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								      本申請?zhí)峁┝艘环N太陽能電池和用電設(shè)備。太陽能電池包括活性層，所述活性層包括依次層疊的三維鈣鈦礦層、第一載流子傳輸層；其中，所述第一載流子傳輸層內(nèi)在靠近所述三維鈣鈦礦層一側(cè)包括二維鈣鈦礦。該太陽能電池具有改善的光伏性能和熱穩(wěn)定性。
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N太陽能電池及其制備方法、用電裝置和發(fā)電裝置，該太陽能電池至少包括光吸收層，光吸收層包括光吸收材料和添加劑，添加劑包括第一基團和第二基團，第一基團包括苯基、烷基、苯胺基、咔唑基中的至少一個，第二基團包括羧基、磷酸基、銨根基團中的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N太陽能電池、用電裝置和發(fā)電裝置，太陽能電池的背電極層包括復合材料，太陽能電池包括貫穿功能層的溝槽，復合材料至少位于溝槽、覆蓋功能層朝向溝槽的側(cè)面或者填充溝槽，復合材料包括金屬有機框架材料和位于所述金屬有機框架材料中的金屬單質(zhì)或...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種太陽能電池及其制備方法、光伏組件、系統(tǒng)、用電裝置和發(fā)電裝置。該太陽能電池包括層疊設(shè)置的第一電極層、傳輸功能層、介孔鈍化層、鈣鈦礦吸光層和第二電極層；所述介孔鈍化層的組分包括介孔材料以及吸附于所述介孔材料孔隙中的含氮氣體，所述含...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N太陽能電池及其制備方法、用電裝置和發(fā)電裝置，其中，太陽能電池至少包括第一電荷傳輸層、鈣鈦礦層以及鈍化層，鈍化層位于第一電荷傳輸層和鈣鈦礦層之間，鈍化層包括金屬有機框架材料，金屬有機框架材料的端部基團至少包括羧酸基團，使得具有框...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N鈣鈦礦太陽能電池、制備方法、光伏系統(tǒng)、發(fā)電裝置以及用電裝置。鈣鈦礦太陽能電池包括依次層疊設(shè)置的第一電極、電荷提取層、第一鈍化層、鈣鈦礦層以及第二電極；所述電荷提取層的材料包括鎳氧化物，所述第一鈍化層的材料包括還原劑，所述還原...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種太陽能電池及其制備方法、光伏組件、系統(tǒng)、用電裝置和發(fā)電裝置。該太陽能電池包括層疊設(shè)置的第一電極層、第一吸光層、第一空穴傳輸層和第二電極層；所述第一空穴傳輸層的組分包括P型摻雜SnO2。該太陽能電池具有較高...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種太陽能電池及其制備方法、光伏發(fā)電系統(tǒng)及用電設(shè)備，太陽能電池包括導電基層，設(shè)置在導電基層上的第一光吸收層，以及與第一光吸收層層疊設(shè)置的第一電子傳輸層，第一光吸收層的帶隙寬度為0.90eV?1.60eV。上述太陽能電池的導電基層...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N太陽能電池組件及其制備方法、用電設(shè)備和發(fā)電設(shè)備，該太陽能電池組件包括溝槽，溝槽沿厚度方向至少貫穿功能層，功能層至少包括吸光層，太陽能電池組件包括量子點，量子點位于溝槽內(nèi)，量子點至少設(shè)置于功能層的側(cè)面形成保護層和/或填充于溝槽。...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N半導體器件及其制備方法和存儲系統(tǒng)，該半導體器件包括第一半導體結(jié)構(gòu)、第二半導體結(jié)構(gòu)、第一信號傳輸結(jié)構(gòu)和焊盤。第一半導體結(jié)構(gòu)包括晶體管，所述晶體管包括源/漏極摻雜區(qū)和柵極，第二半導體結(jié)構(gòu)連接在所述第一半導體結(jié)構(gòu)靠近所述柵極的一側(cè)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種半導體器件及其制備方法、三維存儲器和存儲系統(tǒng)。該半導體器件包括：半導體層；堆疊結(jié)構(gòu)，位于所述半導體層的一側(cè)，并包括沿第一方向交替堆疊的柵極層和第一層間介質(zhì)層；以及連接結(jié)構(gòu)，至少部分位于所述堆疊結(jié)構(gòu)中，并包括多個沿第二方向嵌套...