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          • 提供了一種圖像編碼/解碼方法和裝置、存儲比特流的記錄介質(zhì)以及傳輸方法。圖像解碼方法包括以下步驟:確定當(dāng)前塊是否處于幀內(nèi)模板匹配模式;在多個模板形狀候選中確定當(dāng)前塊的模板形狀;根據(jù)模板形狀,基于當(dāng)前模板來搜索參考模板;以及基于參考模板來生成當(dāng)...
          • 本申請實施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法,該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:載板;多個發(fā)光單元,位于載板的一側(cè),每個發(fā)光單元包括沿載板的表面間隔設(shè)置、發(fā)光波長不同的第一發(fā)光結(jié)構(gòu)、第二發(fā)光結(jié)構(gòu)以及第三發(fā)光結(jié)構(gòu),第二發(fā)光結(jié)構(gòu)環(huán)繞第一發(fā)光結(jié)構(gòu),第三發(fā)光結(jié)構(gòu)環(huán)繞...
          • 本申請公開了一種光伏組件的貼膜方法及貼膜系統(tǒng),在所公開的貼膜方法中,將第一膜帶裁切成多個第一膜條,多個第一膜條沿第一方向陣列設(shè)置形成第一膜條組,驅(qū)動防護(hù)板移動至第一工位,并歸正;將第一膜條組沿第一方向分距鋪設(shè)后、加熱粘貼于位于第一工位的防護(hù)...
          • 本申請?zhí)峁┝艘环N固態(tài)成像器件及其加工方法和電子設(shè)備,該固態(tài)成像器件包括晶體管,該晶體管包括:基體材料層;柵極,該柵極位于該基體材料層上;側(cè)壁隔離層,該側(cè)壁隔離層位于該基體材料層上,該側(cè)壁隔離層與該柵極相鄰并位于該柵極兩側(cè);源極和漏極,該源極...
          • 一種標(biāo)準(zhǔn)單元版圖結(jié)構(gòu)、標(biāo)準(zhǔn)單元庫及版圖布線方法。所述標(biāo)準(zhǔn)單元版圖結(jié)構(gòu)包括:第一MOS管版圖結(jié)構(gòu);以及第二MOS管版圖結(jié)構(gòu);其中,所述第一MOS管版圖結(jié)構(gòu)與所述第二MOS管版圖結(jié)構(gòu)具有第一公共柵極區(qū);所述第一公共柵極區(qū)對應(yīng)于所述第一MOS管版...
          • 本發(fā)明提出了陣列基板及其制作方法、顯示面板。陣列基板包括依次層疊設(shè)置在襯底基板上的第一透明電極、絕緣層和第二透明電極,其中,所述絕緣層的材料包括在形成所述絕緣層的過程中產(chǎn)生氫離子的絕緣材料;以及緩沖層,所述緩沖層設(shè)置在所述第一透明電極和所述...
          • 本申請實施例公開了一種半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體晶圓及制備方法、存儲系統(tǒng),半導(dǎo)體晶圓包括第一半導(dǎo)體基材、第二半導(dǎo)體基材及高K介電層,第二半導(dǎo)體基材與第一半導(dǎo)體基材相對設(shè)置;高K介電層設(shè)于第一半導(dǎo)體基材與第二半導(dǎo)體基材之間。本申請實施例提供的半導(dǎo)體晶...
          • 本申請實施例提供一種半導(dǎo)體器件及制備方法、封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,用于降低半導(dǎo)體器件的亞閾值擺幅以及器件功耗。該半導(dǎo)體器件包括:襯底;半導(dǎo)體層,半導(dǎo)體層設(shè)置在襯底上,半導(dǎo)體層包括源極區(qū)、離化區(qū)、以及設(shè)置在源極區(qū)和離化區(qū)之間的...
          • 本發(fā)明提供一種溝槽柵MOS器件及其制備方法,該溝槽柵MOS器件包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、體區(qū)、源區(qū)、第一溝槽結(jié)構(gòu)、第二溝槽結(jié)構(gòu)、源極、柵極及漏極,其中,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括層疊的緩沖層及漂移區(qū);體區(qū)位于漂移區(qū)上表層;源區(qū)位于體區(qū)上表層;第一溝槽結(jié)構(gòu)包括第一...
          • 本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件、制備方法、集成電路及電子設(shè)備,半導(dǎo)體器件包括溝道層、溝道層上方的介質(zhì)層、位于溝道層和介質(zhì)層的相對兩側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)、以及金屬柵結(jié)構(gòu),介質(zhì)層包括環(huán)形的第一介質(zhì)區(qū)和位于第一介質(zhì)區(qū)的相對兩側(cè)的第二介質(zhì)區(qū),金屬柵結(jié)構(gòu)包裹...
