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								      本申請?zhí)峁┝艘环N組裝一致性評價方法、組裝方法、設備、系統(tǒng)和介質，屬于智能制造技術領域，該組裝一致性評價方法包括：在將第一組件與第二組件連接為整體后，以激勵信號激勵所述整體，并獲取所述整體響應所述激勵信號所產(chǎn)生的響應信號，然后根據(jù)激勵信號和響...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種轉光劑、膠膜組合物、波長轉換膠膜和光伏組件。該轉光劑的化學結構式為式I～式Ⅳ所示的至少一種。
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種游戲應用的性能測試方法、裝置、設備、介質和程序，可應用于游戲，該方法包括：游戲終端根據(jù)測試設備發(fā)送的移動指令，控制游戲應用的視野瞬移到移動指令對應的目標位置，根據(jù)測試設備發(fā)送的第一測試指令控制當前關卡內各類型的虛擬對象整...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種文本處理方法、電子設備、計算機可讀存儲介質和計算機程序產(chǎn)品，涉及大模型技術中的數(shù)據(jù)處理領域。其中，該方法包括：獲取待處理文本；利用客戶端上存儲的文本處理模型的第一模型參數(shù)，對待處理文本中的第一文本進行預填充處理，得到第一文本...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種柵極側墻制作方法及半導體器件，在NMOS區(qū)域上的第一柵極結構和在PMOS區(qū)域的第二柵極結構的側壁形成柵極側墻時，先形成均包括第一膜層、第二膜層和第三膜層的側墻，其中，第二膜層的K值小于第一膜層和第三膜層的K值，而后去除所述第二...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用層間電偶極子調控金屬?半導體接觸的方法，包括以下步驟：提供一二維范德華超晶格金屬材料和二維半導體；測試二維范德華超晶格金屬材料表面偶極子方向；根據(jù)需要通過機械剝離切換二維范德華超晶格金屬材料的終止面；將需要的二維范德華超晶格金屬材料與...
								
            
							
            
							
						
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								      一種具有高低壓元件及電容的半導體集成結構的制造方法，包括：形成底部熱氧化層于基板上；形成化學氣相沉積氧化層完全覆蓋底部熱氧化層；形成多晶硅硬屏蔽層完全覆蓋化學氣相沉積氧化層；蝕刻多晶硅硬屏蔽層，而同時形成高壓多晶硅硬屏蔽于高壓元件區(qū)與第一電...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝酥苽涔こ袒头枪こ袒疺δ1T細胞的方法及其用途。Vδ1T細胞可用于治療各種癌癥、傳染病和免疫障礙。本申請還提供了用于將工程化和非工程化Vδ1T細胞群擴增至治療有用量的方法。工程化Vδ1T細胞可以是通用供體，并且可以施用于具有任何...
								
            
							
            
							
						
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								      雷達裝置具備：等間隔地配置的多個發(fā)送天線和等間隔地配置的多個接收天線；Ns個發(fā)送電路；Nr個接收電路；以及控制部。Ns和Nr分別為2以上的整數(shù)。多個發(fā)送天線和多個接收天線被配置為：在虛擬天線的群組之間虛擬位置重疊且發(fā)送電路和接收電路的組合不...
								
            
							
            
							
						
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								      根據(jù)本公開的實施例的電池模塊可以包括：殼體，該殼體形成外觀；電池單體，該電池單體容納在殼體的內部；電路單元，該電路單元位于殼體的內表面與電池單體之間，并且與電池單體連接以發(fā)送和接收電信號；溫度測量單元，該溫度測量單元位于電路單元的面對電池單...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種機器人多用焊接頭及其使用方法，包括安裝在所述機械臂上的視覺識別部以及轉換部，所述轉換部上安裝有弧焊部和點焊部，所述轉換部用于切換兩組焊接工作狀態(tài)。本發(fā)明能夠根據(jù)焊接需要快速切換焊接槍，避免切換焊接槍的繁瑣，提高生產(chǎn)效率；同時...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種處理器驗證方法、裝置、設備、存儲介質以及程序產(chǎn)品，涉及計算機技術領域，尤其涉及處理器技術、處理器驗證、芯片技術領域。具體實現(xiàn)方案為：響應于針對處理器的驗證請求，生成驗證文件，驗證文件包括中斷函數(shù)、目標數(shù)據(jù)和功能指令；在中斷函...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種技能施放漏洞的呈現(xiàn)方法及相關設備，可以展示技能可視化界面；響應于對技能施放歷史文件的讀取操作，對記錄的技能施放歷史文件進行解析，得到技能施放關鍵點的時序信息和參數(shù)信息；基于時序信息在技能關鍵點展示區(qū)域展示對應技能施放關鍵點的...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實施例涉及一種應用程序的繪制檢測方法、裝置、設備及介質，其中該方法包括：獲取目標應用程序從測試頁面切換到參考頁面之后的目標繪制數(shù)據(jù)，其中，目標繪制數(shù)據(jù)包括視圖繪制數(shù)據(jù)和繪制調用棧數(shù)據(jù)；基于視圖繪制數(shù)據(jù)和繪制調用棧數(shù)據(jù)確定測試頁面的繪制...
								
            
							
            
							
						
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								      公開一種信息處理裝置、信息處理方法和計算機可讀存儲介質。信息處理裝置可以包括確定單元，被配置成在從輸入數(shù)據(jù)提取的第一關鍵詞不包括在預定數(shù)據(jù)集中的與所述第一關鍵詞對應的第一子集中的情況下，確定需要針對所述輸入數(shù)據(jù)的輔助信息；以及輔助信息獲取單...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種基于分類模型的分類任務執(zhí)行方法、裝置及設備，涉及人工智能技術領域。該方法包括：獲取與第一分類任務相關的第一文本；將第一文本與無語義字符進行結合，得到第一輸入信息；通過分類模型，根據(jù)第一輸入信息，得到多個子網(wǎng)絡分別對應的輸出信...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種結合圖神經(jīng)網(wǎng)絡和提示調優(yōu)的低資源文本分類方法，可以以雙管齊下的方式解決低資源文本分類問題，該方法包含以下步驟：導入數(shù)據(jù)集，其中包括低資源文本數(shù)據(jù)和圖；多模態(tài)特征提取，使用雙編碼器架構，通過一個transformer文本編碼器...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開一種文本分類方法、裝置、計算機設備及存儲介質。包括：通過獲取初始文本，通過預設的知識圖譜中的實體以及實體關系對初始文本進行文本匹配，得到目標文本；基于目標文本進行提示文本編寫，得到目標文本對應的提示文本；將目標文本和提示文本...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種面向司法領域的多跳問答方法，根據(jù)法律文本構建出多粒度圖，使用圖注意Transformer模型對多粒度圖進行建模，同時兼顧多粒度圖中的圖結構信息和遠節(jié)點的信息，并將圖信息融入文本信息中，對文本信息進行增強，提高模型的推理能力，...
								
            
							
            
							
						
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								      一種修復晶圓的方法包含研磨晶圓，以在晶圓的表面形成損傷層，執(zhí)行第一退火工藝，以將損傷層的下部轉換成再生長層，且再生長層在晶圓上，在損傷層上形成金屬層，以及執(zhí)行第二退火工藝，以將損傷層與金屬層轉換成合金層，且合金層在再生長層上。此方法可消除由...
								
            
							
            
							
						
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