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								      一種極片、電極組件、電池單體及其制備方法、電池、用電裝置，屬于電池技術(shù)領(lǐng)域。極片的至少端部表面設(shè)置有保護(hù)層，保護(hù)層包括氧化硅，保護(hù)層的剪切強(qiáng)度G滿足：G≥110MPa。本申請(qǐng)的技術(shù)方案有利于提高電池單體的可靠性。
								
            
							
            
							
						
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								      一種極片、電極組件、電池單體及其制備方法、電池、用電裝置，屬于電池技術(shù)領(lǐng)域。極片的至少端部表面設(shè)置有保護(hù)層，保護(hù)層包括氧化硅；基于極片的第一位置的所有元素的總質(zhì)量計(jì)，Si元素的質(zhì)量含量A滿足：A<0.01wt％，第一位置為距離端部表面...
								
            
							
            
							
						
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								      一種極片、電極組件、電池單體及其制備方法、電池、用電裝置，屬于電池技術(shù)領(lǐng)域。極片的至少端部表面設(shè)置有保護(hù)層，保護(hù)層包括氧化鋁或氧化硅，保護(hù)層的最小電阻R滿足：R≥25Ω。本申請(qǐng)的技術(shù)方案中的保護(hù)層較為致密，有利于提高電池單體的可靠性。
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N正極極片，正極極片包括正極膜層，正極膜層包含添加劑，添加劑包括酸性物質(zhì)、脫鋰物質(zhì)中的一種或多種；和/或，正極膜層包括正極活性材料，正極活性材料包括尖晶石結(jié)構(gòu)的含鋰錳復(fù)合氧化物，正極活性材料的結(jié)構(gòu)通式包括：Li1+a...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N鋰離子電池及用電裝置。鋰離子電池包括正極極片、負(fù)極極片和電解液；其中，所述正極極片包括包括正極活性材料，所述正極活性材料的鋰離子固相擴(kuò)散特征時(shí)間常數(shù)為Tp，所述負(fù)極極片包括負(fù)極活性材料，所述負(fù)極活性材料的鋰離子固相擴(kuò)散特征時(shí)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法、電子設(shè)備。其中，芯片封裝結(jié)構(gòu)包括：基板；芯片，芯片設(shè)于基板上；封裝層，封裝層設(shè)于基板上且環(huán)繞芯片，封裝層上形成有至少一個(gè)第一倒角結(jié)構(gòu)，第一倒角結(jié)構(gòu)設(shè)于封裝層上相鄰的兩個(gè)側(cè)壁之間。本申請(qǐng)能夠降低芯片封...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N三維無(wú)源器件及其制備方法，三維無(wú)源器件包括第一無(wú)源元件和第二無(wú)源元件，第一無(wú)源元件的兩個(gè)電極和第二無(wú)源元件的第一電極設(shè)置于玻璃基板的第一面，第二無(wú)源元件的第二電極設(shè)置于玻璃基板的第二面，第二面的表面粗糙度小于或等于5nm。本...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種金屬?絕緣體?金屬電容器的制造方法，包括：提供襯底；形成第一電極層，其在第一類金屬線上方具有第一開口；形成介電層及形成第二電極層，其在第二類金屬線上方具有第二開口；依次交替形成剩余的介電層及電極層，其中奇數(shù)電極層依次位于第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種壓力控制器以及注塑工裝的新技術(shù)方案。壓力控制器包括氣箱組件和控制組件，控制組件包括基座和罩體，罩體罩設(shè)于基座，氣箱組件包括氣箱主體；基座的部分位于罩體外，基座與氣箱主體的支撐面固定連接，支撐面的與基座接觸的位置與支撐面的邊緣形...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及一種含Ce釹鐵硼磁體，其中，含Ce釹鐵硼磁體包含薄殼層晶粒、反殼層晶粒和厚殼層晶粒；反殼層晶粒的核部的HRE含量高于殼部的HRE含量；厚殼層晶粒的殼部的HRE含量高于核部的HRE含量；薄殼層晶粒的殼部的HRE含量高于核部的HRE含...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種無(wú)鹵阻燃絕緣線纜及其制備方法，包括內(nèi)芯、包覆于內(nèi)芯的粘結(jié)層以及包覆于粘結(jié)層的防護(hù)層；防護(hù)層包括：聚乙烯樹脂、第一礦物粉、玻璃粉、硅酸鋁纖維、阻燃劑、成陶助劑、粘結(jié)劑以及相容劑；粘結(jié)層包括：乙烯?醋酸乙烯酯共聚物、共聚酰胺、增粘...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種參數(shù)設(shè)置方法和醫(yī)學(xué)設(shè)備。該方法包括：獲取醫(yī)學(xué)設(shè)備的用戶交互界面中設(shè)置當(dāng)前協(xié)議參數(shù)，并對(duì)當(dāng)前協(xié)議參數(shù)進(jìn)行合理性校驗(yàn)，得到參數(shù)校驗(yàn)結(jié)果，進(jìn)而根據(jù)參數(shù)校驗(yàn)結(jié)果輸出參數(shù)設(shè)置提示信息。