          • 本申請實施例公開一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、功率開關(guān)器件、電子設(shè)備,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該半導(dǎo)體器件包括襯底、溝道層、勢壘層、柵帽層、第一鈍化層、第二鈍化層、源極和漏極。襯底具有第一表面。溝道層、勢壘層、柵帽層依次層疊設(shè)置在第一表面上。第一...
          • 電子裝置及終端設(shè)備。該電子裝置包括第一殼體、中間部件和第二殼體;該第一殼體和該第二殼體固定連接;該中間部件固定于該第一殼體和該第二殼體形成的空腔內(nèi);該第一殼體包括外表面和內(nèi)表面,該內(nèi)表面為朝向該中間部件的一側(cè)表面,該外表面為與該內(nèi)表面的朝向...
          • 本申請公開了一種通信方法及裝置,其中,該方法包括:接收網(wǎng)絡(luò)設(shè)備發(fā)送的第一下行鏈路控制信息DCI,第一DCI指示半靜態(tài)調(diào)度SPS配置的物理下行鏈路共享信道PDSCH傳輸時機(jī)的使用情況。基于該方法,終端設(shè)備可以確定SPS配置的PDSCH傳輸時機(jī)...
          • 本申請?zhí)峁┮环N揚聲器保護(hù)方法、電子設(shè)備及計算機(jī)可讀存儲介質(zhì),涉及終端技術(shù)領(lǐng)域,該方法應(yīng)用于包括功率放大器和揚聲器的電子設(shè)備,功率放大器與揚聲器連接。該揚聲器保護(hù)方法具體包括以下過程:顯示第一界面,第一界面包括用于觸發(fā)啟動揚聲器播放音頻數(shù)據(jù)的...
          • 本申請?zhí)峁┝艘环N自動對焦方法、電子設(shè)備、存儲介質(zhì)及程序產(chǎn)品,屬于電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括:啟動RGB圖像傳感器和深度圖像傳感器;RGB圖像傳感器對第N幀的RGB數(shù)據(jù)進(jìn)行曝光處理,深度圖像傳感器對第N幀對應(yīng)的深度數(shù)據(jù)進(jìn)行處理;RGB圖像...
          • 本申請公開了一種頻偏估計方法、終端設(shè)備及存儲介質(zhì),涉及無線通信技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括:獲取連續(xù)的M個子幀信號中的第一時隙數(shù)據(jù),并對第一時隙數(shù)據(jù)進(jìn)行調(diào)制信息消除,得到對應(yīng)的頻譜數(shù)據(jù);根據(jù)接收時間順序,將對應(yīng)的頻譜數(shù)據(jù)兩兩分組,在每組頻譜數(shù)據(jù)中添...
          • 本申請公開一種通信方法及通信裝置,其中,該方法可包括:接收M個CG PUSCH配置;M為大于1的整數(shù);發(fā)送UTO?UCI;其中,該UTO?UCI用于指示N個CG PUSCH配置中有效CG PUSCH傳輸時機(jī)的使用情況和/或未使用情況;該UT...
          • 本發(fā)明公開一種電機(jī)、壓縮機(jī)和制冷設(shè)備,所述電機(jī)包括機(jī)殼和定子鐵芯;所述定子鐵芯設(shè)于所述機(jī)殼,所述定子鐵芯的中部設(shè)有中心孔,所述定子鐵芯包括軛部和沿所述軛部的內(nèi)周分布的多個齒部,所述軛部的外周設(shè)有與所述齒部徑向相對的焊接位,所述焊接位設(shè)有第一...
          • 本發(fā)明公開了一種連接器組件及電動車輛,連接器組件包括車端連接器與電池端連接器,電池端連接器設(shè)于電池包上,電動車輛寬度方向的兩側(cè)均設(shè)有車端連接器;沿著電動車輛的寬度方向,電池端連接器與車端連接器對接并形成電連接和/或液冷連接;位于電動車輛一側(cè)...
          • 本發(fā)明公開了一種連接器支架及包含其的電動車輛,屬于電動車輛技術(shù)領(lǐng)域。連接器支架設(shè)于電動車輛上,連接器支架包括至少一個安裝板,安裝板設(shè)有車端連接器,用于和電池包上的電池端連接器對接;安裝板朝向電池包的一側(cè)還設(shè)有遮擋部,遮擋部位于車端連接器沿電...
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