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								      本公開(kāi)實(shí)施例公開(kāi)了一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)及其操作方法、存儲(chǔ)裝置及其操作方法。該存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括至少一個(gè)存儲(chǔ)器裝置以及至少一個(gè)存儲(chǔ)器控制器；至少一個(gè)存儲(chǔ)器裝置內(nèi)各存儲(chǔ)面中的第k個(gè)存儲(chǔ)塊構(gòu)成一個(gè)超級(jí)存儲(chǔ)塊，多個(gè)超級(jí)存儲(chǔ)塊構(gòu)成一個(gè)虛擬存儲(chǔ)塊，每個(gè)虛擬存儲(chǔ)塊...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種基因組數(shù)據(jù)分析方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及基因檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。方法包括：對(duì)待檢測(cè)全基因組數(shù)據(jù)進(jìn)行菌種鑒定，確定待檢測(cè)全基因組數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的菌種類(lèi)型；若菌種類(lèi)型為目標(biāo)桿菌類(lèi)型，則確定待檢測(cè)全基因組數(shù)據(jù)與目標(biāo)桿菌類(lèi)型對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種不同物種間特征肽的篩選方法，所述篩選方法有效解決了因物種蛋白數(shù)據(jù)庫(kù)信息缺乏以及物種間種屬相近導(dǎo)致的物種特征肽誤判或漏判的問(wèn)題。并且本發(fā)明基于所述篩選方法得到了用于鑒定龜甲膠成分的特征肽組合，包括氨基酸序列如SEQ ID NO...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種計(jì)劃調(diào)整方法及電子設(shè)備，用以提高計(jì)劃與用戶(hù)的匹配度和用戶(hù)的使用體驗(yàn)。該方法包括：電子設(shè)備上顯示有針對(duì)用戶(hù)生成的第一計(jì)劃。在第一計(jì)劃執(zhí)行期間，電子設(shè)備可以根據(jù)用戶(hù)的靜息代謝值確定實(shí)際熱量缺口。其中，實(shí)際熱...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)一種導(dǎo)電復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用，該復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)中包含若干導(dǎo)電中空微球，以及連接各導(dǎo)電中空微球的連接料；其中，所述導(dǎo)電中空微球由玻璃中空微球及包覆該玻璃中空微球的導(dǎo)電金屬球殼層組成；所述連接料為金屬銅。該導(dǎo)電復(fù)合材料中，一方面...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于油田開(kāi)發(fā)技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種投撈電纜。投撈電纜包括纜芯、承載層和保護(hù)套。纜芯由多根導(dǎo)體絞合組成，每根導(dǎo)體外均包覆有絕緣層；承載層包括多根承載鋼絲束，每根承載鋼絲束均由多根鋼絲絞合組成，每相鄰兩根導(dǎo)體之間均設(shè)置有承載鋼絲束，承載鋼絲...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)一種磁性復(fù)合泡沫及其制備方法和應(yīng)用，該復(fù)合泡沫的結(jié)構(gòu)中包含若干中空復(fù)合微球，以及連接各中空復(fù)合微球的連接料；其中，所述中空復(fù)合微球由玻璃中空微球及包覆該玻璃中空微球的磁性金屬球殼層組成；所述連接料由碳基質(zhì)及分散在該碳基質(zhì)中的金屬顆...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及開(kāi)關(guān)電器技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種磁保持電磁系統(tǒng)及繼電器，包括定鐵芯組件、動(dòng)鐵芯組件以及線(xiàn)圈組件，所述定鐵芯組件包括定鐵芯和連接于所述定鐵芯的永磁體，所述動(dòng)鐵芯組件配置為在所述線(xiàn)圈組件的通電作用下磁化而與所述定鐵芯組件吸合或者分?jǐn)嗖⒃谒?..
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種帶切換機(jī)構(gòu)的接觸器,包括磁路組件、動(dòng)觸組件、切換機(jī)構(gòu)與屏蔽殼，磁路組件包括線(xiàn)圈架與并聯(lián)的啟動(dòng)線(xiàn)圈、保持線(xiàn)圈，線(xiàn)圈架內(nèi)部開(kāi)設(shè)有中心孔，中心孔內(nèi)安裝有定鐵芯，動(dòng)觸組件包括貫穿設(shè)置在線(xiàn)圈架的中心孔內(nèi)的活動(dòng)推桿、動(dòng)鐵芯與動(dòng)觸橋，活動(dòng)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的工藝方法和半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件的工藝方法，包括以下步驟：采用解耦等離子體工藝對(duì)硅襯底進(jìn)行等離子處理，以使所述硅襯底朝向于等離子噴射方向的至少部分表面形成預(yù)處理層；采用氧化工藝對(duì)所述硅襯底的表面進(jìn)行氧化處理，...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法和光電探測(cè)器，所述形成方法包括：提供襯底；在襯底上形成氧化層；對(duì)氧化層進(jìn)行第一刻蝕，在氧化層內(nèi)形成第一開(kāi)口，第一開(kāi)口暴露出襯底的部分表面；對(duì)第一開(kāi)口暴露出的襯底的部分表面進(jìn)行第二刻蝕，在襯底內(nèi)形成第二開(kāi)口，其中，第二...
								
