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								      本發(fā)明公開一種端子電磁屏蔽強(qiáng)化型電連接器，其包括復(fù)數(shù)個(gè)第一端子、復(fù)數(shù)個(gè)第二端子以及一絕緣結(jié)構(gòu)。第一端子的第一焊接部與第二端子的第二焊接部排成一列，第一接地端子的第一焊接部具有一第一分岔結(jié)構(gòu)，第二接地端子的第二焊接部具有一第二分岔結(jié)構(gòu)，第一分...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種防止反插功能型復(fù)合式接口電連接器，其包括復(fù)數(shù)個(gè)端子、一絕緣結(jié)構(gòu)以及一金屬殼體。絕緣結(jié)構(gòu)結(jié)合于該復(fù)數(shù)個(gè)端子，絕緣結(jié)構(gòu)包括一基座、連接于基座的一舌板以及連接于基座且位于舌板的相對(duì)兩側(cè)的第一容置結(jié)構(gòu)，端子的對(duì)接部設(shè)置于舌板相對(duì)設(shè)置的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種絕緣結(jié)構(gòu)外包式直立型電連接器，包括一絕緣結(jié)構(gòu)、復(fù)數(shù)個(gè)端子、一金屬中隔件以及一金屬殼體。絕緣結(jié)構(gòu)包括一基座、一舌板以及兩個(gè)限位壁，舌板與兩個(gè)限位壁設(shè)置于基座，舌板位于兩個(gè)限位壁之間。每個(gè)端子包括一對(duì)接部、一固定部以及一焊接部，固...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種絕緣結(jié)構(gòu)外包式直立型電連接器，其包括一絕緣結(jié)構(gòu)、復(fù)數(shù)個(gè)端子以及一金屬殼體。絕緣結(jié)構(gòu)包括一基座、一舌板以及兩個(gè)限位壁，舌板與兩個(gè)限位壁設(shè)置于基座，舌板位于兩個(gè)限位壁之間。每個(gè)端子包括一對(duì)接部、一固定部以及一焊接部，固定部結(jié)合于絕...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種電連接器組合及電子卡與公端電連接器擇一使用復(fù)合型母端電連接器。復(fù)合型母端電連接器包括一第一絕緣結(jié)構(gòu)、復(fù)數(shù)個(gè)第一端子、復(fù)數(shù)個(gè)第二端子以及一金屬殼體。第一絕緣結(jié)構(gòu)包括一基座以及一舌板，舌板從基座的一側(cè)沿一第一方向延伸，舌板包括一舌...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種電連接器組合及電子卡與公端電連接器雙容置復(fù)合型母端電連接器。復(fù)合型母端電連接器包括一第一絕緣結(jié)構(gòu)、復(fù)數(shù)個(gè)第一端子、復(fù)數(shù)個(gè)第二端子以及一金屬殼體。第一絕緣結(jié)構(gòu)包括一基座以及一舌板，舌板從基座的一側(cè)沿一第一方向延伸，舌板包括一舌板...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種電連接器組合及電子卡與公端電連接器擇一使用復(fù)合型母端電連接器。復(fù)合型母端電連接器包括一第一絕緣結(jié)構(gòu)、復(fù)數(shù)個(gè)第一端子、復(fù)數(shù)個(gè)第二端子以及一金屬殼體。第一絕緣結(jié)構(gòu)包括一結(jié)構(gòu)本體、一舌板、一第一容置槽以及一第二容置槽，第一容置槽與第...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種用于車輛的電池包和車輛。該電池包包括電池模組和殼體。殼體包括沿橫向設(shè)置的第一端部梁和側(cè)部梁。第一端部梁包括沿縱向延伸的第一連接段。側(cè)部梁沿縱向延伸并且包括與第一連接段相匹配的第二連接段；第二連接段與相應(yīng)的第一連接段沿橫向彼此...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)的實(shí)施例提供一種電池、電池包及儲(chǔ)能裝置，電池包括殼體、多個(gè)電芯以及設(shè)在多個(gè)電芯中任意相鄰兩個(gè)電芯之間的隔板，多個(gè)電芯層疊設(shè)置在殼體內(nèi)；隔板包括依次層疊設(shè)置的導(dǎo)熱層、隔熱層和導(dǎo)熱層，導(dǎo)熱層用于導(dǎo)熱，沿多個(gè)電芯的層疊方向，隔板的導(dǎo)熱層位于...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種用于電池極片或固態(tài)電池的氣體等靜壓方法和裝置。所述等靜壓方法包括以下步驟：將極片或固態(tài)電池電芯裝入鋁塑袋內(nèi)，并對(duì)鋁塑袋進(jìn)行抽真空和密封處理；將密封后的鋁塑袋放入施壓倉(cāng)組件中，設(shè)定施壓壓力和維持時(shí)間；啟動(dòng)施壓功能，壓縮氣源供給...