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								      本申請實施例提供一種半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法，該半導體結(jié)構(gòu)包括：載板；多個發(fā)光單元，位于載板的一側(cè)，每個發(fā)光單元包括沿載板的表面間隔設(shè)置、發(fā)光波長不同的第一發(fā)光結(jié)構(gòu)、第二發(fā)光結(jié)構(gòu)以及第三發(fā)光結(jié)構(gòu)，第二發(fā)光結(jié)構(gòu)環(huán)繞第一發(fā)光結(jié)構(gòu)，第三發(fā)光結(jié)構(gòu)環(huán)繞...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種光伏組件的貼膜方法及貼膜系統(tǒng)，在所公開的貼膜方法中，將第一膜帶裁切成多個第一膜條，多個第一膜條沿第一方向陣列設(shè)置形成第一膜條組，驅(qū)動防護板移動至第一工位，并歸正；將第一膜條組沿第一方向分距鋪設(shè)后、加熱粘貼于位于第一工位的防護...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N固態(tài)成像器件及其加工方法和電子設(shè)備，該固態(tài)成像器件包括晶體管，該晶體管包括：基體材料層；柵極，該柵極位于該基體材料層上；側(cè)壁隔離層，該側(cè)壁隔離層位于該基體材料層上，該側(cè)壁隔離層與該柵極相鄰并位于該柵極兩側(cè)；源極和漏極，該源極...
								
            
							
            
							
						
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								      一種標準單元版圖結(jié)構(gòu)、標準單元庫及版圖布線方法。所述標準單元版圖結(jié)構(gòu)包括：第一MOS管版圖結(jié)構(gòu)；以及第二MOS管版圖結(jié)構(gòu)；其中，所述第一MOS管版圖結(jié)構(gòu)與所述第二MOS管版圖結(jié)構(gòu)具有第一公共柵極區(qū)；所述第一公共柵極區(qū)對應(yīng)于所述第一MOS管版...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提出了陣列基板及其制作方法、顯示面板。陣列基板包括依次層疊設(shè)置在襯底基板上的第一透明電極、絕緣層和第二透明電極，其中，所述絕緣層的材料包括在形成所述絕緣層的過程中產(chǎn)生氫離子的絕緣材料；以及緩沖層，所述緩沖層設(shè)置在所述第一透明電極和所述...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開了一種半導體器件、半導體晶圓及制備方法、存儲系統(tǒng)，半導體晶圓包括第一半導體基材、第二半導體基材及高K介電層，第二半導體基材與第一半導體基材相對設(shè)置；高K介電層設(shè)于第一半導體基材與第二半導體基材之間。本申請實施例提供的半導體晶...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種半導體器件及制備方法、封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備，涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，用于降低半導體器件的亞閾值擺幅以及器件功耗。該半導體器件包括：襯底；半導體層，半導體層設(shè)置在襯底上，半導體層包括源極區(qū)、離化區(qū)、以及設(shè)置在源極區(qū)和離化區(qū)之間的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種溝槽柵MOS器件及其制備方法，該溝槽柵MOS器件包括半導體結(jié)構(gòu)、體區(qū)、源區(qū)、第一溝槽結(jié)構(gòu)、第二溝槽結(jié)構(gòu)、源極、柵極及漏極，其中，半導體結(jié)構(gòu)包括層疊的緩沖層及漂移區(qū)；體區(qū)位于漂移區(qū)上表層；源區(qū)位于體區(qū)上表層；第一溝槽結(jié)構(gòu)包括第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N半導體器件、制備方法、集成電路及電子設(shè)備，半導體器件包括溝道層、溝道層上方的介質(zhì)層、位于溝道層和介質(zhì)層的相對兩側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)、以及金屬柵結(jié)構(gòu)，介質(zhì)層包括環(huán)形的第一介質(zhì)區(qū)和位于第一介質(zhì)區(qū)的相對兩側(cè)的第二介質(zhì)區(qū)，金屬柵結(jié)構(gòu)包裹...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開一種半導體器件及其制備方法、功率開關(guān)器件、電子設(shè)備，涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域。該半導體器件包括襯底、溝道層、勢壘層、柵帽層、第一鈍化層、第二鈍化層、源極和漏極。襯底具有第一表面。溝道層、勢壘層、柵帽層依次層疊設(shè)置在第一表面上。第一...
								
