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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本申請公開一種鈣鈦礦材料、太陽能電池及制備方法、用電設備及發(fā)電設備，鈣鈦礦材料的通式為MxFAyA1?x?yBX3，M包括含N元素的一價陽離子；FA為甲...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N鈣鈦礦材料、薄膜、太陽能電池以及用電裝置。鈣鈦礦材料包括鈣鈦礦基材和摻雜劑，所述摻雜劑包括摻雜陰離子，所述摻雜陰離子包括對甲苯磺酸根和苯乙酸根中的至少一種。該鈣鈦礦材料中，通過摻雜陰離子的引入可以改善鈣鈦礦層或鈣鈦礦薄膜的缺...
								
            
							
            
							
						
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								      一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。顯示基板包括驅(qū)動結(jié)構(gòu)層和發(fā)光結(jié)構(gòu)層，驅(qū)動結(jié)構(gòu)層包括多個電路單元，電路單元包括像素驅(qū)動電路、電源連接線以及第一電源線，像素驅(qū)動電路至少包括電源連接電極，電源連接電極與電源連接線連接，第一電源線通過電源過孔與...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件，涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明有機電致發(fā)光器件，包括基板、第一電極、有機功能層和第二電極，所述有機功能層位于第一電極和第二電極之間，所述有機功能層包括至少一個發(fā)光層，所述發(fā)光層包括主體材料、磷光敏化劑和含硼熒光材...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N太陽能電池和用電設備。太陽能電池包括活性層，所述活性層包括：吸光層、空穴傳輸層以及鈍化層，空穴傳輸層包括過渡金屬氧化物，以及鈍化層位于吸光層和空穴傳輸層之間，且鈍化層包括有機酸，有機酸中的酸性基團連接于有機酸中的環(huán)狀基團。太...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種疊層太陽電池、光伏組件、光伏系統(tǒng)、用電裝置和發(fā)電裝置，疊層太陽電池包括：第一電極層；第一光吸收層，設于第一電極層的一側(cè)；復合層，設于第一光吸收層背離第一電極層的一側(cè)，復合層包括主金屬元素單質(zhì)和摻雜金屬元素單質(zhì)，主金屬元素單質(zhì)包...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種太陽能電池及其制備方法、用電裝置和發(fā)電裝置，該太陽能電池通過在第一電荷傳輸層和光吸收層之間引入包括共價有機框架材料和銨鹽的功能層，調(diào)控鈣鈦礦結(jié)晶的同時實現(xiàn)缺陷鈍化；同時，共價有機框架材料能夠吸附銨鹽分解產(chǎn)生的氣體和鈣鈦礦材料...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N太陽能電池和用電設備。太陽能電池包括活性層，所述活性層包括依次層疊的三維鈣鈦礦層、第一載流子傳輸層；其中，所述第一載流子傳輸層內(nèi)在靠近所述三維鈣鈦礦層一側(cè)包括二維鈣鈦礦。該太陽能電池具有改善的光伏性能和熱穩(wěn)定性。
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N太陽能電池及其制備方法、用電裝置和發(fā)電裝置，該太陽能電池至少包括光吸收層，光吸收層包括光吸收材料和添加劑，添加劑包括第一基團和第二基團，第一基團包括苯基、烷基、苯胺基、咔唑基中的至少一個，第二基團包括羧基、磷酸基、銨根基團中的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N太陽能電池、用電裝置和發(fā)電裝置，太陽能電池的背電極層包括復合材料，太陽能電池包括貫穿功能層的溝槽，復合材料至少位于溝槽、覆蓋功能層朝向溝槽的側(cè)面或者填充溝槽，復合材料包括金屬有機框架材料和位于所述金屬有機框架材料中的金屬單質(zhì)或...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種太陽能電池及其制備方法、光伏組件、系統(tǒng)、用電裝置和發(fā)電裝置。該太陽能電池包括層疊設置的第一電極層、傳輸功能層、介孔鈍化層、鈣鈦礦吸光層和第二電極層；所述介孔鈍化層的組分包括介孔材料以及吸附于所述介孔材料孔隙中的含氮氣體，所述含...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N太陽能電池及其制備方法、用電裝置和發(fā)電裝置，其中，太陽能電池至少包括第一電荷傳輸層、鈣鈦礦層以及鈍化層，鈍化層位于第一電荷傳輸層和鈣鈦礦層之間，鈍化層包括金屬有機框架材料，金屬有機框架材料的端部基團至少包括羧酸基團，使得具有框...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N鈣鈦礦太陽能電池、制備方法、光伏系統(tǒng)、發(fā)電裝置以及用電裝置。鈣鈦礦太陽能電池包括依次層疊設置的第一電極、電荷提取層、第一鈍化層、鈣鈦礦層以及第二電極；所述電荷提取層的材料包括鎳氧化物，所述第一鈍化層的材料包括還原劑，所述還原...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種太陽能電池及其制備方法、光伏組件、系統(tǒng)、用電裝置和發(fā)電裝置。該太陽能電池包括層疊設置的第一電極層、第一吸光層、第一空穴傳輸層和第二電極層；所述第一空穴傳輸層的組分包括P型摻雜SnO2。該太陽能電池具有較高...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種太陽能電池及其制備方法、光伏發(fā)電系統(tǒng)及用電設備，太陽能電池包括導電基層，設置在導電基層上的第一光吸收層，以及與第一光吸收層層疊設置的第一電子傳輸層，第一光吸收層的帶隙寬度為0.90eV?1.60eV。上述太陽能電池的導電基層...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N太陽能電池組件及其制備方法、用電設備和發(fā)電設備，該太陽能電池組件包括溝槽，溝槽沿厚度方向至少貫穿功能層，功能層至少包括吸光層，太陽能電池組件包括量子點，量子點位于溝槽內(nèi)，量子點至少設置于功能層的側(cè)面形成保護層和/或填充于溝槽。...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N半導體器件及其制備方法和存儲系統(tǒng)，該半導體器件包括第一半導體結(jié)構(gòu)、第二半導體結(jié)構(gòu)、第一信號傳輸結(jié)構(gòu)和焊盤。第一半導體結(jié)構(gòu)包括晶體管，所述晶體管包括源/漏極摻雜區(qū)和柵極，第二半導體結(jié)構(gòu)連接在所述第一半導體結(jié)構(gòu)靠近所述柵極的一側(cè)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種半導體器件及其制備方法、三維存儲器和存儲系統(tǒng)。該半導體器件包括：半導體層；堆疊結(jié)構(gòu)，位于所述半導體層的一側(cè)，并包括沿第一方向交替堆疊的柵極層和第一層間介質(zhì)層；以及連接結(jié)構(gòu)，至少部分位于所述堆疊結(jié)構(gòu)中，并包括多個沿第二方向嵌套...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種半導體器件、存儲器系統(tǒng)以及半導體器件的制造方法。該半導體器件包括：第一半導體結(jié)構(gòu)，包括第一襯底和依次位于第一襯底一側(cè)的第一外圍電路和第一存儲單元陣列；以及第二半導體結(jié)構(gòu)，包括第二襯底和依次位于第二襯底一側(cè)的第二外圍電路...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種存儲陣列及其制備方法、存儲系統(tǒng)、電子設備，涉及半導體芯片技術(shù)領(lǐng)域。該存儲陣列包括電容結(jié)構(gòu)層和晶體管結(jié)構(gòu)層。電容結(jié)構(gòu)層包括多個電容單元以及嵌設在多個電容單元之間的支撐層，其中，電容單元包括：第一電極、第二電極和介電層。第一電極...
								
            
							
            
							
						
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