其中，參數(shù)設(shè)置提示信息用于指示對(duì)醫(yī)學(xué)設(shè)備當(dāng)前協(xié)議參數(shù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N微笑模擬的交互方法、系統(tǒng)及電子設(shè)備，包括：顯示第一界面，第一界面包括第一用戶管理或查看牙齒診療信息的操作界面，第一界面包括第一控件，第一控件用于觸發(fā)微笑模擬導(dǎo)引功能；響應(yīng)于第一控件的操作，顯示第二界面，第二界面用于生成跳轉(zhuǎn)信息...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種基于深度學(xué)習(xí)的超材料微波吸收器的設(shè)計(jì)方法，包括數(shù)據(jù)的獲取和卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的訓(xùn)練。首先搭建了一個(gè)正向預(yù)測(cè)的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型，即由超材料微波吸收器的結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)其對(duì)應(yīng)的吸收率和紅外發(fā)射率；對(duì)于逆向設(shè)計(jì)模型，加入了自編碼器來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)降維...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例公開一種存儲(chǔ)器裝置及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。其中，該存儲(chǔ)器裝置包括：第一堆疊；其中，所述第一堆疊包括：第一溝道結(jié)構(gòu)；沿所述第一溝道結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度方向形成的多個(gè)第一存儲(chǔ)單元；與所述多個(gè)第一存儲(chǔ)單元一一耦接的多個(gè)第一字線；與所述多個(gè)第一字線一一耦接...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種存儲(chǔ)器裝置及其操作方法、存儲(chǔ)器系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，該存儲(chǔ)器裝置包括：存儲(chǔ)器陣列以及與所述存儲(chǔ)器陣列耦接的外圍電路；所述存儲(chǔ)器陣列包括多個(gè)存儲(chǔ)單元串以及與所述存儲(chǔ)單元串的一端耦接的導(dǎo)電線；所述外圍電路被配置為：在第一編程...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實(shí)施例公開了一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)及其控制方法、電子設(shè)備。該存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器裝置和存儲(chǔ)器控制器。存儲(chǔ)器控制器與所述存儲(chǔ)器裝置耦接，且被配置為：存儲(chǔ)響應(yīng)于暫停指令所執(zhí)行的暫停操作的次數(shù)，以及，在接收所述暫停指令后，判斷當(dāng)前執(zhí)行操作...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例公開一種存儲(chǔ)器裝置、編程方法及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。該存儲(chǔ)器裝置，包括：存儲(chǔ)單元陣列；所述存儲(chǔ)單元陣列包括存儲(chǔ)塊；所述存儲(chǔ)塊包括多個(gè)存儲(chǔ)單元以及與所述多個(gè)存儲(chǔ)單元偶接的多個(gè)字線；以及，外圍電路，與所述多個(gè)字線耦接，且被配置為：響應(yīng)于對(duì)所述...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例公開一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)、操作方法及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。其中，該存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括：存儲(chǔ)器裝置以及與所述存儲(chǔ)器裝置耦接的存儲(chǔ)器控制器；其中，所述存儲(chǔ)器控制器，被配置為：響應(yīng)于讀取命令，確定所述讀取命令對(duì)應(yīng)的待讀取數(shù)據(jù)的寫入和讀出的時(shí)間差所屬的時(shí)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種存儲(chǔ)控制器、存儲(chǔ)芯片、存儲(chǔ)系統(tǒng)和電子設(shè)備，屬于存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域。該存儲(chǔ)控制器與存儲(chǔ)芯片連接，存儲(chǔ)芯片包括外圍電路和多個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元包括存儲(chǔ)器件和選通器件。其中，存儲(chǔ)控制器用于：控制外圍電路向待讀取的至少一個(gè)存儲(chǔ)單...
								
            
							
            
							
						
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