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          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝穗姵睾陀秒娧b置。本申請(qǐng)的電池包括隔離膜、正極和負(fù)極,隔離膜包括聚丙烯膜;隔離膜的熱閉合溫度為T(mén)1,單位為℃;聚丙烯膜的熱閉合溫度為T(mén)2,單位為℃;正極的差示掃描量熱曲線(xiàn)的最大放熱峰強(qiáng)度為P,單位為mW/mg;當(dāng)0.15≤P≤0....
          • 本發(fā)明涉及鈉離子電池技術(shù)領(lǐng)域,具體公開(kāi)了一種鈉離子電池及其制備方法。一種鈉離子電池,其制備方法為:將第一有機(jī)溶劑、第一鈉鹽、正極成膜添加劑混合均勻得到第一電解液;將第二有機(jī)溶劑、第二鈉鹽、負(fù)極成膜添加劑混合均勻得到第二電解液;當(dāng)裸電芯置于外...
          • 本發(fā)明提供一種改善鋰離子電池高溫性能的電解液添加劑,包含該電解液添加劑的電解液以及該電解液的應(yīng)用。本發(fā)明提供的電解液添加劑結(jié)構(gòu)中具有立體結(jié)構(gòu)的不飽和環(huán)狀烯類(lèi)化合物,使用本發(fā)明的電解液制備的鋰離子電池能夠改善鋰離子電池高溫循環(huán)、高溫存儲(chǔ)性能。
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N組合物、電極極片、電池和用電裝置,組合物包括導(dǎo)電劑,導(dǎo)電劑包括第一導(dǎo)電碳材料和第二導(dǎo)電碳材料,第一導(dǎo)電碳材料包括球狀或類(lèi)球狀結(jié)構(gòu);第二導(dǎo)電碳材料包括片狀結(jié)構(gòu)或一維納米結(jié)構(gòu),其中,導(dǎo)電劑的平均比表面積BET0
          • 本申請(qǐng)涉及一種正極活性材料及制備方法、正極極片、電池和用電裝置,所述正極活性材料包括通式為L(zhǎng)iaLxNibCocMndM...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種負(fù)極活性材料、負(fù)極極片、二次電池及用電裝置,所述負(fù)極活性材料包括第一碳基材料以及第二碳基材料,其中,所述第一碳基材料包括再生石墨,所述第二碳基材料包括人造石墨二次顆粒,所述再生石墨在所述負(fù)極活性材料的質(zhì)量占比大于等于30%。...
          • 本發(fā)明涉及鋰離子電池領(lǐng)域,具體涉及一種過(guò)渡金屬離子大幅提高基于二維MnPS3負(fù)極儲(chǔ)鋰性能的方法。MnPS3二維薄片通過(guò)剝離其層狀前驅(qū)體獲得,將MnPS3二維薄片構(gòu)筑為宏觀(guān)電極...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種負(fù)極片、電池及用電裝置。所述負(fù)極片包括負(fù)極集流體以及位于所述負(fù)極集流體的至少一側(cè)的負(fù)極膜層,其中,所述負(fù)極膜層包括第一負(fù)極膜層和第二負(fù)極膜層,所述第二負(fù)極膜層位于所述第一負(fù)極膜層和所述負(fù)極集流體之間;所述第一負(fù)極膜層包括第一...
          • 本申請(qǐng)涉及二次電池技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種負(fù)極極片、二次電池和用電裝置。負(fù)極極片包括負(fù)極集流體、設(shè)置在所述負(fù)極集流體上第一負(fù)極膜層和設(shè)置在第一負(fù)極膜層的背離負(fù)極集流體的表面的第二負(fù)極膜層;其中,所述第一負(fù)極膜層包括再生石墨。本申請(qǐng)?zhí)峁┑呢?fù)極極...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種負(fù)極極片、二次電池及用電裝置,所述負(fù)極極片包括負(fù)極集流體、第一負(fù)極活性材料層以及第二負(fù)極活性材料層,在所述負(fù)極集流體的厚度方向,所述第一負(fù)極活性材料層位于所述負(fù)極集流體與所述第二負(fù)極活性材料層之間;所述第一負(fù)極活性材料層包括...
          • 本發(fā)明具體涉及一種鋅離子電池負(fù)極保護(hù)層的制備及應(yīng)用,屬于鋅離子電池技術(shù)領(lǐng)域。具體制備方法如下:(1)將金屬氟化物溶于去離子水中或者有機(jī)溶劑并持續(xù)砂浴,直至溶質(zhì)完全溶解,制備混金屬氟化物溶液;(2)金屬氟化物溶液冷卻后用于浸泡鋅板;(3)取出...
