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          • 本發(fā)明公開(kāi)一種絕緣結(jié)構(gòu)外包式直立型電連接器,其包括一絕緣結(jié)構(gòu)、復(fù)數(shù)個(gè)端子以及一金屬殼體。絕緣結(jié)構(gòu)包括一基座、一舌板以及兩個(gè)限位壁,舌板與兩個(gè)限位壁設(shè)置于基座,舌板位于兩個(gè)限位壁之間。每個(gè)端子包括一對(duì)接部、一固定部以及一焊接部,固定部結(jié)合于絕...
          • 本發(fā)明公開(kāi)一種電連接器組合及電子卡與公端電連接器擇一使用復(fù)合型母端電連接器。復(fù)合型母端電連接器包括一第一絕緣結(jié)構(gòu)、復(fù)數(shù)個(gè)第一端子、復(fù)數(shù)個(gè)第二端子以及一金屬殼體。第一絕緣結(jié)構(gòu)包括一基座以及一舌板,舌板從基座的一側(cè)沿一第一方向延伸,舌板包括一舌...
          • 本發(fā)明公開(kāi)一種電連接器組合及電子卡與公端電連接器雙容置復(fù)合型母端電連接器。復(fù)合型母端電連接器包括一第一絕緣結(jié)構(gòu)、復(fù)數(shù)個(gè)第一端子、復(fù)數(shù)個(gè)第二端子以及一金屬殼體。第一絕緣結(jié)構(gòu)包括一基座以及一舌板,舌板從基座的一側(cè)沿一第一方向延伸,舌板包括一舌板...
          • 本發(fā)明公開(kāi)一種電連接器組合及電子卡與公端電連接器擇一使用復(fù)合型母端電連接器。復(fù)合型母端電連接器包括一第一絕緣結(jié)構(gòu)、復(fù)數(shù)個(gè)第一端子、復(fù)數(shù)個(gè)第二端子以及一金屬殼體。第一絕緣結(jié)構(gòu)包括一結(jié)構(gòu)本體、一舌板、一第一容置槽以及一第二容置槽,第一容置槽與第...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種用于車(chē)輛的電池包和車(chē)輛。該電池包包括電池模組和殼體。殼體包括沿橫向設(shè)置的第一端部梁和側(cè)部梁。第一端部梁包括沿縱向延伸的第一連接段。側(cè)部梁沿縱向延伸并且包括與第一連接段相匹配的第二連接段;第二連接段與相應(yīng)的第一連接段沿橫向彼此...
          • 本申請(qǐng)的實(shí)施例提供一種電池、電池包及儲(chǔ)能裝置,電池包括殼體、多個(gè)電芯以及設(shè)在多個(gè)電芯中任意相鄰兩個(gè)電芯之間的隔板,多個(gè)電芯層疊設(shè)置在殼體內(nèi);隔板包括依次層疊設(shè)置的導(dǎo)熱層、隔熱層和導(dǎo)熱層,導(dǎo)熱層用于導(dǎo)熱,沿多個(gè)電芯的層疊方向,隔板的導(dǎo)熱層位于...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種用于電池極片或固態(tài)電池的氣體等靜壓方法和裝置。所述等靜壓方法包括以下步驟:將極片或固態(tài)電池電芯裝入鋁塑袋內(nèi),并對(duì)鋁塑袋進(jìn)行抽真空和密封處理;將密封后的鋁塑袋放入施壓倉(cāng)組件中,設(shè)定施壓壓力和維持時(shí)間;啟動(dòng)施壓功能,壓縮氣源供給...
          • 本發(fā)明提供了一種摻雜C3N4的銅金屬有機(jī)骨架電催化材料及其制備方法。步驟如下:首先將銅金屬有機(jī)骨架(Cu?MOF)與三聚氰胺反應(yīng),保證在水熱前提下,干燥之后生成前驅(qū)體。然后在氮?dú)鈿夥罩性O(shè)置溫度為6...
          • 本發(fā)明涉及一種硅碳顆粒負(fù)極材料及其制備方法與應(yīng)用,一種硅碳顆粒負(fù)極材料,硅碳顆粒負(fù)極材料包括:多孔碳基體,包覆于多孔碳基體的孔隙中和外表面的含硅包覆層,以及包覆于硅包覆層的外表面的碳包覆層;含硅包覆層為硅和/或硅的氧化物;硅的氧化物的化學(xué)通...
