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								      一種修復(fù)晶圓的方法包含研磨晶圓，以在晶圓的表面形成損傷層，執(zhí)行第一退火工藝，以將損傷層的下部轉(zhuǎn)換成再生長(zhǎng)層，且再生長(zhǎng)層在晶圓上，在損傷層上形成金屬層，以及執(zhí)行第二退火工藝，以將損傷層與金屬層轉(zhuǎn)換成合金層，且合金層在再生長(zhǎng)層上。此方法可消除由...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體裝置及其形成方法。半導(dǎo)體裝置包括具有第一導(dǎo)電類型的襯底、形成于襯底上且具有第一導(dǎo)電類型的一外延層、具有第二導(dǎo)電類型的多個(gè)摻雜部、溝槽結(jié)構(gòu)、具有第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)以及形成于外延層上且對(duì)應(yīng)阱區(qū)的一柵極結(jié)構(gòu)。外延層包括形成于襯...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種具有半共形結(jié)構(gòu)的二維材料/硅異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器及其制備方法，所述的異質(zhì)結(jié)光電器件包括金字塔硅、二氧化硅層、鉻/金電極、單層二維材料、原位生長(zhǎng)的二維材料。所述制備方法具體步驟為：采用光刻和等離子刻蝕技術(shù)在硅/二氧化硅片上刻蝕出硅...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種紅外和可見光芯片集成封裝結(jié)構(gòu)及制作方法，將紅外芯片和可見光芯片集成在同一平面，紅外芯片和可見光芯片之間設(shè)有微流道，冷卻液通過(guò)微流道能夠?qū)梢姽庑酒M(jìn)行降溫，避免可見光芯片感光過(guò)程中產(chǎn)生的熱量對(duì)紅外芯片靈敏度產(chǎn)生影響，同時(shí)冷卻液...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，具體提供一種發(fā)光面板及制備方法以及顯示面板，旨在解決現(xiàn)有發(fā)光面板在最外圍區(qū)域存在暗淡的問題。為此目的，本發(fā)明的發(fā)光面板包括基板、擋墻和發(fā)光元件，基板包括第一區(qū)、圍繞第一區(qū)的第三區(qū)和位于第三區(qū)和第一區(qū)之間的第二區(qū)；擋墻設(shè)置...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于使用機(jī)加工設(shè)備使光學(xué)鏡片成形的方法，該機(jī)加工設(shè)備配備有：封阻裝置，該封阻裝置用于對(duì)光學(xué)鏡片進(jìn)行封阻；機(jī)加工工具，該機(jī)加工工具用于對(duì)光學(xué)鏡片的表面(S0)進(jìn)行機(jī)加工；以及力傳感器，該力傳感器適于測(cè)量與機(jī)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種基于區(qū)塊鏈的自動(dòng)化測(cè)試方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品，屬于自動(dòng)測(cè)試領(lǐng)域。方法包括：向區(qū)塊鏈發(fā)布測(cè)試任務(wù)請(qǐng)求；接收所述區(qū)塊鏈執(zhí)行所述測(cè)試任務(wù)請(qǐng)求對(duì)應(yīng)的測(cè)試任務(wù)后，獲得的測(cè)試任務(wù)數(shù)據(jù)以及所述測(cè)試任務(wù)對(duì)應(yīng)的測(cè)試時(shí)間數(shù)據(jù)；運(yùn)行智能合約...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種問答模型訓(xùn)練方法和裝置，屬于人工智能領(lǐng)域。所述問答模型訓(xùn)練方法，包括：獲取樣本問題；將所述樣本問題輸入至問答模型，在所述樣本問題為復(fù)雜問題的情況下，所述問答模型將所述樣本問題順次拆分為多個(gè)子問題；基于各所述子問題對(duì)應(yīng)的預(yù)測(cè)答...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種語(yǔ)言模型的訓(xùn)練方法、文本預(yù)測(cè)方法、裝置、設(shè)備和介質(zhì)，涉及機(jī)器學(xué)習(xí)領(lǐng)域。該方法包括：獲取第一對(duì)話內(nèi)容；通過(guò)第一語(yǔ)言模型對(duì)所述第一對(duì)話內(nèi)容進(jìn)行答復(fù)內(nèi)容預(yù)測(cè)，得到第一預(yù)測(cè)結(jié)果；通過(guò)第二語(yǔ)言模型對(duì)所述第一對(duì)話內(nèi)容進(jìn)行答復(fù)內(nèi)容預(yù)測(cè)，得...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了AI模型的訓(xùn)練方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。該方法包括：獲取AI模型的訓(xùn)練樣本集，AI模型包括N個(gè)模型層；從N個(gè)模型層中，確定保留的M個(gè)模型層，其中，N個(gè)模型層中除M個(gè)模型層之外的剩余模型層，在采用AI模型對(duì)各個(gè)訓(xùn)練樣本進(jìn)行處理時(shí)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種基于顯式和隱式去冗余表示學(xué)習(xí)的信息運(yùn)維專業(yè)知識(shí)檢索方法，包括構(gòu)建信息運(yùn)維專業(yè)知識(shí)檢索數(shù)據(jù)集、構(gòu)建信息運(yùn)維專業(yè)知識(shí)檢索模型、訓(xùn)練信息運(yùn)維專業(yè)知識(shí)檢索模型和信息運(yùn)維專業(yè)知識(shí)檢索等步驟。本發(fā)明提供的基于顯式和隱式去冗余表示學(xué)習(xí)的信息...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了異常處理方法、裝置、電子設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，一具體實(shí)施方式包括通過(guò)響應(yīng)于異常處理請(qǐng)求，確定對(duì)應(yīng)的風(fēng)控類型標(biāo)識(shí)和業(yè)務(wù)標(biāo)識(shí)；基于風(fēng)控類型標(biāo)識(shí)，確定對(duì)應(yīng)的風(fēng)控處理核心模塊和調(diào)用順序；根據(jù)業(yè)務(wù)標(biāo)識(shí)，獲取風(fēng)控處理核心...
								
