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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發(fā)明涉及電化學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種金屬氧化物修飾碳為載體的鉑催化劑及其制備方法和應(yīng)用，該催化劑所述的催化劑包括載體碳、用于修飾的金屬氧化物和鉑；所述的催化劑中，以催化劑的總重量計(jì)，載體碳的含量為60.0wt.％?80.0wt.％；金屬氧...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種復(fù)合催化劑及其制備方法、改性電解液及液流電池。復(fù)合催化劑包括：碳核體及包覆在碳核體表面的碳氮化鈦包覆層；其中，碳核體表面鍵連親水官能團(tuán)，碳核體的形態(tài)為納米顆粒狀。采用本發(fā)明制備得到的復(fù)合催化劑，其具有較高的均一性、穩(wěn)定性和分...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種單晶鈉電正極材料，所述鈉電正極材料為NaaNibCucMndTieMefO2
							
            
							
						
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								      本申請公開了芯片、芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備及芯片的數(shù)據(jù)傳輸方法，該芯片包括物理層，該物理層應(yīng)用于標(biāo)準(zhǔn)封裝或先進(jìn)封裝；該物理層包括電路單元，電路單元應(yīng)用于標(biāo)準(zhǔn)封裝，電路單元包括多個電路模塊，每個電路模塊包括第一端子，至少兩個電路模塊的第一端子相...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及電子裝置，該方法包括：提供基底，該基底中形成有用于與待形成的頂部金屬電連接的金屬層，且基底上依次形成有擴(kuò)散阻擋層和介質(zhì)層；在介質(zhì)層中于待連接的金屬層中兩個目標(biāo)金屬互連線之間形成第一預(yù)設(shè)深度的開口...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種卷繞型電容器封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。卷繞型電容器封裝結(jié)構(gòu)的制作方法包括：填入一底端基底材料于一初始封裝殼體內(nèi)；將一卷繞式電容器素子置入初始封裝殼體內(nèi)且定位在底端基底材料上；填入一底端圍繞材料于初始封裝殼體內(nèi)，以圍繞地包覆卷繞式電...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種可移動裝置及其卷繞型電容器封裝結(jié)構(gòu)。卷繞型電容器封裝結(jié)構(gòu)包括一卷繞式組件、一導(dǎo)電組件以及一封裝組件。導(dǎo)電組件包括一第一導(dǎo)電接腳以及一第二導(dǎo)電接腳。封裝組件包括用于完全包覆卷繞式組件的一填充膠體以及用于容置填充膠體的一單件式封裝...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種變壓器器身內(nèi)部循環(huán)沖洗系統(tǒng)及沖洗方法，包括過濾裝置、出油總管、進(jìn)油總管和多個潛油泵，其中過濾裝置上設(shè)有過濾進(jìn)油口和過濾出油口，潛油泵的輸入端通過第一連接管路與出油總管連接，并且出油總管上設(shè)有多個出油端管分別與變壓器下端對應(yīng)的變...
								
            
							
            
							
