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            拖動(dòng)滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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								      一種高離子電導(dǎo)率聚合物電解質(zhì)組合物，所述聚合物電解質(zhì)組合物包括聚合物基底和納米顆粒填料，所述納米顆粒填料包括超小納米顆粒，所述超小納米顆粒表面接枝有導(dǎo)離子聚合物短鏈分子，所述超小納米顆粒的粒徑小于導(dǎo)離子聚合物短鏈分子的回轉(zhuǎn)半徑。本發(fā)明的納米...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種電池。本發(fā)明的電池包括負(fù)極和電解液，其中，電解液包括環(huán)狀腈類化合物，以電解液的總質(zhì)量為基準(zhǔn)，環(huán)狀腈類化合物的質(zhì)量含量為x wt％，負(fù)極包括負(fù)極集流體和在負(fù)極集流體任意一側(cè)表面的負(fù)極活性物質(zhì)層，負(fù)極活性物質(zhì)層含有凹部，凹部的寬...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種全電扣式電池的制作方法，包括以下步驟：A1、殼體制作：殼體采用全金屬或金屬加塑料進(jìn)行制作；A2、正、負(fù)極漿料制作；A3、正、負(fù)極蓋組制作；A4、填充；A5、干燥加工；A6、壓合；A7、浸泡；A8、隔膜加工；A9、成型。本發(fā)明...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N正極活性材料及其制備方法、正極極片、二次電池和用電裝置，正極活性材料包括鋰過(guò)渡金屬氧化物和包覆于所述鋰過(guò)渡金屬氧化物至少部分表面的導(dǎo)離子層，所述導(dǎo)離子層包含稀土溴化物固態(tài)電解質(zhì)。本申請(qǐng)?zhí)峁┑恼龢O活性材料可提升全固態(tài)電池的庫(kù)倫效...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)提供了一種封裝芯片及其制作方法、電子設(shè)備，封裝芯片包括基板、芯片和封裝部，基板包括設(shè)置于基板的表面的電連接部和接地部，電連接部與接地部間隔設(shè)置，芯片設(shè)置于基板的表面并與電連接部接觸。封裝部包括覆蓋芯片的絕緣層，以及覆蓋絕緣層的屏蔽層，...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成互連金屬層；形成覆蓋互連金屬層的平坦化層，平坦化層與互連金屬層電連接；在平坦化層頂部形成互連通孔結(jié)構(gòu)，互連通孔結(jié)構(gòu)與平坦化層電連接。本發(fā)明有利于保障半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、封裝結(jié)構(gòu)及方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：基底，基底中形成有多個(gè)相間隔的互連層；互連焊墊，位于互連層上且與互連層電連接；導(dǎo)電層，位于基底中，導(dǎo)電層包括相連的多個(gè)環(huán)狀結(jié)構(gòu)，環(huán)狀結(jié)構(gòu)環(huán)繞互連焊墊。本發(fā)明有利于提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中形成方法包括：提供第一襯底；在所述第一襯底上形成剝離層；在所述剝離層表面形成第一互連層，所述互連層包括與所述剝離層相接觸的剝離面；提供第二晶圓；將所述第一襯底與所述第二晶圓鍵合，使所述第一互連層與所述第二晶圓...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，形成方法包括：提供初始襯底；對(duì)所述初始襯底進(jìn)行預(yù)埋處理以形成第一晶圓，所述第一晶圓包括基底、位于所述基底上的剝離層以及位于所述剝離層上的有源層；提供第二晶圓，所述第二晶圓包括襯底以及所述襯底上的第一器件層；...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種承載裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，其中，所述承載裝置包括：基座、支撐機(jī)構(gòu)和夾持機(jī)構(gòu)；支撐機(jī)構(gòu)沿豎直方向穿設(shè)于基座，夾持機(jī)構(gòu)設(shè)于基座的外周，基座能夠相對(duì)支撐機(jī)構(gòu)升降；在基座由第一位置升高至第二位置的情況下...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種硅片溫度控制方法及硅片傳送裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)。硅片溫度控制方法中，并行執(zhí)行步驟A和步驟B，且控制承片臺(tái)不晚于上片轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)到達(dá)上片交接位置，可以保證上片轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)到達(dá)上片交接位置后第一時(shí)間便將硅片交接給承片臺(tái)。相較于現(xiàn)有技術(shù)中按序執(zhí)行...