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          • 本發(fā)明涉及半導體激光器技術領域,尤其涉及一種多波長半導體激光器。包括半導體PN結(jié),以及沿縱模光束傳輸方向依次設于半導體PN結(jié)表面的傾斜陣列波導區(qū)、分束MMI結(jié)構、增益陣列波導、合束MMI結(jié)構和超對稱波導陣列;傾斜陣列波導區(qū)包括布拉格反射光柵...
          • 本申請涉及半導體激光器技術領域,公開了一種半導體激光器疊陣,包括激光芯片模組、散熱模組、柔性導熱絕緣層以及彈性緊固模組,其中,所述柔性導熱絕緣層設置于所述激光芯片模組和所述散熱模組之間,用于對所述激光芯片模組進行散熱和絕緣;所述彈性緊固模組...
          • 本申請屬于電池設備技術領域,尤其涉及一種高壓盒的外殼結(jié)構、高壓盒、電池及用電設備。其中,外殼結(jié)構包括:絕緣外殼,形成有用于安裝電氣器件的內(nèi)腔,絕緣外殼設有裝配側(cè)壁;連接器,安裝于裝配側(cè)壁背離內(nèi)腔的外側(cè),連接器設有連接端子和屏蔽層,屏蔽層圍繞...
          • 本申請公開一種用于無人機的電連接組件及無人機。用于無人機的電連接組件包括:機身接口,設置于無人機的機身,機身接口具有第一表面,機身接口包括設置于第一表面的第一配合部;至少一個可拆卸接口,每個可拆卸接口能夠與無人機的對應功能模塊電連接,每個可...
          • 本申請涉及電子設備檢測技術領域,尤其涉及一種服務器插拔裝置、服務器測試系統(tǒng)及服務器測試方法。服務器插拔裝置包括固定架、驅(qū)動結(jié)構和連接器;驅(qū)動結(jié)構設置于固定架,固定架位于服務器的外側(cè),驅(qū)動結(jié)構能夠相對于固定架沿第一方向移動,連接器的一端與驅(qū)動...
          • 本申請公開了一種電源線總成和電機,電源線總成包括絕緣保護殼、第一連接端子和電源線,絕緣保護殼設有容置腔和與容置腔連通的端子槽,第一連接端子設于端子槽,且適于和電機的插針插接連接,電源線的一端和第一連接端子連接,且電源線自第一連接端子穿過容置...
          • 本發(fā)明公開一種電連接結(jié)構、下電極組件和工藝腔室,所公開的電連接結(jié)構用于晶圓承載裝置,所述電連接結(jié)構包括絕緣基部和導電部,其中:所述導電部用于向所述晶圓承載裝置供電,導電部包括順序連接的第一剛性導電件、可形變導電件和第二剛性導電件,所述第一剛...
          • 一種天線結(jié)構和藍牙天線。天線結(jié)構包括:主要輻射部、第一接地元件、第二接地元件、載體元件、金屬腔體、第一電容器,及第二電容器;第一接地元件包括第一連接區(qū)段、第一突出區(qū)段,及第二突出區(qū)段;第二接地元件包括第二連接區(qū)段、第三突出區(qū)段,及第四突出區(qū)...
          • 本申請實施例提供了一種介質(zhì)濾波器單元、介質(zhì)濾波器及通信設備。該介質(zhì)濾波器單元包括:兩個連接為一體的介質(zhì)諧振腔、設置于兩個介質(zhì)諧振腔連接區(qū)域的耦合部件;其中,每個所述介質(zhì)諧振腔上設有由表面向內(nèi)凹陷的第一盲孔,所述兩個介質(zhì)諧振腔連接區(qū)域上設有由...
          • 本發(fā)明提供一種電池蓋板結(jié)構及電池,涉及電池技術領域,該蓋板結(jié)構包括:蓋板主體;兩連接片,間隔設置在蓋板主體的底部,兩連接片分別用于與電池的電芯主體的正極耳和負極耳連接;正極柱和負極柱,間隔設置在蓋板主體內(nèi),正極柱和負極柱分別與兩連接片連接;...
