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          • 本發(fā)明提供了一種吸附催化材料性能動態(tài)調(diào)控的方法、裝置及電子設(shè)備,所述方法包括:構(gòu)建包含功能位點區(qū)域的吸附催化材料;針對目標(biāo)反應(yīng)過程,建立計算模型模擬吸附催化材料性能的動態(tài)變化;通過計算模型調(diào)控吸附催化材料的性能動態(tài)變化。本發(fā)明提供的方法通過...
          • 本申請實施例提供了一種siRNA沉默效率預(yù)測方法及裝置,涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域,上述方法包括:獲得mRNA的組織結(jié)構(gòu)特征,組織結(jié)構(gòu)特征包括mRNA中各堿基所屬的組織結(jié)構(gòu),組織結(jié)構(gòu)包括凸環(huán)、內(nèi)環(huán)、多分支環(huán)、莖區(qū)、發(fā)卡環(huán)、自由單鏈中的至少一種;確...
          • 本發(fā)明專利公開了一種基于肌電信號與肌力信號的新型礦山救護(hù)隊員訓(xùn)練方案優(yōu)化系統(tǒng)及方法,其特征在于,測量礦山救護(hù)隊員常見實戰(zhàn)動作的肌電信號與肌力信號,并以此為依據(jù)對礦山救護(hù)隊員的訓(xùn)練方案進(jìn)行優(yōu)化推薦。為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明專利采用了如下技術(shù)方案...
          • 本發(fā)明公開了一種基于腦機交互的盆底磁刺激訓(xùn)練系統(tǒng),包括腦電采集模塊,腦電采集模塊采集的腦電信號輸入到腦電解碼算法模塊,腦電解碼算法模塊包括腦電評估單元和腦電訓(xùn)練單元;控制模塊接收來自腦電解碼算法模塊的信號或反應(yīng)評估模塊的信號后,生成控制信號...
          • 本公開提供一種運動檢測方法、裝置、電子設(shè)備和存儲介質(zhì),涉及運動訓(xùn)練技術(shù)領(lǐng)域。上述方法包括:獲取被檢測對象的至少兩個檢測位置的肌電信號;調(diào)用運動檢測模型,處理至少兩個檢測位置的肌電信號,得到至少兩個檢測位置的關(guān)節(jié)角度信息和肌力信息,其中,每個...
          • 本公開提供了一種智能導(dǎo)檢方法及裝置,其中,該方法包括:基于目標(biāo)用戶的待檢項目,確定所述目標(biāo)用戶的目標(biāo)導(dǎo)檢方案;響應(yīng)于所述目標(biāo)用戶基于所述目標(biāo)導(dǎo)檢方案開始體檢,獲取針對所述待檢項目的更新信息;其中,所述更新信息包括針對所述目標(biāo)體檢方案中待檢項...
          • 本申請公開了遠(yuǎn)程急救交互方法以及監(jiān)護(hù)終端,遠(yuǎn)程急救交互方法應(yīng)用于遠(yuǎn)程急救交互系統(tǒng)的監(jiān)護(hù)終端,系統(tǒng)還包括監(jiān)護(hù)裝置和監(jiān)測裝置,交互方法包括:檢測到監(jiān)護(hù)裝置的啟動按鍵被按下時,通過監(jiān)護(hù)終端的顯示界面提供第一對話框;第一對話框包括確認(rèn)進(jìn)入搶救觀察界...
          • 本發(fā)明提供一種具有散熱結(jié)構(gòu)的箱式變壓器,涉及變壓器技術(shù)領(lǐng)域。該具有散熱結(jié)構(gòu)的箱式變壓器包括:箱體,箱體上具有至少一個進(jìn)風(fēng)口和至少一個第一風(fēng)扇,第一風(fēng)扇對應(yīng)設(shè)置在進(jìn)風(fēng)口內(nèi),第一風(fēng)扇用于抽取箱體的外部的空氣;變壓器本體,變壓器本體設(shè)置在箱體的內(nèi)...
          • 本發(fā)明公開了一種變壓器油位補償冷卻器,屬于儲油柜技術(shù)領(lǐng)域。該變壓器油位補償冷卻器,包括下集油盒和上集油盒,所述上集油盒靠近變壓器中心的一側(cè)表面設(shè)置有進(jìn)油管,所述下集油盒遠(yuǎn)離變壓器中心的一側(cè)表面設(shè)置有出油管,所述下集油盒和上集油盒之間設(shè)置有波...
          • 一種積層陶瓷電容包含積層磚及第一與第二端電極。積層磚包含陶瓷體及第一與第二內(nèi)電極。陶瓷體具上下表面及相對的第一與第二端面。第一與第二內(nèi)電極交替嵌在陶瓷體中。第一內(nèi)電極自第一端面朝第二端面延伸。第二內(nèi)電極自第二端面朝第一端面延伸。第一與第二內(nèi)...