            
							
            
							
						
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								      公開(kāi)了基于芯片背面晶圓鍵合的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。一種示例性方法包括：提供第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及載體結(jié)構(gòu)。該方法還包括：將第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)鍵合到載體結(jié)構(gòu)的表面，其中，第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和...
								
            
							
            
							
						
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								      一種高密度端子模塊的制法，其包含：在一暫態(tài)襯底上涂布一層膠體，該暫態(tài)襯底具有多個(gè)承載區(qū)；在該層膠體上形成一端子結(jié)構(gòu)，該端子結(jié)構(gòu)具有一絕緣基材及分布在該絕緣基材中的多組柱狀導(dǎo)體，該些組柱狀導(dǎo)體對(duì)應(yīng)豎立于該些承載區(qū)上方且皆是以一預(yù)定圖案分布在該...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種基于空間光調(diào)控技術(shù)提高二次諧波表征精度的方法及系統(tǒng)，方法包括在SHG測(cè)量平臺(tái)的入射光路中增加空間光調(diào)制器，對(duì)入射光束的傾斜相差進(jìn)行校正；在SHG測(cè)量平臺(tái)的探測(cè)光路中增加光路調(diào)整器，對(duì)探測(cè)光束進(jìn)行多維度路徑調(diào)整；根據(jù)SHG測(cè)量平...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N可調(diào)節(jié)光吸收率和透光率的固晶裝置及方法。該裝置包括一第一固晶頭、一第二固晶頭、多個(gè)第一光柵及多個(gè)第二光柵。第一固晶頭可透光。第二固晶頭設(shè)置于第一固晶頭的下方，并且可透光。該多個(gè)第一光柵設(shè)置于第一固晶頭的底部并且彼此之間形成多個(gè)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體處理裝置，包括第一腔體、第二腔體和升降裝置，所述升降裝置包括氣缸和托盤(pán)，所述氣缸設(shè)置于所述第二腔體內(nèi)部的容納空間內(nèi)，所述氣缸的伸縮桿穿過(guò)所述連接通道向外伸出所述第二腔體，所述托盤(pán)的頂部可拆卸的設(shè)置有晶圓承載件，所述晶圓承...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)、芯片封裝方法及存儲(chǔ)系統(tǒng)，芯片封裝結(jié)構(gòu)包括封裝基板、第一芯片組和第二芯片組，封裝基板包括底板和支撐部，底板包括安裝面，支撐部凸設(shè)于安裝面；第一芯片組設(shè)于安裝面，第一芯片組包括沿遠(yuǎn)離底板的方向依次堆疊成臺(tái)階結(jié)...
								
            
							
            
							
						
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								      一種電池負(fù)極極片結(jié)構(gòu)及其制造方法與電池結(jié)構(gòu)，電池負(fù)極極片結(jié)構(gòu)包括銅箔基板、負(fù)極親鋰層以及鋰金屬層。銅箔基板具有4微米至10微米的厚度。負(fù)極親鋰層設(shè)置于銅箔基板的上表面，并具有0.1微米至0.5微米的厚度，其中負(fù)極親鋰層包括多條納米銀線(xiàn)。鋰金...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種復(fù)合正極補(bǔ)鋰材料及其制備方法和應(yīng)用，所述復(fù)合正極補(bǔ)鋰材料包括內(nèi)核，以及包覆在所述內(nèi)核表面的修飾層；所述內(nèi)核為富鋰材料，所述修飾層的材料包括草酸鋰，所述修飾層的原材料包括氣化草酸。本發(fā)明通過(guò)借助包含氣化草酸的原材料與富鋰材料表面...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種含磷含碲富鋰錳基正極材料及其制備方法和應(yīng)用。所述含磷含碲富鋰錳基正極材料的化學(xué)式為L(zhǎng)i1+δMnaNibCocTex
							
            
							
						
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