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          • 本公開(kāi)提供一種發(fā)光組件及其制備方法、發(fā)光芯片和顯示面板。本公開(kāi)提供的發(fā)光組件包括依次設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層,以及光學(xué)功能部。其中,光學(xué)功能部位于至少貫穿發(fā)光層的限定槽內(nèi),光學(xué)功能部包括熒光體。光學(xué)功能部還包括金屬納米顆粒。...
          • 本申請(qǐng)是202410242801.2的分案申請(qǐng)。本申請(qǐng)公開(kāi)了一種背接觸太陽(yáng)能電池和光伏組件,屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域。該電池包括:基板、導(dǎo)電層和電極結(jié)構(gòu),相鄰導(dǎo)電層導(dǎo)電極性相反且電絕緣設(shè)置,電極結(jié)構(gòu)包括柵極和與柵極相交且電連接的柵線(xiàn),導(dǎo)電極性...
          • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法,方法包括:提供襯底,包括基底,位于基底表面的絕緣層以及位于絕緣層表面的半導(dǎo)體層,半導(dǎo)體層包括柵極區(qū)以及包圍柵極區(qū)的若干溝道區(qū);在柵極區(qū)內(nèi)形成暴露出絕緣層表面和各溝道區(qū)側(cè)壁表面的第一開(kāi)口;在第一開(kāi)口內(nèi)形成柵極結(jié)構(gòu),...
          • 本公開(kāi)提供一種薄膜晶體管,包括設(shè)置在襯底基板上的柵極和有源層,所述柵極與所述有源層絕緣間隔;所述有源層包括與所述柵極相對(duì)設(shè)置的溝道部,所述溝道部包括:第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層,所述第二半導(dǎo)體層位于所述第一半導(dǎo)體層靠近所述柵極的一側(cè);所述第...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及其制作方法、電子設(shè)備,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。半導(dǎo)體器件包括基于GaN的HEMT器件,其中HEMT器件包括:襯底、寄生溝道層、外延層和電極層;寄生溝道層和外延層沿襯底的厚度方向且遠(yuǎn)離襯底的方向依次設(shè)置于襯底上;電極層設(shè)...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N數(shù)據(jù)處理方法、電子設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì),涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域。本申請(qǐng)?zhí)峁┑臄?shù)據(jù)處理方法中,在第一模型的第一網(wǎng)絡(luò)層對(duì)其輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行第一運(yùn)算的過(guò)程中,如果第一運(yùn)算得到的運(yùn)算結(jié)果超出電子設(shè)備采用的浮點(diǎn)格式所對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)范圍,則將第一運(yùn)...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種文本處理方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及程序產(chǎn)品,涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括:獲取限制詞庫(kù);基于限制詞庫(kù)對(duì)待分析文本進(jìn)行查找,從待分析文本中匹配得到文本限制詞匯;根據(jù)限制詞匯在限制詞組中表達(dá)的情感狀態(tài),對(duì)文本限制詞匯進(jìn)行負(fù)向...
          • 本發(fā)明提供了一種基于知識(shí)挖掘技術(shù)的高效縫洞型油藏知識(shí)管理系統(tǒng)及方法,該系統(tǒng)包括知識(shí)獲取模塊、知識(shí)存儲(chǔ)模塊、應(yīng)用輔助模塊、應(yīng)用管理模塊和可視化展示模塊,知識(shí)存儲(chǔ)模塊包括專(zhuān)業(yè)詞詞庫(kù),提供設(shè)定開(kāi)發(fā)工藝和配套工藝的多類(lèi)型專(zhuān)業(yè)詞匯,為系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)文件處理...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種機(jī)器人交互控制方法、服務(wù)器、客戶(hù)端和機(jī)器人,屬于人工智能技術(shù)領(lǐng)域。方法包括:客戶(hù)端接收用戶(hù)行為信息,將用戶(hù)行為信息發(fā)送至服務(wù)器;服務(wù)器根據(jù)用戶(hù)行為信息識(shí)別交互的場(chǎng)景類(lèi)型,將與場(chǎng)景類(lèi)型匹配的提示信息和用戶(hù)行為信息輸入至預(yù)設(shè)的語(yǔ)...
          • 本發(fā)明是一種基于多池注意力機(jī)制的預(yù)訓(xùn)練問(wèn)答事件抽取方法。該方法包括以下步驟:獲取事件提及描述,得到事件類(lèi)型分類(lèi),并檢索事件類(lèi)型對(duì)應(yīng)的所有事件角色;通過(guò)構(gòu)建預(yù)訓(xùn)練問(wèn)答文本,并使用預(yù)訓(xùn)練模型對(duì)其編碼;使用多池注意力機(jī)制獲取特征向量;使用特征向量...