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種晶圓解鍵合方法和晶圓解鍵合裝置，涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，提供待解鍵合晶圓，所述待解鍵合晶圓包括相貼合的第一晶圓和第二晶圓，所述第一晶圓和所述第二晶圓之間形成所述待解鍵合晶圓的鍵合層，卡盤(pán)組件吸附所述待解鍵合晶圓；利用噴頭將流...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，涉及配電設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)應(yīng)用于旋轉(zhuǎn)開(kāi)關(guān)。該驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括轉(zhuǎn)軸模塊、鎖扣、操作件、第一彈性件和第二彈性件。其中，鎖扣轉(zhuǎn)動(dòng)連接于轉(zhuǎn)軸模塊。操作件安裝于轉(zhuǎn)軸模塊。第一彈性件抵接操作件和轉(zhuǎn)軸模塊。第二彈性件抵接操作件和...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、旋轉(zhuǎn)開(kāi)關(guān)及配電系統(tǒng)，涉及電氣設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)中轉(zhuǎn)軸模塊在第一位置時(shí)，殼體鎖定轉(zhuǎn)軸模塊的第一鎖定部。鎖扣連接于轉(zhuǎn)軸模塊或殼體。第一彈性件的第一端固定連接于轉(zhuǎn)軸模塊，第二端能夠在操作軸的帶動(dòng)下動(dòng)作，以被鎖扣鎖定。...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。該驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括轉(zhuǎn)軸模塊、鎖扣、操作件、第一彈性件和第二彈性件。鎖扣連接于轉(zhuǎn)軸模塊。操作件安裝于轉(zhuǎn)軸模塊。第一彈性件抵接操作件和轉(zhuǎn)軸模塊。第二彈性件抵接操作件和轉(zhuǎn)軸模塊。旋轉(zhuǎn)開(kāi)關(guān)處于分閘狀態(tài)時(shí)，操作件能夠從第一位...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種搭扣結(jié)構(gòu)及旋轉(zhuǎn)開(kāi)關(guān)，涉及電氣開(kāi)關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，該搭扣結(jié)構(gòu)包括相互配合的鎖扣件和跳扣件。鎖扣件與跳扣件處于第一搭扣狀態(tài)時(shí)，跳扣件對(duì)鎖扣件施加第一作用力，第一作用力產(chǎn)生的第一力矩能夠使鎖扣件鎖定跳扣件。鎖扣件與跳扣件處于第二搭扣狀態(tài)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種信息處理方法、裝置和系統(tǒng)。信息處理方法由計(jì)算機(jī)執(zhí)行，包括：獲取對(duì)象在預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)生命體征相關(guān)參數(shù)的數(shù)值；確定所述生命體征相關(guān)參數(shù)的數(shù)值處于預(yù)設(shè)數(shù)值區(qū)間內(nèi)的時(shí)間長(zhǎng)度；以及根據(jù)所述預(yù)設(shè)數(shù)值區(qū)間對(duì)應(yīng)的所述時(shí)間長(zhǎng)度以及所述預(yù)設(shè)數(shù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)一種存儲(chǔ)器裝置的編程方法、存儲(chǔ)器裝置及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。該編程方法包括：對(duì)選定字線施加編程電壓；對(duì)與所述選定字線相鄰的第一字線施加第一通過(guò)電壓；及對(duì)與所述選定字線相鄰的第二字線施加第二通過(guò)電壓；其中，所述第一通過(guò)電壓與所述第二通過(guò)...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)提供一種新型無(wú)電容動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)裝置，包括：N型寫(xiě)晶體管、P型讀晶體管以及設(shè)置在N型寫(xiě)晶體管和P型讀晶體管之間的互連結(jié)構(gòu)，N型寫(xiě)晶體管設(shè)置在P型讀晶體管的上方；N型寫(xiě)晶體管的端口包括N管源極WBL端、N管漏極以及N管柵極WWL端，N型寫(xiě)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種熱輔助磁頭，其包括滑塊以及設(shè)于滑塊的光源單元，通過(guò)提供中轉(zhuǎn)焊盤(pán)，且滑塊的第一光源焊盤(pán)與滑塊的第二光源焊盤(pán)并排設(shè)置于同一直線上，中轉(zhuǎn)焊盤(pán)不在該直線上，并使光源單元的第一極與第一光源焊盤(pán)電氣連接，光源單元的第二極與第二光源焊盤(pán)分...
								
            
							
            
							
						
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