          • 本發(fā)明涉及一種鉛酸蓄電池極板浸泡設(shè)備,屬于鉛酸蓄電池的制造技術(shù)領(lǐng)域,解決了現(xiàn)有技術(shù)中鉛酸蓄電池使用壽命短的問(wèn)題。本發(fā)明包括浸泡池和輸送機(jī)構(gòu),所述輸送機(jī)構(gòu)的至少一部分位于所述浸泡池內(nèi),且從所述浸泡池的第一端延伸至第二端;還包括吸附機(jī)構(gòu),所述吸...
          • 本發(fā)明涉及集流體技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種增韌納米涂層集流體的制備方法。步驟1:(1)將小分子RAFT試劑、功能性單體、硬單體制備得到大分子RAFT試劑;(2)將大分子RAFT試劑先嵌段軟單體,然后嵌段硬單體,得到嵌段彈性體;步驟2:將導(dǎo)電劑、嵌...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、形成方法、半導(dǎo)體器件及電子裝置,包括基底和位于所述基底上的介質(zhì)層,所述介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)焊墊;所述焊墊的至少一個(gè)轉(zhuǎn)角為弧形墊角,所述弧形墊角具有能夠分散應(yīng)力的曲面。本申請(qǐng)?jiān)诮橘|(zhì)層中設(shè)置多個(gè)焊墊,該焊墊的至少一個(gè)轉(zhuǎn)角...
          • 本發(fā)明提供一種積層結(jié)構(gòu),包含基底、第一金屬圖案層、模封層以及第二金屬圖案層。第一金屬圖案層形成于基底上。模封層的至少一部分與第一金屬圖案層位于同一層。第二金屬圖案層形成于第一金屬圖案層上,且第二金屬圖案層具有顯露模封層的開(kāi)口圖案。第二金屬圖...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,旨在簡(jiǎn)化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中將通孔做成″酒杯狀″的工藝流程,減小晶圓被污染的風(fēng)險(xiǎn)。該方法包括提供襯底。在襯底的表面形成介質(zhì)層。在介質(zhì)層遠(yuǎn)離襯底的表面形成凹槽。利用反應(yīng)氣體,至少在凹...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N原位去除銅氧化物的方法,包括以下步驟:將次磷酸水溶液噴灑至銅氧化物的表面,所述次磷酸與所述銅氧化物反應(yīng)生成氫化亞銅;加熱分解所述氫化亞銅,原位形成銅單質(zhì)。本申請(qǐng)利用還原性的次磷酸與銅氧化物反應(yīng)生成固體氫化亞銅,生成的氫化亞銅...
          • 一種具有不同儲(chǔ)存框架的晶圓盒,所述晶圓盒包括一底座、一第一儲(chǔ)存框架、一第二儲(chǔ)存框架及一蓋體;所述第一儲(chǔ)存框架配置為儲(chǔ)存至少一第一晶圓片,所述第二儲(chǔ)存框架配置為儲(chǔ)存至少一第二晶圓片,所述第一晶圓片投影至所述底座的一圓周定義為一第一圓弧輪廓,所...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件的檢測(cè)方法、計(jì)算機(jī)設(shè)備、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)及計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品,半導(dǎo)體器件的檢測(cè)方法包括:獲取晶圓的晶圓殘差圖,所述晶圓殘差圖包括所述晶圓的多個(gè)檢測(cè)區(qū)域的灰度成像;獲取所述晶圓殘差圖上的至少一條灰度曲線段,所述灰度曲線段...
          • 一種激光輔助鍵合方法包括:將半導(dǎo)體芯片放置于基板上,其中所述半導(dǎo)體芯片在其前表面具有針對(duì)紅外光線的抗反射層,并且在所述基板與所述半導(dǎo)體芯片之間形成有焊料凸塊;以及將紅外激光束通過(guò)所述抗反射層照射到所述半導(dǎo)體芯片,以通過(guò)被所述半導(dǎo)體芯片吸收的...
          • 本申請(qǐng)涉及一種旋鈕模組、旋鈕模組的狀態(tài)確定方法、裝置及電子設(shè)備,旋鈕模組包括:控制器、旋鈕、凸輪、第一機(jī)械開(kāi)關(guān)和第二機(jī)械開(kāi)關(guān);旋鈕與凸輪連接,凸輪包括層疊設(shè)置的第一區(qū)間和第二區(qū)間,第一區(qū)間包括多個(gè)第一凸起點(diǎn),第二區(qū)間包括多個(gè)第二凸起點(diǎn);其中...
          • 本發(fā)明提供了一種多孔碳納米纖維/多孔泡沫石墨烯/聚吡咯三元電極材料的制備方法,其包括如下步驟:1)多孔碳納米纖維的制備;2)多孔泡沫石墨烯的制備;3)將多孔碳納米纖維、多孔泡沫石墨烯、聚吡咯、乙炔黑和PTFE混合在無(wú)水乙醇中,超聲分散40m...
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