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種摻雜C3N4的銅金屬有機(jī)骨架電催化材料及其制備方法。步驟如下：首先將銅金屬有機(jī)骨架（Cu?MOF）與三聚氰胺反應(yīng)，保證在水熱前提下，干燥之后生成前驅(qū)體。然后在氮?dú)鈿夥罩性O(shè)置溫度為6...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種硅碳顆粒負(fù)極材料及其制備方法與應(yīng)用，一種硅碳顆粒負(fù)極材料，硅碳顆粒負(fù)極材料包括：多孔碳基體，包覆于多孔碳基體的孔隙中和外表面的含硅包覆層，以及包覆于硅包覆層的外表面的碳包覆層；含硅包覆層為硅和/或硅的氧化物；硅的氧化物的化學(xué)通...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種鉛酸蓄電池極板浸泡設(shè)備，屬于鉛酸蓄電池的制造技術(shù)領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有技術(shù)中鉛酸蓄電池使用壽命短的問(wèn)題。本發(fā)明包括浸泡池和輸送機(jī)構(gòu)，所述輸送機(jī)構(gòu)的至少一部分位于所述浸泡池內(nèi)，且從所述浸泡池的第一端延伸至第二端；還包括吸附機(jī)構(gòu)，所述吸...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及集流體技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種增韌納米涂層集流體的制備方法。步驟1：(1)將小分子RAFT試劑、功能性單體、硬單體制備得到大分子RAFT試劑；(2)將大分子RAFT試劑先嵌段軟單體，然后嵌段硬單體，得到嵌段彈性體；步驟2：將導(dǎo)電劑、嵌...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、形成方法、半導(dǎo)體器件及電子裝置，包括基底和位于所述基底上的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)焊墊；所述焊墊的至少一個(gè)轉(zhuǎn)角為弧形墊角，所述弧形墊角具有能夠分散應(yīng)力的曲面。本申請(qǐng)?jiān)诮橘|(zhì)層中設(shè)置多個(gè)焊墊，該焊墊的至少一個(gè)轉(zhuǎn)角...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種積層結(jié)構(gòu)，包含基底、第一金屬圖案層、模封層以及第二金屬圖案層。第一金屬圖案層形成于基底上。模封層的至少一部分與第一金屬圖案層位于同一層。第二金屬圖案層形成于第一金屬圖案層上，且第二金屬圖案層具有顯露模封層的開口圖案。第二金屬圖...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，旨在簡(jiǎn)化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中將通孔做成″酒杯狀″的工藝流程，減小晶圓被污染的風(fēng)險(xiǎn)。該方法包括提供襯底。在襯底的表面形成介質(zhì)層。在介質(zhì)層遠(yuǎn)離襯底的表面形成凹槽。利用反應(yīng)氣體，至少在凹...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N原位去除銅氧化物的方法，包括以下步驟：將次磷酸水溶液噴灑至銅氧化物的表面，所述次磷酸與所述銅氧化物反應(yīng)生成氫化亞銅；加熱分解所述氫化亞銅，原位形成銅單質(zhì)。本申請(qǐng)利用還原性的次磷酸與銅氧化物反應(yīng)生成固體氫化亞銅，生成的氫化亞銅...
								
            
							
            
							
						
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								      一種具有不同儲(chǔ)存框架的晶圓盒，所述晶圓盒包括一底座、一第一儲(chǔ)存框架、一第二儲(chǔ)存框架及一蓋體；所述第一儲(chǔ)存框架配置為儲(chǔ)存至少一第一晶圓片，所述第二儲(chǔ)存框架配置為儲(chǔ)存至少一第二晶圓片，所述第一晶圓片投影至所述底座的一圓周定義為一第一圓弧輪廓，所...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件的檢測(cè)方法、計(jì)算機(jī)設(shè)備、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)及計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，半導(dǎo)體器件的檢測(cè)方法包括：獲取晶圓的晶圓殘差圖，所述晶圓殘差圖包括所述晶圓的多個(gè)檢測(cè)區(qū)域的灰度成像；獲取所述晶圓殘差圖上的至少一條灰度曲線段，所述灰度曲線段...
								
            
							
            
							
						
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