            
							
            
							
						
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								      一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包含：提供基板，其中基板包含碳化硅材料；形成第一氧化物層，在第一溫度和氧氣的存在下，經(jīng)由熱氧化工藝在基板上形成第一氧化物層，其中第一溫度高于1000℃；形成第二氧化物層，在第二溫度下，經(jīng)由沉積工藝在第一氧化物層上形...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種包括半導(dǎo)體堆疊的晶體管裝置，半導(dǎo)體堆疊包括具有第一導(dǎo)電類型的漂移層、漂移層上方且具有第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)域，以及漂移層上方且具有第二導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)域，其中第二摻雜區(qū)域的深度大于第一摻雜區(qū)域的深度。晶體管裝置包括嵌入半...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括碳化硅基板、碳化硅緩沖層以及磊晶層。碳化硅緩沖層設(shè)置在碳化硅基板上。磊晶層設(shè)置在碳化硅緩沖層上，其中碳化硅緩沖層的碳摩爾數(shù)與硅摩爾數(shù)的比值沿著碳化硅基板至磊晶層的方向漸增。通過(guò)在形成磊晶層之前先形成具有梯度式變化的碳摩爾數(shù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，所述制備方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，其上包括柵極結(jié)構(gòu)及位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源漏區(qū)域；在半導(dǎo)體襯底上依次形成第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)及第二側(cè)墻結(jié)構(gòu)，第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)及第二側(cè)墻結(jié)構(gòu)均包括位于柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的側(cè)墻部，第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，針對(duì)某些晶體管驅(qū)動(dòng)不足時(shí)性能降低、飽和電流退化嚴(yán)重的問題，將這些晶體管溝道區(qū)上的柵氧化層由原先的第一柵氧化層和第二柵氧化層堆疊而成的雙層?xùn)叛趸瘜犹鎿Q為一層更薄且質(zhì)量更致密的第三柵氧化層，且將這些晶體管的...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種制備半導(dǎo)體裝置的方法，包含：提供基板；形成圖案化遮罩于基板上；使用圖案化遮罩蝕刻基板，以形成溝槽；沉積材料層于圖案化遮罩上與溝槽中，于溝槽中形成通道，其中材料層為寬能隙半導(dǎo)體材料；移除圖案化遮罩與位于圖案化遮罩上的材料層；以及形成多...
								
            
							
            
							
						
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								      本揭示內(nèi)容的一些實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體元件，包含基板、多個(gè)第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)、多個(gè)第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)以及導(dǎo)電觸點(diǎn)。第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)設(shè)置于基板中。第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)設(shè)置于基板中。導(dǎo)電觸點(diǎn)設(shè)置于基板中，其中第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)位于導(dǎo)電觸點(diǎn)與第二導(dǎo)電型摻雜...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實(shí)施例提供了一種N型TOPCon電池及其制備方法，其中，本發(fā)明實(shí)施例所提供的N型TOPCon電池的制備方法，省去了對(duì)硼摻雜處理后硅片進(jìn)行激光摻雜處理的步驟，但在電極燒結(jié)及光注入之后，對(duì)電池片進(jìn)行激光照射同時(shí)施加偏轉(zhuǎn)電，使得激光形成的電...
								
            
							
            
							
						
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