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種半導體器件、存儲器系統(tǒng)以及半導體器件的制造方法。該半導體器件包括：第一半導體結(jié)構(gòu)，包括第一襯底和依次位于第一襯底一側(cè)的第一外圍電路和第一存儲單元陣列；以及第二半導體結(jié)構(gòu)，包括第二襯底和依次位于第二襯底一側(cè)的第二外圍電路...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種存儲陣列及其制備方法、存儲系統(tǒng)、電子設(shè)備，涉及半導體芯片技術(shù)領(lǐng)域。該存儲陣列包括電容結(jié)構(gòu)層和晶體管結(jié)構(gòu)層。電容結(jié)構(gòu)層包括多個電容單元以及嵌設(shè)在多個電容單元之間的支撐層，其中，電容單元包括：第一電極、第二電極和介電層。第一電極...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施方式提供了一種半導體結(jié)構(gòu)、半導體結(jié)構(gòu)的制備方法以及存儲器系統(tǒng)，半導體結(jié)構(gòu)包括：存儲器單元以及第一外圍電路。第一外圍電路與多個存儲器單元連接，并包括感測結(jié)構(gòu)。至少部分第一外圍電路位于多個存儲器單元的正下方，以及感測結(jié)構(gòu)包括鰭式場效應(yīng)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法，半導體結(jié)構(gòu)的制備方法包括：于基底上堆疊形成n個疊層材料層組，疊層材料層組包括第一材料膜層與第二材料膜層；刻蝕n個疊層材料層組以n個第一開孔，其中，在由淺至深的各第一開孔中，第i個第一開孔貫穿i個疊層材料...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種水冷裝置，涉及換熱器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的水冷裝置包括柜體和換熱器，柜體一側(cè)設(shè)有側(cè)板和可開啟的副柜門，通過將柜體內(nèi)需要拆卸維護的各類部件布置在副柜門對應(yīng)的可操作區(qū)域，將無需拆卸的部件布置在側(cè)板對應(yīng)的區(qū)域，實現(xiàn)分區(qū)設(shè)計，滿足日常維護...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明適用于檢測箱技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種便攜式工控模塊檢測箱，包括：檢測箱本體，所述檢測箱本體包括有兩個側(cè)板以及一個背板、檢修門板，頂板以及底板，兩個所述側(cè)板以及一個背板、檢修門板、頂板以及所述底板相互之間通過螺栓螺母可拆卸固定連接，且連接處...
								
            
							
            
							
						
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								      本案為一種電源模塊及其適用的電源系統(tǒng)，所述電源模塊包含:主電路板，包含相對設(shè)置的第一面及第二面；多個夾片端子，分別設(shè)置于第一面及第二面的對稱位置上；外殼，包含第一側(cè)壁、第二側(cè)壁、第三側(cè)壁及容置空間，第三側(cè)壁的兩相對側(cè)邊分別連接于第一側(cè)壁及第...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開了一種上行傳輸方法及終端，屬于通信技術(shù)領(lǐng)域，本申請實施例的上行傳輸方法包括：終端執(zhí)行第一操作，所述第一操作包括如下兩者至少之一：在所述終端被配置或使能了上行靜默的情況下，根據(jù)第一上行傳輸?shù)男畔ⅲ_定所述第一上行傳輸是否進行上...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N通信方法及裝置，該方法包括：確定第一信息所關(guān)聯(lián)的第二信息所在的傳輸資源與第三信息所在的傳輸資源在時域上是否重疊；若該第二信息所在的傳輸資源與該第三信息所在的傳輸資源在時域上不重疊，向物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備發(fā)送該第一信息；若該第二信息所在...
								
            
							
            
							
						
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