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          • 本發(fā)明屬于石油管材技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種用于石油管材電加熱裝置芯線的連接方法。一種用于石油管材電加熱裝置芯線的連接方法,包括以下步驟:選擇適配的接頭,所述接頭能承受電加熱裝置的工作壓力和溫度,對(duì)接頭表面進(jìn)行耐高溫處理;剝離芯線的絕緣層,將石...
          • 一種網(wǎng)絡(luò)恢復(fù)方法及電子設(shè)備。該網(wǎng)絡(luò)恢復(fù)方法應(yīng)用在該電子設(shè)備上時(shí),該方法包括:確定第一類型報(bào)文通信異常,以及確定第二類型報(bào)文通信正常,所述第一類型報(bào)文和所述第二類型報(bào)文為不同版本網(wǎng)絡(luò)協(xié)議報(bào)文;攔截應(yīng)用程序待發(fā)送的所述第一類型報(bào)文,并控制所述應(yīng)...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種設(shè)備控制系統(tǒng)、方法和設(shè)備,適用于計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,其中,設(shè)備控制系統(tǒng),包括:第一設(shè)備和第二設(shè)備,第一設(shè)備與第二設(shè)備之間已建立連接;第一設(shè)備響應(yīng)于用戶觸發(fā)前臺(tái)運(yùn)行第一應(yīng)用的第一操作,執(zhí)行機(jī)主識(shí)別處理;在第一設(shè)備識(shí)別到用戶不...
          • 本發(fā)明適用于無(wú)線傳輸技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種基于無(wú)線傳輸?shù)淖鳂I(yè)現(xiàn)場(chǎng)反違章監(jiān)控系統(tǒng),包括機(jī)械車總成和機(jī)械臂總成,所述機(jī)械臂總成裝配在所述機(jī)械車總成上,機(jī)械車總成用于帶動(dòng)機(jī)械臂總成移動(dòng),并帶動(dòng)機(jī)械臂總成上安裝有的監(jiān)控?cái)z像組件在無(wú)線傳輸?shù)淖鳂I(yè)現(xiàn)場(chǎng)對(duì)生...
          • 本申請(qǐng)涉及攝像頭技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種升降式攝像頭,包括:攝像頭模塊,具有伸出位置和縮回位置;上蓋,扣合在底殼上,且上蓋上設(shè)有第一滑槽和第二滑槽,第一滑槽設(shè)于上蓋的端部,攝像頭模塊可滑動(dòng)的設(shè)于第一滑槽內(nèi);滑動(dòng)支架,與攝像頭模塊連接,帶動(dòng)攝像...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種揚(yáng)聲器和電子設(shè)備,涉及終端技術(shù)領(lǐng)域。揚(yáng)聲器包括:驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和振膜;驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)沿第一方向設(shè)置在振膜的一側(cè),驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)振膜沿第一方向振動(dòng),第一方向垂直于振膜;振膜包括中心部和環(huán)形部,環(huán)形部連接于中心部的外周;中心部相對(duì)于環(huán)...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁├鋮s模組及可折疊電子設(shè)備,冷卻模組包括流道機(jī)構(gòu),流道機(jī)構(gòu)包括能夠進(jìn)行彎曲變形的彎曲流道,彎曲流道包括流道主體及第一支撐架,流道主體能夠進(jìn)行彎曲變形,流道主體具有貫通設(shè)置并用于供流體通過(guò)的流道腔,流道腔具有相面對(duì)的內(nèi)側(cè)腔壁及外側(cè)腔壁...
          • 一種玩具(1),其包括:–玩具滾輪(2);和–玩具發(fā)射器(100),其被構(gòu)造用于發(fā)射玩具滾輪(2),其中,玩具滾輪(2)包括玩具滾輪主體(3),玩具滾輪主體(3)包括–兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁(11、12);和–滾動(dòng)表面(10),其連接兩個(gè)側(cè)壁(11...
          • 提供一種粘合片的制造方法,其中,所述粘合片具備包含能夠有助于降低環(huán)境負(fù)荷的聚酯系粘合劑的粘合劑層,所述制造方法能夠防止該聚酯系粘合劑的涂布不良而形成粘合劑層。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所述的粘合片的制造方法包括:涂布工序,其將聚酯系粘合劑涂布于基...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種硅基鍺外延窗口結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體器件,方法包括:在SOI的頂層硅層的裸露表面上形成第一溝槽;在所述頂層硅層的裸露表面上形成介質(zhì)層,并將所述第一溝槽填滿;在所述介質(zhì)層的表面上形成第二溝槽,并使所述第二溝槽的底部嵌套于所述第...
