法。還提供了所述外泌體樣囊泡用于改善皮膚狀況的方法和用途，以及包含其的護(hù)膚品。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種烹飪裝置，該烹飪裝置包括：箱體；內(nèi)膽，內(nèi)膽內(nèi)形成烹飪腔；灶具，間隔地設(shè)于內(nèi)膽的上側(cè)；控制板，設(shè)于箱體的內(nèi)壁上；第一風(fēng)道組件，設(shè)于內(nèi)膽的頂部與灶具的底部之間，第一風(fēng)道組件中形成有散熱風(fēng)路；散熱風(fēng)路連通內(nèi)膽與灶具之間的區(qū)域和箱體的...
								
            
							
            
							
						
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								      公開(kāi)了以下技術(shù)：用于使集線器應(yīng)用能夠代表嵌入式應(yīng)用執(zhí)行令牌代理，從而恢復(fù)針對(duì)該嵌入式應(yīng)用的認(rèn)證狀態(tài)，該嵌入式應(yīng)用被嵌入在集線器應(yīng)用中。執(zhí)行認(rèn)證登錄事件以利用賬戶認(rèn)證集線器應(yīng)用。作為結(jié)果，集線器應(yīng)用從令牌代理平臺(tái)接收第一訪問(wèn)令牌，該第一訪問(wèn)令...
								
            
							
            
							
						
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								      提供使用生物催化劑高效地由腈化合物制造酰胺化合物、且制造發(fā)泡性低的酰胺化合物水溶液的方法。在具有腈水合酶活性的生物催化劑的存在下使腈化合物進(jìn)行水合反應(yīng)來(lái)制造酰胺化合物的方法中，在水合反應(yīng)的中途使反應(yīng)液的pH上升。在一例中，與相對(duì)于所述反應(yīng)液...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實(shí)施例提供了一種N型TOPCon電池及其制備方法，其中，本發(fā)明實(shí)施例所提供的N型TOPCon電池的制備方法，省去了對(duì)硼摻雜處理后硅片進(jìn)行激光摻雜處理的步驟，但在電極燒結(jié)及光注入之后，對(duì)電池片進(jìn)行激光照射同時(shí)施加偏轉(zhuǎn)電，使得激光形成的電...
								
            
							
            
							
						
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								      本揭示內(nèi)容的一些實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體元件，包含基板、多個(gè)第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)、多個(gè)第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)以及導(dǎo)電觸點(diǎn)。第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)設(shè)置于基板中。第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)設(shè)置于基板中。導(dǎo)電觸點(diǎn)設(shè)置于基板中，其中第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)位于導(dǎo)電觸點(diǎn)與第二導(dǎo)電型摻雜...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種制備半導(dǎo)體裝置的方法，包含：提供基板；形成圖案化遮罩于基板上；使用圖案化遮罩蝕刻基板，以形成溝槽；沉積材料層于圖案化遮罩上與溝槽中，于溝槽中形成通道，其中材料層為寬能隙半導(dǎo)體材料；移除圖案化遮罩與位于圖案化遮罩上的材料層；以及形成多...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，針對(duì)某些晶體管驅(qū)動(dòng)不足時(shí)性能降低、飽和電流退化嚴(yán)重的問(wèn)題，將這些晶體管溝道區(qū)上的柵氧化層由原先的第一柵氧化層和第二柵氧化層堆疊而成的雙層?xùn)叛趸瘜犹鎿Q為一層更薄且質(zhì)量更致密的第三柵氧化層，且將這些晶體管的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，所述制備方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，其上包括柵極結(jié)構(gòu)及位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源漏區(qū)域；在半導(dǎo)體襯底上依次形成第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)及第二側(cè)墻結(jié)構(gòu)，第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)及第二側(cè)墻結(jié)構(gòu)均包括位于柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的側(cè)墻部，第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)的...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括碳化硅基板、碳化硅緩沖層以及磊晶層。碳化硅緩沖層設(shè)置在碳化硅基板上。磊晶層設(shè)置在碳化硅緩沖層上，其中碳化硅緩沖層的碳摩爾數(shù)與硅摩爾數(shù)的比值沿著碳化硅基板至磊晶層的方向漸增。通過(guò)在形成磊晶層之前先形成具有梯度式變化的碳摩爾數(shù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)提供一種包括半導(dǎo)體堆疊的晶體管裝置，半導(dǎo)體堆疊包括具有第一導(dǎo)電類型的漂移層、漂移層上方且具有第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)域，以及漂移層上方且具有第二導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)域，其中第二摻雜區(qū)域的深度大于第一摻雜區(qū)域的深度。晶體管裝置包括嵌入半...
								
            
							
            
							
						
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								      一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包含：提供基板，其中基板包含碳化硅材料；形成第一氧化物層，在第一溫度和氧氣的存在下，經(jīng)由熱氧化工藝在基板上形成第一氧化物層，其中第一溫度高于1000℃；形成第二氧化物層，在第二溫度下，經(jīng)由沉積工藝在第一氧化物層上形...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了異常處理方法、裝置、電子設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，一具體實(shí)施方式包括通過(guò)響應(yīng)于異常處理請(qǐng)求，確定對(duì)應(yīng)的風(fēng)控類型標(biāo)識(shí)和業(yè)務(wù)標(biāo)識(shí)；基于風(fēng)控類型標(biāo)識(shí)，確定對(duì)應(yīng)的風(fēng)控處理核心模塊和調(diào)用順序；根據(jù)業(yè)務(wù)標(biāo)識(shí)，獲取風(fēng)控處理核心...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種基于顯式和隱式去冗余表示學(xué)習(xí)的信息運(yùn)維專業(yè)知識(shí)檢索方法，包括構(gòu)建信息運(yùn)維專業(yè)知識(shí)檢索數(shù)據(jù)集、構(gòu)建信息運(yùn)維專業(yè)知識(shí)檢索模型、訓(xùn)練信息運(yùn)維專業(yè)知識(shí)檢索模型和信息運(yùn)維專業(yè)知識(shí)檢索等步驟。本發(fā)明提供的基于顯式和隱式去冗余表示學(xué)習(xí)的信息...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了AI模型的訓(xùn)練方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。該方法包括：獲取AI模型的訓(xùn)練樣本集，AI模型包括N個(gè)模型層；從N個(gè)模型層中，確定保留的M個(gè)模型層，其中，N個(gè)模型層中除M個(gè)模型層之外的剩余模型層，在采用AI模型對(duì)各個(gè)訓(xùn)練樣本進(jìn)行處理時(shí)...
								
            
							
            
							
						
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