						
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								      一種薄型電阻器包含絕緣層、電阻層、一對內(nèi)電極、保護(hù)層以及一對外電極。電阻層設(shè)置于絕緣層上，其中電阻層包含一對凹槽，此對凹槽位于電阻層的相對兩側(cè)。此對內(nèi)電極分別設(shè)置于此對凹槽中與電阻層上，且此對內(nèi)電極的頂面高于電阻層的頂面。保護(hù)層覆蓋一部分的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及光學(xué)元件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種透射薄膜窗口結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用方法。一種透射薄膜窗口結(jié)構(gòu)，包括：固體基底，所述固體基底環(huán)繞一透射空間設(shè)置；透射薄膜，設(shè)置于所述固體基底表面，包括窗口部和圍繞所述窗口部的連接部；所述窗口部對應(yīng)所述透射空間設(shè)置...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及圖像處理領(lǐng)域公開了一種血管內(nèi)超聲圖像的標(biāo)記系統(tǒng)，包括：圖像接收模塊，用于接收目標(biāo)血管的血管內(nèi)超聲圖像和所述目標(biāo)血管的造影圖像；圖像處理模塊，用于提取所述血管內(nèi)超聲圖像的管腔面積數(shù)據(jù)和外彈力膜面積數(shù)據(jù)；顯示模塊，用于顯示用戶界面；所...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種電化學(xué)反應(yīng)的模擬方法、裝置和存儲介質(zhì)及電子設(shè)備。其中，該方法包括：對初始反應(yīng)結(jié)構(gòu)進(jìn)行勢能函數(shù)的能量最小化處理；在勢能函數(shù)的能量最小化處理的過程中，禁止至少兩個分子或離子之間發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)，并調(diào)整至少兩個分子或離子在初始反應(yīng)結(jié)...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供的結(jié)構(gòu)變異標(biāo)準(zhǔn)集的構(gòu)建及應(yīng)用方法、裝置和電子設(shè)備，涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域，主要技術(shù)方案包括：通過獲取預(yù)設(shè)數(shù)量的樣品測序數(shù)據(jù)，并將樣品測序數(shù)據(jù)分別通過不同的預(yù)設(shè)檢測算法進(jìn)行結(jié)構(gòu)變異檢測，得到每個樣品測序數(shù)據(jù)對應(yīng)的第一結(jié)構(gòu)變異結(jié)果；按照...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實(shí)施例提供一種數(shù)據(jù)校驗(yàn)方法、設(shè)備及存儲介質(zhì)。并提出在存儲產(chǎn)品上線使用之前，利用該數(shù)據(jù)校驗(yàn)方案來評估存儲產(chǎn)品是否能夠保障線性一致性。為此，可向待測存儲產(chǎn)品的目標(biāo)邏輯區(qū)塊中發(fā)出用戶測試的讀/寫請求，模擬待測存儲產(chǎn)品上線使用后可能發(fā)生的多線...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實(shí)施例公開一種存儲器裝置、存儲器系統(tǒng)及操作方法。其中，該存儲器裝置包括：存儲塊，所述存儲塊包括多個存儲串；每一個存儲串包括多個存儲單元；多個字線，每個所述字線與每一個所述存儲串中對應(yīng)的存儲單元耦接；以及外圍電路，與所述多個字線耦接，被...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N字線驅(qū)動電路、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、字線驅(qū)動器及存儲裝置。該字線驅(qū)動電路包括多個陣列排布的驅(qū)動單元，驅(qū)動單元包括第一晶體管和第二晶體管，第一晶體管的第一柵極接收第一使能信號，第一電極端接收打開信號；第二晶體管的第二柵極接收第二使能信號...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種主動降噪耳機(jī)和無線耳機(jī)的主動降噪方法。該耳機(jī)包括揚(yáng)聲器、前饋降噪通道和前饋?zhàn)赃m應(yīng)控制模塊，所述前饋降噪通道上具有前饋麥克風(fēng)和前饋降噪濾波器。所述前饋降噪濾波器包括第一FIR濾波器。所述前饋?zhàn)赃m應(yīng)控制模塊使用所述前饋降噪濾波器的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及智能家電技術(shù)領(lǐng)域，公開一種顯示板電源電路，包括：微控制單元電路，被配置為在顯示板處于工作狀態(tài)的情況下，輸出直流信號；在顯示板處于待機(jī)狀態(tài)的情況下，輸出方波信號；反饋電路，與微控制單元電路連接，被配置為在微控制單元電路輸出直流信號的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種移位寄存器、柵極驅(qū)動電路和顯示裝置，其中，移位寄存器包括輸出模塊、第一防漏電模塊以及第一降噪模塊；所述輸出模塊用于連接第三信號輸入端和信號輸出節(jié)點(diǎn)；所述第一降噪模塊用于連接下拉節(jié)點(diǎn)、所述信號輸出節(jié)點(diǎn)及第一信號輸入端，所述第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開是關(guān)于一種圖像顯示方法及裝置、電子設(shè)備、存儲介質(zhì)，所述方法包括：獲取包括多幀圖像的圖像序列；其中，所述圖像序列中的圖像幀包括待顯示的圖像幀；基于所述圖像序列中各圖像幀的像素信息，確定目標(biāo)像素區(qū)域；其中，所述目標(biāo)像素區(qū)域中的像素點(diǎn)為在所...
								
            
							
            
							
						
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          技術(shù)分類
          
                  
          
                      
                  
          
                
          
            
          
          
          
      
          
    
          
    
    

























































































































































 
 
    







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