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								      本申請(qǐng)公開了一種基于分類模型的分類任務(wù)執(zhí)行方法、裝置及設(shè)備，涉及人工智能技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：獲取與第一分類任務(wù)相關(guān)的第一文本；將第一文本與無語義字符進(jìn)行結(jié)合，得到第一輸入信息；通過分類模型，根據(jù)第一輸入信息，得到多個(gè)子網(wǎng)絡(luò)分別對(duì)應(yīng)的輸出信...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種結(jié)合圖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和提示調(diào)優(yōu)的低資源文本分類方法，可以以雙管齊下的方式解決低資源文本分類問題，該方法包含以下步驟：導(dǎo)入數(shù)據(jù)集，其中包括低資源文本數(shù)據(jù)和圖；多模態(tài)特征提取，使用雙編碼器架構(gòu)，通過一個(gè)transformer文本編碼器...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例公開一種文本分類方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。包括：通過獲取初始文本，通過預(yù)設(shè)的知識(shí)圖譜中的實(shí)體以及實(shí)體關(guān)系對(duì)初始文本進(jìn)行文本匹配，得到目標(biāo)文本；基于目標(biāo)文本進(jìn)行提示文本編寫，得到目標(biāo)文本對(duì)應(yīng)的提示文本；將目標(biāo)文本和提示文本...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種面向司法領(lǐng)域的多跳問答方法，根據(jù)法律文本構(gòu)建出多粒度圖，使用圖注意Transformer模型對(duì)多粒度圖進(jìn)行建模，同時(shí)兼顧多粒度圖中的圖結(jié)構(gòu)信息和遠(yuǎn)節(jié)點(diǎn)的信息，并將圖信息融入文本信息中，對(duì)文本信息進(jìn)行增強(qiáng)，提高模型的推理能力，...
								
            
							
            
							
