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								      本發(fā)明公開了一種食用菌菌棒撿拾裝置，具體涉及食用菌栽培技術領域，包括菌棒撿拾斗、變位軸、控制器以及往復動態(tài)折疊撿拾機構；其中往復動態(tài)折疊撿拾機構包括一組轉(zhuǎn)環(huán)、變位槽條、支軸、聯(lián)動環(huán)以及撿拾彈條。本發(fā)明采用往復動態(tài)折疊撿拾機構，在撿拾階段由步...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于水生植物種植技術領域，具體地說是一種裝配式水生植物種植裝置，包括固定桿；所述固定桿中部轉(zhuǎn)動連接有套筒；所述套筒頂部固接有轉(zhuǎn)動塊；所述固定桿端部轉(zhuǎn)動連接有支撐桿；所述支撐桿端部固接有安裝塊；所述套筒外側壁設有雙向螺紋槽；所述安裝塊安...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種具備水量監(jiān)測預警功能的自動化智能花盆，涉及智能花盆技術領域，包括：花盆主體，用于采用一體化設計，整合儲水、種植及灌溉功能；智能控制器，用于安裝在花盆主體內(nèi)部，集成環(huán)境數(shù)據(jù)采集、灌溉邏輯判斷、預警觸發(fā)及通信交互功能，采集土壤濕...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種煙草種苗種植設備，涉及煙草種植技術領域；而本發(fā)明包括種植機構，種植機構的下端一側設有留樣機構，且留樣機構上設有配合使用的限位機構，種植機構的下端另一側設有對標機構，且對標機構與留樣機構配合使用；通過種植機構的設置使用，能夠便...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種雙腔結構式供種裝置及方法，包括大種箱、種子雙腔分配裝置、單體種箱和精量排種器，所述的大種箱底部通過螺栓固定種子雙腔分配裝置，種子雙腔分配裝置通過卡扣組合成一體，其出口處通過通風軟管與單體種箱連接，單體種箱下方出口連接精量排種...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及土壤功能提升技術領域，具體為一種基于生物炭基有機肥的稻田土壤增碳擴容方法。方法包括：將生物質(zhì)原料破碎、熱解冷卻后獲得生物炭；將生物炭浸沒于含有放線菌和芽孢桿菌的功能菌液中活化處理，得到改性生物炭；將改性生物炭與腐熟秸稈混合堆肥發(fā)酵...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種大蒜播種機，屬于農(nóng)業(yè)播種設備領域，包括旋耕結構、固定塊、機架、起壟結構、播種結構、鎮(zhèn)壓結構、連接桿、拉緊結構。本發(fā)明采用可拆卸的拉緊結構和固定塊實現(xiàn)了對旋耕結構、起壟結構和播種結構的快速連接與更換。該設計利用拉緊結構的可調(diào)節(jié)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提出一種光憶阻器及基于光憶阻器的智能監(jiān)控方法，該方法通過在不同監(jiān)控區(qū)域搭建若干邊緣節(jié)點，并在每個邊緣節(jié)點部署多模態(tài)傳感器陣列、光憶阻器陣列、GCN模型以及分類器；通過多模態(tài)傳感器陣列采集多模態(tài)數(shù)據(jù)，并建立圖結構；將圖結構輸入至GCN模...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及柔性有機太陽能電池技術領域，其具體地公開了一種柔性OPV卷對卷生產(chǎn)高光譜在線監(jiān)測與智能調(diào)控方法及系統(tǒng)，融合快照式高光譜成像、干燥速度量化與雙機器學習模型，實現(xiàn)柔性OPV卷對卷生產(chǎn)的干燥過程智能調(diào)控。通過單幀高光譜圖像同步捕獲濕膜/...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種電極降溫裝置及帶長條狀電極結構的LED芯片，屬于半導體芯片技術領域，包括吸熱片、P型降溫半導體、散熱片、進電組件、N型降溫半導體、導電組件和出電組件，進電組件上端側邊安裝有N型降溫半導體，進電組件右表面上安裝有散熱片，出電組...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及太陽能電池技術領域，公開了背接觸太陽能電池和電池組件。電池包括具有受光面和背光面的電池基體，背光面包括交替排布的第一極性區(qū)和第二極性區(qū)，第一極性區(qū)和第二極性區(qū)之間具有隔離區(qū)，電池基體還包括：由第一極性區(qū)和/或第二極性區(qū)的表面朝向隔...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種光伏電池片以及光伏組件。所述光伏電池片包括：硅基底，所述硅基底包括沿第一方向背離設置的第一表面和第二表面，以及連接第一表面和第二表面的側表面，側表面包括切割面；其中，切割面包括：鄰近第一表面的切割邊緣、鄰近第二表面的斷...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及太陽電池領域，公開一種異質(zhì)結太陽電池及其制備方法、光伏組件。包括：硅基底；設于硅基底的受光面的第一本征鈍化層，第一本征鈍化層分為第一區(qū)域、第二區(qū)域以及位于兩個區(qū)域之間的隔離區(qū)域；圖形化的第一摻雜層，第一摻雜層設于第一區(qū)域的第一本征...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種太陽能電池和光伏組件，涉及太陽能電池技術領域，以解決如何提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率的問題。所述太陽能電池包括：第一鈍化接觸結構形成在半導體基底的第一面；第一匯流電極和第一集電電極形成在第一鈍化接觸結構上方；至少部分第一匯流...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及太陽能電池技術領域，公開了一種背接觸太陽能電池及其制備方法。電池包括：基底層；第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，交替設置于基底層的背光面一側；隔離凹槽，位于相鄰的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)之間并深入基底層內(nèi)；隔離凹槽的至少一個側壁包括第一斷面、...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及光電探測器技術領域，公開了一種氧化鎵硅基集成日盲紫外圖像傳感器及其制備方法。氧化鎵硅基集成日盲紫外圖像傳感器的制備方法，包括以下步驟：S100、制備硅基底電極；S200、在硅基底電極的像素區(qū)的電極上磁控濺射沉積氧化鎵薄膜，以實現(xiàn)低...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及太陽能電池技術領域，公開了背接觸太陽能電池及其制備方法、電池組件。背接觸太陽能電池包括：基底層、第一極性結構、第二極性結構和隔離凹槽，基底層包括相對設置的受光面和背光面；第一極性結構和第二極性結構交替形成于基底層的背光面一側；隔離...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的實施例提供一種半導體器件和芯片，涉及半導體技術領域，用于實現(xiàn)增強型和耗盡型的單片集成；該半導體器件包括襯底、溝道層、勢壘層、柵極層、第一帽層和第二帽層；溝道層和勢壘層層疊設置于襯底上，勢壘層相比溝道層遠離襯底；柵極層設于勢壘層遠離溝...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種Fin Fet器件及其制造方法，涉及半導體器件技術領域，包括自下而上設置的：襯底；外延層，位于襯底的上面；鰭狀阱區(qū)，位于外延層的上面，鰭狀阱區(qū)包括沿著第一方向并排形成的多個鰭片且其鰭片向第二方向延伸，第二方向與第一方向垂直，...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種半導體器件、功率模組和電子設備，涉及半導體技術領域，用于在提升半導體器件擊穿電壓的同時降低其動態(tài)導通電阻；該半導體器件包括襯底、緩沖層、溝道層、勢壘層、勢壘調(diào)制層、柵極、源極和漏極；其中，緩沖層中摻雜受主元素，緩沖層包括第一受...
								
            
							
            
							
						
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