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								      本申請公開一種釀造萃取單元和飲品機，涉及飲品制作技術領域。該釀造萃取單元包括：萃取支架，包括支架主體和設置于所述支架主體一端的支撐部；萃取容器，設有支撐配合部，所述支撐配合部設置成能自所述支撐部的第一端沿著所述支撐部滑動以與所述支撐部支撐配...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種圖像編碼/解碼方法和裝置、存儲比特流的記錄介質以及傳輸方法。圖像解碼方法包括以下步驟：確定當前塊是否處于幀內模板匹配模式；在多個模板形狀候選中確定當前塊的模板形狀；根據模板形狀，基于當前模板來搜索參考模板；以及基于參考模板來生成當...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種半導體結構及其制備方法，該半導體結構包括：載板；多個發光單元，位于載板的一側，每個發光單元包括沿載板的表面間隔設置、發光波長不同的第一發光結構、第二發光結構以及第三發光結構，第二發光結構環繞第一發光結構，第三發光結構環繞...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種光伏組件的貼膜方法及貼膜系統，在所公開的貼膜方法中，將第一膜帶裁切成多個第一膜條，多個第一膜條沿第一方向陣列設置形成第一膜條組，驅動防護板移動至第一工位，并歸正；將第一膜條組沿第一方向分距鋪設后、加熱粘貼于位于第一工位的防護...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供了一種固態成像器件及其加工方法和電子設備，該固態成像器件包括晶體管，該晶體管包括：基體材料層；柵極，該柵極位于該基體材料層上；側壁隔離層，該側壁隔離層位于該基體材料層上，該側壁隔離層與該柵極相鄰并位于該柵極兩側；源極和漏極，該源極...
								
            
							
            
							
						
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								      一種標準單元版圖結構、標準單元庫及版圖布線方法。所述標準單元版圖結構包括：第一MOS管版圖結構；以及第二MOS管版圖結構；其中，所述第一MOS管版圖結構與所述第二MOS管版圖結構具有第一公共柵極區；所述第一公共柵極區對應于所述第一MOS管版...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提出了陣列基板及其制作方法、顯示面板。陣列基板包括依次層疊設置在襯底基板上的第一透明電極、絕緣層和第二透明電極，其中，所述絕緣層的材料包括在形成所述絕緣層的過程中產生氫離子的絕緣材料；以及緩沖層，所述緩沖層設置在所述第一透明電極和所述...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開了一種半導體器件、半導體晶圓及制備方法、存儲系統，半導體晶圓包括第一半導體基材、第二半導體基材及高K介電層，第二半導體基材與第一半導體基材相對設置；高K介電層設于第一半導體基材與第二半導體基材之間。本申請實施例提供的半導體晶...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種半導體器件及制備方法、封裝結構、電子設備，涉及半導體技術領域，用于降低半導體器件的亞閾值擺幅以及器件功耗。該半導體器件包括：襯底；半導體層，半導體層設置在襯底上，半導體層包括源極區、離化區、以及設置在源極區和離化區之間的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種溝槽柵MOS器件及其制備方法，該溝槽柵MOS器件包括半導體結構、體區、源區、第一溝槽結構、第二溝槽結構、源極、柵極及漏極，其中，半導體結構包括層疊的緩沖層及漂移區；體區位于漂移區上表層；源區位于體區上表層；第一溝槽結構包括第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供一種半導體器件、制備方法、集成電路及電子設備，半導體器件包括溝道層、溝道層上方的介質層、位于溝道層和介質層的相對兩側的源極區和漏極區、以及金屬柵結構，介質層包括環形的第一介質區和位于第一介質區的相對兩側的第二介質區，金屬柵結構包裹...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開一種半導體器件及其制備方法、功率開關器件、電子設備，涉及半導體技術領域。該半導體器件包括襯底、溝道層、勢壘層、柵帽層、第一鈍化層、第二鈍化層、源極和漏極。襯底具有第一表面。溝道層、勢壘層、柵帽層依次層疊設置在第一表面上。第一...
								
            
							
            
							
						
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								      電子裝置及終端設備。該電子裝置包括第一殼體、中間部件和第二殼體；該第一殼體和該第二殼體固定連接；該中間部件固定于該第一殼體和該第二殼體形成的空腔內；該第一殼體包括外表面和內表面，該內表面為朝向該中間部件的一側表面，該外表面為與該內表面的朝向...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種通信方法及裝置，其中，該方法包括：接收網絡設備發送的第一下行鏈路控制信息DCI，第一DCI指示半靜態調度SPS配置的物理下行鏈路共享信道PDSCH傳輸時機的使用情況?；谠摲椒?，終端設備可以確定SPS配置的PDSCH傳輸時機...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供一種揚聲器保護方法、電子設備及計算機可讀存儲介質，涉及終端技術領域，該方法應用于包括功率放大器和揚聲器的電子設備，功率放大器與揚聲器連接。該揚聲器保護方法具體包括以下過程：顯示第一界面，第一界面包括用于觸發啟動揚聲器播放音頻數據的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供了一種自動對焦方法、電子設備、存儲介質及程序產品，屬于電子設備技術領域。所述方法包括：啟動RGB圖像傳感器和深度圖像傳感器；RGB圖像傳感器對第N幀的RGB數據進行曝光處理，深度圖像傳感器對第N幀對應的深度數據進行處理；RGB圖像...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種頻偏估計方法、終端設備及存儲介質，涉及無線通信技術領域。該方法包括：獲取連續的M個子幀信號中的第一時隙數據，并對第一時隙數據進行調制信息消除，得到對應的頻譜數據；根據接收時間順序，將對應的頻譜數據兩兩分組，在每組頻譜數據中添...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開一種通信方法及通信裝置，其中，該方法可包括：接收M個CG PUSCH配置；M為大于1的整數；發送UTO?UCI；其中，該UTO?UCI用于指示N個CG PUSCH配置中有效CG PUSCH傳輸時機的使用情況和/或未使用情況；該UT...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開一種電機、壓縮機和制冷設備，所述電機包括機殼和定子鐵芯；所述定子鐵芯設于所述機殼，所述定子鐵芯的中部設有中心孔，所述定子鐵芯包括軛部和沿所述軛部的內周分布的多個齒部，所述軛部的外周設有與所述齒部徑向相對的焊接位，所述焊接位設有第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種連接器組件及電動車輛，連接器組件包括車端連接器與電池端連接器，電池端連接器設于電池包上，電動車輛寬度方向的兩側均設有車端連接器；沿著電動車輛的寬度方向，電池端連接器與車端連接器對接并形成電連接和/或液冷連接；位于電動車輛一側...
								
            
							
            
							
						
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