          • 本申請公開了補鋰劑及其制備方法、正極極片、電池和用電裝置,所述補鋰劑為多孔結(jié)構,所述補鋰劑包括內(nèi)核、催化劑和導電劑,所述內(nèi)核包括有機補鋰劑;所述催化劑包括過渡金屬氧化物、過渡金屬碳化物、過渡金屬氮化物、過渡金屬硫化物、過渡金屬磷化物中的至少...
          • 本申請?zhí)峁┝艘环N雙離子電池和用電裝置。雙離子電池包括電解液和正極極片,電解液包含四氟硼酸鋰,所述正極極片包括人造石墨正極活性材料,所述人造石墨正極活性材料的石墨化度為70%?90%。該雙離子電池具有優(yōu)異的循環(huán)性能,長的使用壽命。
          • 本申請?zhí)峁┝艘环N負極材料及其制成的產(chǎn)品、負極漿料及制備方法。一種負極材料,其包括活性物質(zhì)、含氟有機納米顆粒和浸潤劑;所述浸潤劑包括具有式(一)結(jié)構的共聚物: 2025-09-22
          • 本申請涉及正極活性材料及其制備方法、二次電池和裝置。該所述正極活性材料的化學式為LiaNibCocMndAleAf
          • 本申請?zhí)峁┮环N鈉離子電池正極極片以及鈉離子電池,該正極極片包括正極集流體和設置在所述正極集流體的至少一個表面上的正極膜層,所述正極膜層包括正極活性材料、第一添加劑以及第二添加劑,所述第一添加劑為硼酸、偏硼酸、硼酸鹽中的至少一種,所述第二添加...
          • 一種半導體結(jié)構及其形成方法,方法包括:提供襯底和位于襯底上的襯墊層;在襯墊層上形成復合結(jié)構層和位于復合結(jié)構層內(nèi)的第一凹槽,第一凹槽暴露出襯墊層表面,復合結(jié)構層包括若干層第一層和若干層第二層,第二層位于相鄰的第一層之間;去除第一凹槽暴露出的部...
          • 本公開提供了一種半導體測試結(jié)構及其制備方法,涉及半導體技術領域,旨在改善連接線對測試信號產(chǎn)生干擾的問題。本公開提供的半導體測試結(jié)構包括封裝基板、轉(zhuǎn)接板、多個測試芯片和信號線。其中,多個測試芯片在封裝基板的一側(cè)層疊設置。多個測試芯片中包括目標...
          • 本申請?zhí)峁┮环N半導體結(jié)構及其制備方法,半導體結(jié)構包括第一組合結(jié)構,第一組合結(jié)構包括襯底、多個第一芯片和第二導電互聯(lián)結(jié)構,其中,所述襯底包括多個第一區(qū)域和一個第二區(qū)域,多個所述第一芯片分別設置在所述襯底朝向第一方向的一側(cè),并分別與所述襯底在所...
          • 本公開提供了一種靜電卡盤、反應腔室和半導體處理設備,所述靜電卡盤包括:殼體,所述殼體包括第一晶圓承載面和與所述第一晶圓承載面相交的至少一個第二晶圓承載面;位于所述殼體中的第一吸附電極和至少一個第二吸附電極;所述第一吸附電極對應于所述第一晶圓...
          • 本公開實施例提供了一種用于晶圓傳輸平臺的晶圓定位方法、電子設備和工藝設備。該晶圓定位方法包括:獲取晶圓在晶圓傳輸平臺內(nèi)的第一圖像;獲取晶圓的圖像特征;根據(jù)圖像特征在第一圖像上對晶圓進行初始定位,獲得初始定位信息;基于初始定位信息,采用粒子濾...
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