          • 本發(fā)明實(shí)施例提供一種晶圓、對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)及方法,其中,晶圓包括:晶圓本體,所述晶圓本體包括正面和背面;標(biāo)識(shí)圖形,位于所述晶圓本體的背面中且未貫穿所述晶圓本體。采用上述方案,能夠提高晶圓正面的使用面積。
          • 本發(fā)明提供了一種焊帶接觸測(cè)試方法以及一種焊帶接觸測(cè)試裝置。該焊帶接觸方法包括如下步驟:提供待測(cè)試器件,待測(cè)試器件包括連接電極和焊帶,焊帶有多個(gè),多個(gè)焊帶并列且間隔設(shè)置,連接電極設(shè)置于相鄰的兩個(gè)焊帶之間,且連接電極連接于相鄰的兩個(gè)焊帶,兩個(gè)焊...
          • 一種碳化硅晶圓的制造方法包含以下步驟。在第一碳化硅基材上形成碳化硅磊晶層。使用離子注入工藝在該碳化硅磊晶層中形成弱化層。使用激光剝離工藝在該弱化層中產(chǎn)生空腔弱化鍵結(jié)。破壞該弱化層的空腔弱化鍵結(jié),而使該碳化硅磊晶層分割為上碳化硅磊晶層及下碳化...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種自約束的橫向延展離子光學(xué)透鏡裝置,屬于團(tuán)簇離子透鏡裝置技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明一種自約束的橫向延展離子光學(xué)透鏡裝置包括:長(zhǎng)方體真空腔和離子透鏡裝置;離子透鏡裝置包括離子光學(xué)透鏡的入口狹縫、離子光學(xué)透鏡的出口狹縫和電極組;電極組包括錐...
          • 本申請(qǐng)涉及一種水流開(kāi)關(guān),用于安裝到具有水流通道的管道上,包括:殼體,包括具有第二開(kāi)口的殼本體、可拆離地封堵第二開(kāi)口的蓋、腔室;自復(fù)位開(kāi)關(guān),安裝到蓋,并包括伸入腔室內(nèi)的操作部,被配置為:電性連接到電路上,并響應(yīng)于操作部被操作而導(dǎo)通或切斷電路;...
          • 本發(fā)明涉及觸頭系統(tǒng)領(lǐng)域,涉及一種用于隔離開(kāi)關(guān)的觸頭系統(tǒng),該系統(tǒng)包括聯(lián)結(jié)板、動(dòng)觸頭,所述動(dòng)觸頭為單片式動(dòng)觸頭,以及用于連接聯(lián)結(jié)板和動(dòng)觸頭的基座,所述基座兩端分別設(shè)有插孔,聯(lián)結(jié)板與動(dòng)觸頭上均設(shè)有插接組件,聯(lián)結(jié)板與動(dòng)觸頭通過(guò)其上的插接組件與基座兩...
          • 本發(fā)明提供一種長(zhǎng)型按鍵結(jié)構(gòu),其可減少金屬動(dòng)件的振動(dòng)異音及按壓時(shí)行程的延遲,并提升按壓的手感。所述長(zhǎng)型按鍵結(jié)構(gòu)包括鍵帽、基板、支撐元件。所述支撐包括外剪框架、至少兩個(gè)內(nèi)剪框架及金屬補(bǔ)強(qiáng)板件。所述金屬補(bǔ)強(qiáng)板件結(jié)合外剪框架的表面上。
          • 本發(fā)明提供了一種基于光量子計(jì)算機(jī)的從頭藥物設(shè)計(jì)方法和裝置。其中的方法包括:獲取需要優(yōu)化的配體受體復(fù)合物結(jié)構(gòu);從配體受體復(fù)合物結(jié)構(gòu)中提取配體分子以及受體結(jié)構(gòu),并標(biāo)記所述配體分子中可優(yōu)化的部分,且預(yù)先設(shè)置用于進(jìn)行替換的片段庫(kù);根據(jù)所標(biāo)記的可優(yōu)化...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝朔肿芋w系基態(tài)能量值的輸出方法、介質(zhì)、系統(tǒng)和相關(guān)設(shè)備,所述方法包括:針對(duì)所述分子體系對(duì)應(yīng)的每個(gè)片段,根據(jù)指定的化學(xué)勢(shì)值,計(jì)算所述片段的基態(tài)能量值和電子數(shù);利用根據(jù)片段計(jì)算得到的總電子數(shù)和所述分子體系的總電子數(shù),迭代調(diào)整所述化學(xué)勢(shì)值...
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