          • 本發(fā)明提供一種離子儲(chǔ)存材料及其制備方法和應(yīng)用,所述離子儲(chǔ)存材料包括式(I)所示的化合物:SnxAyMzOmRn;通過(guò)將特定的M元素...
          • 本發(fā)明屬于藥物輸送技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體及其制備方法與應(yīng)用。本發(fā)明提供的鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體,以單價(jià)磺酸鹽為內(nèi)水相,將鹽酸米托蒽醌高效、穩(wěn)定地包封在脂質(zhì)體內(nèi)水相中,通過(guò)調(diào)節(jié)內(nèi)水相中磺酸鹽的濃度,可使所制備的鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體...
          • 本發(fā)明涉及一種有機(jī)光電子二極管和顯示裝置,有機(jī)光電子二極管包括:彼此面對(duì)的陽(yáng)極和陰極、位于陽(yáng)極和陰極之間的發(fā)光層、位于陽(yáng)極和發(fā)光層之間的空穴傳輸層以及位于空穴傳輸層和發(fā)光層之間的空穴傳輸輔助層,其中空穴傳輸輔助層包括與空穴傳輸層鄰近的第一空...
          • 提供能夠在將鐵芯片一體化后可靠地調(diào)整層疊高度的層疊鐵芯的制造方法。層疊多個(gè)鐵芯片(3),層疊的鐵芯片(3)由通過(guò)遍及突起(15)間的第一焊接形成的第一焊接部(5)結(jié)合而被一體化,測(cè)定被一體化的鐵芯片(3)的層疊高度,基于測(cè)定的層疊高度,在被...
          • 本公開(kāi)涉及一種敏感度檢測(cè)系統(tǒng),該敏感度檢測(cè)系統(tǒng)準(zhǔn)確高效地確定基于用戶(hù)瀏覽活動(dòng)的信息何時(shí)無(wú)意地揭露了關(guān)于所述用戶(hù)的私有或其他敏感信息。例如,敏感度檢測(cè)系統(tǒng)生成和利用機(jī)器學(xué)習(xí)模型來(lái)檢測(cè)敏感度,以準(zhǔn)確地檢測(cè)敏感用戶(hù)信息何時(shí)從諸如用戶(hù)簡(jiǎn)檔等用戶(hù)信息...
          • 一種顯示面板,包括:襯底、多個(gè)子像素、多條數(shù)據(jù)線(xiàn)、多個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電路、第一組數(shù)據(jù)扇出線(xiàn)、第二組數(shù)據(jù)扇出線(xiàn)、第一組控制信號(hào)線(xiàn)、第二組控制信號(hào)線(xiàn)、第一組靜電釋放電路和第二組靜電釋放電路。第一組數(shù)據(jù)扇出線(xiàn)與第一組控制信號(hào)線(xiàn)在襯底的正投影存在交疊,第...
          • 顯示模組包括電路板、油墨層、LED芯片和封裝層。油墨層的材料至少包括丙烯酸脂、環(huán)氧樹(shù)脂和有機(jī)顏料,油墨膜片貼附于電路板,油墨層具有開(kāi)窗;LED芯片,固晶于開(kāi)窗;封裝層覆蓋于電路板、油墨層及LED芯片。
          • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)單元及其形成方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)單元包括:襯底,包括第一區(qū)和第二區(qū);位于襯底上的若干第一柵極結(jié)構(gòu)和若干第二柵極結(jié)構(gòu),第一柵極結(jié)構(gòu)位于相鄰的第二柵極結(jié)構(gòu)之間;位于第一區(qū)第一柵極結(jié)構(gòu)上和第二柵極結(jié)構(gòu)上的若干第一金屬層,第一...
          • 本公開(kāi)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件及其制備方法,所述方法包括:在襯底上形成柵極層;在所述柵極層上形成第一掩膜層;利用所述第一掩膜層對(duì)所述柵極層進(jìn)行刻蝕,形成柵極;對(duì)所述襯底進(jìn)行離子摻雜,以在所述柵極兩側(cè)形成源/漏區(qū);去除所述第一掩膜層;形成覆蓋...
          • 本公開(kāi)提供了一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、集成電路、存儲(chǔ)系統(tǒng),涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域,旨在解決低電壓晶體管背柵漏電的問(wèn)題。所述半導(dǎo)體器件包括襯底、第一絕緣層、第二絕緣層、半導(dǎo)體層、第一晶體管和第二晶體管。第一絕緣層設(shè)置于襯底一側(cè),包括第一部分...
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