          • 本發(fā)明屬于電化學(xué)儲能技術(shù)領(lǐng)域,本發(fā)明與現(xiàn)有現(xiàn)有技術(shù)方案不同,提出了一種三嗪高分子聚合物高性能材料制備方法。該方法具有步驟簡單,制作流程高效等優(yōu)點。所得三嗪高分子材料可以直接作為超級電容器的電極材料,能夠保持三嗪分子的穩(wěn)定性和其聚合而成的高分...
          • 一種利于滅弧的大開距框架斷路器或隔離開關(guān),它包括機構(gòu)主軸,所述機構(gòu)主軸通過連桿機構(gòu)能夠帶動動觸頭繞其自身的轉(zhuǎn)動中心轉(zhuǎn)動,所述動觸頭轉(zhuǎn)動過程中與靜觸頭的接觸和分離控制斷路器或隔離開關(guān)的通斷,所述動觸頭上的動銀點與靜觸頭上的靜銀點在所述動觸頭轉(zhuǎn)...
          • 一種框架斷路器或隔離開關(guān)滅弧室和觸頭系統(tǒng)的布局結(jié)構(gòu),其特征在于:它包括動觸頭和靜觸頭,所述動觸頭和靜觸頭布置在殼體內(nèi)位于滅弧室下方位置,所述動觸頭和靜觸頭分?jǐn)鄷r候產(chǎn)生的電弧能夠被引導(dǎo)進(jìn)入滅弧室被熄滅,所述動觸頭上的動銀點與靜觸頭上的靜銀點在...
          • 一種框架斷路器或隔離開關(guān)用靜觸頭引弧角,所述靜觸頭引弧角a設(shè)置在滅弧柵片組一側(cè)端的外側(cè)方,所述靜觸頭引弧角一端與靜觸頭連接,另一端延伸到所述滅弧柵片組一端的外側(cè)方,所述靜觸頭引弧角另一端的端點位于所述滅弧柵片組高度的3/5~4/5位置處。框...
          • 本發(fā)明涉及調(diào)節(jié)雙腔體系統(tǒng)中偏置發(fā)生器之間相位延遲的設(shè)備和方法,雙腔體系統(tǒng)包括:第一腔體裝置,包括:包括第一卡盤的第一腔體和與該第一卡盤相連接的第一偏置發(fā)生器;第二腔體裝置,包括:包括第二卡盤的第二腔體和與該第二卡盤相連接的第二偏置發(fā)生器,其...
          • 本申請實施例公開了一種電子設(shè)備、電子器件及其制作方法,涉及金剛石技術(shù)領(lǐng)域,解決了現(xiàn)有金剛石在半導(dǎo)體異質(zhì)材料成膜時生長界面的結(jié)合力差,導(dǎo)致容易脫膜失效的問題。該電子器件包括緩沖層、鈍化層、金剛石層及半導(dǎo)體器件層。其中,緩沖層具有相對設(shè)置的第一...
          • 本發(fā)明提供一種清潔方法及半導(dǎo)體設(shè)備,半導(dǎo)體設(shè)備包括傳輸腔室、及用于對傳輸腔室抽真空的抽氣泵組和高抽速泵,傳輸腔室的腔壁上設(shè)有出氣口及多個充氣口,出氣口和多個充氣口的分布方式配置成使傳輸腔室的各個拐角區(qū)域均能夠被氣體吹掃;抽氣泵組的抽速低于高...
          • 本發(fā)明提供一種壓環(huán)組件、半導(dǎo)體工藝腔室及其控制方法。壓環(huán)組件包括環(huán)形本體;在環(huán)形本體內(nèi)沿其周向環(huán)繞設(shè)置有環(huán)形負(fù)壓通道,環(huán)形負(fù)壓通道在環(huán)形本體上形成有抽入口和抽出口;環(huán)形本體可升降地在第一位置和第二位置之間移動,在環(huán)形本體處于第一位置的情況下...
          • 本申請實施例公開了一種電子電路器件及電子設(shè)備。該電子電路器件包括本體結(jié)構(gòu)和接口焊點,該本體結(jié)構(gòu)包括有機材料,接口焊點與本體結(jié)構(gòu)電連接;在本體結(jié)構(gòu)的外周表面包覆有防潮層,防潮層包括無機膜層,且接口焊點外露于防潮層,以構(gòu)建相應(yīng)的電連接。如此設(shè)置...
          • 本申請實施方式提供一種功率模組及功率變換裝置。功率模組包括第一基板、第一芯片、互連件、第一阻擋結(jié)構(gòu)、連接物及封裝體,第一芯片與第一基板層疊設(shè)置,第一阻擋結(jié)構(gòu)設(shè)于互連件的外表面,第一芯片與互連件之間通過連接物連接,第一阻擋結(jié)構(gòu)、連接物、第一芯...
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