          • 本披露提供了制備凍干的雙特異性分子組合物的方法,該方法包括(a)在暴露于約?18℃至約?10℃的第一溫度約60分鐘至約270分鐘的小瓶中的雙特異性分子濃度為至少約10mg/ml的液體蛋白質(zhì)組合物中誘導(dǎo)冰成核;(b)將(a)的小瓶暴露于約?2...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N實(shí)驗(yàn)室信息化管理系統(tǒng),包括:測(cè)試管理模塊,包括:倉(cāng)庫(kù)管理單元,用于獲取待測(cè)機(jī)臺(tái)的生產(chǎn)編號(hào),并根據(jù)待測(cè)機(jī)臺(tái)的生產(chǎn)編號(hào)獲取待測(cè)機(jī)臺(tái)的機(jī)臺(tái)信息和測(cè)試信息;測(cè)試執(zhí)行單元,用于將測(cè)試信息和機(jī)臺(tái)信息發(fā)送至至少一個(gè)實(shí)驗(yàn)室,并統(tǒng)計(jì)至少一個(gè)實(shí)驗(yàn)...
          • 本發(fā)明提供一種長(zhǎng)期耐彎折性優(yōu)異的電磁波屏蔽膜。本發(fā)明的電磁波屏蔽膜的特征在于,其具備保護(hù)層、導(dǎo)電性粘接劑層、以及設(shè)置于上述保護(hù)層和上述導(dǎo)電性粘接劑層之間的金屬蒸鍍層,所述電磁波屏蔽膜的拉伸模量為2.1GPa以上且4.0GPa以下,斷裂伸長(zhǎng)率...
          • 本申請(qǐng)涉及一種發(fā)光芯片鍵合基板及其制作方法和發(fā)光器件,發(fā)光芯片鍵合基板包括:基材;設(shè)于基材一側(cè)的第一導(dǎo)電層,第一導(dǎo)電層包括用于設(shè)置發(fā)光芯片的鍵合區(qū)域;以及完全覆蓋鍵合區(qū)域的第二導(dǎo)電層,第二導(dǎo)電層為黑色且具有垂直方向上導(dǎo)電,水平方向上不導(dǎo)電的...
          • 根據(jù)本文所述的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案,氧載體材料可以包含氧化還原活性金屬氧化物和含堿金屬的組合物。該含堿金屬的組合物可以具有式NauKvLiw(SixAl<...
          • 一種自動(dòng)分析裝置的噴嘴的清洗方法,所述自動(dòng)分析裝置具有:反應(yīng)容器,其收容分析對(duì)象的檢體與用于該分析的試劑的混合液;以及噴嘴,其吸引反應(yīng)容器的混合液,所述噴嘴的清洗方法具有:準(zhǔn)備工序,向反應(yīng)容器分注噴嘴的清洗液;以及清洗工序,通過(guò)噴嘴進(jìn)行反應(yīng)...
          • 一種聲波裝置包含壓電層和叉指式電極結(jié)構(gòu)。所述叉指式電極結(jié)構(gòu)包含在寬度方向上延伸的多個(gè)第一電極指和第二電極指。所述多個(gè)第一電極指和所述多個(gè)第二電極指沿著長(zhǎng)度方向彼此交錯(cuò),所述長(zhǎng)度方向不同于所述寬度方向。所述多個(gè)第一電極指或所述多個(gè)第二電極指中...
          • 計(jì)算系統(tǒng)包括處理器以及存儲(chǔ)指令的存儲(chǔ)器,當(dāng)該指令由處理器執(zhí)行時(shí),使該處理器執(zhí)行數(shù)個(gè)動(dòng)作。動(dòng)作包括在支持群組對(duì)話的消息收發(fā)應(yīng)用中從多個(gè)用戶接收多個(gè)消息,其中多個(gè)消息被包括在群組對(duì)話中。動(dòng)作還包括向生成模型提供提示,其中該提示包括多個(gè)消息。動(dòng)作...
          • 本發(fā)明提供一種更有效地抑制圖案不良且高頻特性也優(yōu)異的印刷電路板的制造方法。該印刷電路板的制造方法包含以下的工序:準(zhǔn)備具備粗糙面的絕緣基材;對(duì)絕緣基材的粗糙面進(jìn)行化學(xué)鍍,形成化學(xué)鍍層,該化學(xué)鍍層具有峰頂密度Sds為0.90μm-2<...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件、制備方法及電子設(shè)備,半導(dǎo)體器件包括:半導(dǎo)體襯底、絕緣材料層以及柵極結(jié)構(gòu),柵極結(jié)構(gòu)包括高k金屬柵極和金屬覆蓋層,金屬覆蓋層設(shè)置于高k金屬柵極背向半導(dǎo)體襯底的一側(cè),高k金屬柵極包括柵極金屬層、高k介質(zhì)層以及、柵氧化層...
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