            
							
            
							
						
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								      電子裝置及終端設(shè)備。該電子裝置包括第一殼體、中間部件和第二殼體；該第一殼體和該第二殼體固定連接；該中間部件固定于該第一殼體和該第二殼體形成的空腔內(nèi)；該第一殼體包括外表面和內(nèi)表面，該內(nèi)表面為朝向該中間部件的一側(cè)表面，該外表面為與該內(nèi)表面的朝向...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種通信方法及裝置，其中，該方法包括：接收網(wǎng)絡(luò)設(shè)備發(fā)送的第一下行鏈路控制信息DCI，第一DCI指示半靜態(tài)調(diào)度SPS配置的物理下行鏈路共享信道PDSCH傳輸時機的使用情況。基于該方法，終端設(shè)備可以確定SPS配置的PDSCH傳輸時機...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N揚聲器保護方法、電子設(shè)備及計算機可讀存儲介質(zhì)，涉及終端技術(shù)領(lǐng)域，該方法應(yīng)用于包括功率放大器和揚聲器的電子設(shè)備，功率放大器與揚聲器連接。該揚聲器保護方法具體包括以下過程：顯示第一界面，第一界面包括用于觸發(fā)啟動揚聲器播放音頻數(shù)據(jù)的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N自動對焦方法、電子設(shè)備、存儲介質(zhì)及程序產(chǎn)品，屬于電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括：啟動RGB圖像傳感器和深度圖像傳感器；RGB圖像傳感器對第N幀的RGB數(shù)據(jù)進行曝光處理，深度圖像傳感器對第N幀對應(yīng)的深度數(shù)據(jù)進行處理；RGB圖像...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種頻偏估計方法、終端設(shè)備及存儲介質(zhì)，涉及無線通信技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：獲取連續(xù)的M個子幀信號中的第一時隙數(shù)據(jù)，并對第一時隙數(shù)據(jù)進行調(diào)制信息消除，得到對應(yīng)的頻譜數(shù)據(jù)；根據(jù)接收時間順序，將對應(yīng)的頻譜數(shù)據(jù)兩兩分組，在每組頻譜數(shù)據(jù)中添...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開一種通信方法及通信裝置，其中，該方法可包括：接收M個CG PUSCH配置；M為大于1的整數(shù)；發(fā)送UTO?UCI；其中，該UTO?UCI用于指示N個CG PUSCH配置中有效CG PUSCH傳輸時機的使用情況和/或未使用情況；該UT...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種電機、壓縮機和制冷設(shè)備，所述電機包括機殼和定子鐵芯；所述定子鐵芯設(shè)于所述機殼，所述定子鐵芯的中部設(shè)有中心孔，所述定子鐵芯包括軛部和沿所述軛部的內(nèi)周分布的多個齒部，所述軛部的外周設(shè)有與所述齒部徑向相對的焊接位，所述焊接位設(shè)有第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種連接器組件及電動車輛，連接器組件包括車端連接器與電池端連接器，電池端連接器設(shè)于電池包上，電動車輛寬度方向的兩側(cè)均設(shè)有車端連接器；沿著電動車輛的寬度方向，電池端連接器與車端連接器對接并形成電連接和/或液冷連接；位于電動車輛一側(cè)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種連接器支架及包含其的電動車輛，屬于電動車輛技術(shù)領(lǐng)域。連接器支架設(shè)于電動車輛上，連接器支架包括至少一個安裝板，安裝板設(shè)有車端連接器，用于和電池包上的電池端連接器對接；安裝板朝向電池包的一側(cè)還設(shè)有遮擋部，遮擋部位于車端連接器沿電...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N天線陣列，包括：至少一輻射模組及饋入模組，輻射模組包括輻射層及介質(zhì)層，輻射層包括若干輻射體，每一輻射體用于輻射信號；饋入模組包括饋入層及耦合層，饋入層設(shè)置有若干第一饋入線和若干第二饋入線，形成若干饋入單元，饋入單元用于為對應(yīng)的...
								
            
							
            
							
						
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