						
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								      一種修復(fù)晶圓的方法包含研磨晶圓，以在晶圓的表面形成損傷層，執(zhí)行第一退火工藝，以將損傷層的下部轉(zhuǎn)換成再生長(zhǎng)層，且再生長(zhǎng)層在晶圓上，在損傷層上形成金屬層，以及執(zhí)行第二退火工藝，以將損傷層與金屬層轉(zhuǎn)換成合金層，且合金層在再生長(zhǎng)層上。此方法可消除由...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體裝置及其形成方法。半導(dǎo)體裝置包括具有第一導(dǎo)電類型的襯底、形成于襯底上且具有第一導(dǎo)電類型的一外延層、具有第二導(dǎo)電類型的多個(gè)摻雜部、溝槽結(jié)構(gòu)、具有第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)以及形成于外延層上且對(duì)應(yīng)阱區(qū)的一柵極結(jié)構(gòu)。外延層包括形成于襯...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種具有半共形結(jié)構(gòu)的二維材料/硅異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器及其制備方法，所述的異質(zhì)結(jié)光電器件包括金字塔硅、二氧化硅層、鉻/金電極、單層二維材料、原位生長(zhǎng)的二維材料。所述制備方法具體步驟為：采用光刻和等離子刻蝕技術(shù)在硅/二氧化硅片上刻蝕出硅...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種紅外和可見光芯片集成封裝結(jié)構(gòu)及制作方法，將紅外芯片和可見光芯片集成在同一平面，紅外芯片和可見光芯片之間設(shè)有微流道，冷卻液通過微流道能夠?qū)梢姽庑酒M(jìn)行降溫，避免可見光芯片感光過程中產(chǎn)生的熱量對(duì)紅外芯片靈敏度產(chǎn)生影響，同時(shí)冷卻液...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，具體提供一種發(fā)光面板及制備方法以及顯示面板，旨在解決現(xiàn)有發(fā)光面板在最外圍區(qū)域存在暗淡的問題。為此目的，本發(fā)明的發(fā)光面板包括基板、擋墻和發(fā)光元件，基板包括第一區(qū)、圍繞第一區(qū)的第三區(qū)和位于第三區(qū)和第一區(qū)之間的第二區(qū)；擋墻設(shè)置...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于使用機(jī)加工設(shè)備使光學(xué)鏡片成形的方法，該機(jī)加工設(shè)備配備有：封阻裝置，該封阻裝置用于對(duì)光學(xué)鏡片進(jìn)行封阻；機(jī)加工工具，該機(jī)加工工具用于對(duì)光學(xué)鏡片的表面(S0)進(jìn)行機(jī)加工；以及力傳感器，該力傳感器適于測(cè)量與機(jī)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種基于區(qū)塊鏈的自動(dòng)化測(cè)試方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品，屬于自動(dòng)測(cè)試領(lǐng)域。方法包括：向區(qū)塊鏈發(fā)布測(cè)試任務(wù)請(qǐng)求；接收所述區(qū)塊鏈執(zhí)行所述測(cè)試任務(wù)請(qǐng)求對(duì)應(yīng)的測(cè)試任務(wù)后，獲得的測(cè)試任務(wù)數(shù)據(jù)以及所述測(cè)試任務(wù)對(duì)應(yīng)的測(cè)試時(shí)間數(shù)據(jù)；運(yùn)行智能合約...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種問答模型訓(xùn)練方法和裝置，屬于人工智能領(lǐng)域。所述問答模型訓(xùn)練方法，包括：獲取樣本問題；將所述樣本問題輸入至問答模型，在所述樣本問題為復(fù)雜問題的情況下，所述問答模型將所述樣本問題順次拆分為多個(gè)子問題；基于各所述子問題對(duì)應(yīng)的預(yù)測(cè)答...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種語言模型的訓(xùn)練方法、文本預(yù)測(cè)方法、裝置、設(shè)備和介質(zhì)，涉及機(jī)器學(xué)習(xí)領(lǐng)域。該方法包括：獲取第一對(duì)話內(nèi)容；通過第一語言模型對(duì)所述第一對(duì)話內(nèi)容進(jìn)行答復(fù)內(nèi)容預(yù)測(cè)，得到第一預(yù)測(cè)結(jié)果；通過第二語言模型對(duì)所述第一對(duì)話內(nèi)容進(jìn)行答復(fù)內(nèi)容預(yù)測(cè)，得...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了AI模型的訓(xùn)練方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。該方法包括：獲取AI模型的訓(xùn)練樣本集，AI模型包括N個(gè)模型層；從N個(gè)模型層中，確定保留的M個(gè)模型層，其中，N個(gè)模型層中除M個(gè)模型層之外的剩余模型層，在采用AI模型對(duì)各個(gè)訓(xùn)練樣本進(jìn)行處理時(shí)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種基于顯式和隱式去冗余表示學(xué)習(xí)的信息運(yùn)維專業(yè)知識(shí)檢索方法，包括構(gòu)建信息運(yùn)維專業(yè)知識(shí)檢索數(shù)據(jù)集、構(gòu)建信息運(yùn)維專業(yè)知識(shí)檢索模型、訓(xùn)練信息運(yùn)維專業(yè)知識(shí)檢索模型和信息運(yùn)維專業(yè)知識(shí)檢索等步驟。本發(fā)明提供的基于顯式和隱式去冗余表示學(xué)習(xí)的信息...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了異常處理方法、裝置、電子設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，一具體實(shí)施方式包括通過響應(yīng)于異常處理請(qǐng)求，確定對(duì)應(yīng)的風(fēng)控類型標(biāo)識(shí)和業(yè)務(wù)標(biāo)識(shí)；基于風(fēng)控類型標(biāo)識(shí)，確定對(duì)應(yīng)的風(fēng)控處理核心模塊和調(diào)用順序；根據(jù)業(yè)務(wù)標(biāo)識(shí)，獲取風(fēng)控處理核心...
								
            
							
            
							
						
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								      一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包含：提供基板，其中基板包含碳化硅材料；形成第一氧化物層，在第一溫度和氧氣的存在下，經(jīng)由熱氧化工藝在基板上形成第一氧化物層，其中第一溫度高于1000℃；形成第二氧化物層，在第二溫度下，經(jīng)由沉積工藝在第一氧化物層上形...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種包括半導(dǎo)體堆疊的晶體管裝置，半導(dǎo)體堆疊包括具有第一導(dǎo)電類型的漂移層、漂移層上方且具有第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)域，以及漂移層上方且具有第二導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)域，其中第二摻雜區(qū)域的深度大于第一摻雜區(qū)域的深度。晶體管裝置包括嵌入半...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括碳化硅基板、碳化硅緩沖層以及磊晶層。碳化硅緩沖層設(shè)置在碳化硅基板上。磊晶層設(shè)置在碳化硅緩沖層上，其中碳化硅緩沖層的碳摩爾數(shù)與硅摩爾數(shù)的比值沿著碳化硅基板至磊晶層的方向漸增。通過在形成磊晶層之前先形成具有梯度式變化的碳摩爾數(shù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，所述制備方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，其上包括柵極結(jié)構(gòu)及位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源漏區(qū)域；在半導(dǎo)體襯底上依次形成第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)及第二側(cè)墻結(jié)構(gòu)，第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)及第二側(cè)墻結(jié)構(gòu)均包括位于柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的側(cè)墻部，第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)的...
								
            
							
            
							
						
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