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          • 公開了一種基于深度學(xué)習(xí)的實(shí)時(shí)壓力監(jiān)測(cè)和干預(yù)方法及系統(tǒng),該方法包括以下步驟:S1,獲取多模態(tài)壓力監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù),所述多模態(tài)壓力監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)包括通過可穿戴傳感器采集的可穿戴壓力監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù),對(duì)所述多模態(tài)壓力監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理,獲得多模態(tài)壓力監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)集;S2,...
          • 本發(fā)明屬于器官芯技術(shù)領(lǐng)域,提出了一種腦淋巴循環(huán)回流系統(tǒng)多器官級(jí)聯(lián)芯片模型構(gòu)建方法及模型,將腦類淋巴芯片的通道出入口尺寸,調(diào)整為與腦膜淋巴芯片中間通道入口尺寸一致;將腦膜淋巴管芯片中間通道出口尺寸,調(diào)整為與頸深淋巴結(jié)芯片通道入口尺寸一致;利用...
          • 本發(fā)明公開了一種基于大語(yǔ)言模型的智能多學(xué)科臨床會(huì)診系統(tǒng)及方法,涉及醫(yī)療人工智能技術(shù)領(lǐng)域;本發(fā)明通過依據(jù)結(jié)構(gòu)化會(huì)診建議集,結(jié)合醫(yī)學(xué)知識(shí)圖譜計(jì)算可能病因與會(huì)診科室的關(guān)聯(lián)程度值,自動(dòng)匹配參與會(huì)診科室并確定會(huì)診子目標(biāo),這克服了現(xiàn)有技術(shù)缺乏跨學(xué)科知識(shí)...
          • 本發(fā)明涉及線纜絞合設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種智能配電線網(wǎng)電力搶修拉直的線纜絞合裝置,包括支撐座,所述支撐座的頂部固定連接有支撐板,所述支撐板上固定連接有用于放線的放線組件,所述支撐座的頂部還設(shè)置有線纜絞合機(jī)構(gòu)。本裝置工作時(shí),線纜經(jīng)過兩組拉直組...
          • 本發(fā)明屬于線纜處理技術(shù)領(lǐng)域,具體的說(shuō)是一種線纜處理裝置,包括機(jī)體,所述機(jī)體的一側(cè)固接有固定電機(jī),所述固定電機(jī)的輸出端驅(qū)動(dòng)有兩個(gè)傳動(dòng)輥,所述機(jī)體的一側(cè)固接有固定框,所述固定框的內(nèi)部滑動(dòng)設(shè)置有兩組限位輥,兩組所述限位輥之間設(shè)置有切刀,所述機(jī)體的...
          • 本發(fā)明涉及變壓器技術(shù)領(lǐng)域,具體說(shuō)是一種變壓器避雷裝置及變壓器;通過設(shè)置變壓器本體、高壓套管、低壓端子、矩形槽、矩形塊、安裝蓋板、柱形槽和環(huán)形槽一;且通過在環(huán)形槽二中設(shè)置彈性密封條,彈性密封條被彈性橡膠片包裹在環(huán)形槽二中,初始狀態(tài)下,彈性密封...
          • 本發(fā)明公開了一種非晶帶材磁芯卷繞裝置,涉及磁芯制備相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,包括機(jī)架和設(shè)置在機(jī)架上的放卷輥,還包括:轉(zhuǎn)動(dòng)軸:所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸轉(zhuǎn)動(dòng)安裝在機(jī)架的一側(cè),所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸的外表面設(shè)置有收卷盤,且所述收卷盤與機(jī)架轉(zhuǎn)動(dòng)連接,所述收卷盤上開設(shè)有用于穿設(shè)非晶帶材磁...
          • 本發(fā)明公開了一種用于微型變壓器線圈的浸漆處理裝置,涉及變壓器生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供一種用于微型變壓器線圈的浸漆處理裝置,包括有機(jī)架等,機(jī)架轉(zhuǎn)動(dòng)連接有蓋板,機(jī)架放置有放置架,放置架滑動(dòng)連接有孔板,機(jī)架滑動(dòng)連接有成對(duì)縱向分布的連接塊,機(jī)架...
          • 本發(fā)明公開了一種斷電自持復(fù)位型磁保持控制器及其控制方法,涉及電開關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,本發(fā)明旨在提供一種具備斷電狀態(tài)保持與上電安全復(fù)位功能的節(jié)能可靠繼電器。本發(fā)明涵蓋電源模塊、輸入信號(hào)處理與隔離模塊、微控制器、繼電器驅(qū)動(dòng)電路、磁保持繼電器等多個(gè)模塊...
          • 本發(fā)明涉及芯片加工技術(shù)領(lǐng)域,且公開了一種集成電路芯片的封裝加工裝置,包括立柱,立柱的外側(cè)依次套設(shè)有套管和管座,套管的端部套接有活動(dòng)管,套管的外表面上設(shè)有環(huán)狀槽體和導(dǎo)向槽,環(huán)狀槽體位于管座的內(nèi)側(cè),導(dǎo)向槽位于活動(dòng)管的內(nèi)側(cè),活動(dòng)管上安裝有沿導(dǎo)向槽...
          • 本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體封裝設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種多功能半自動(dòng)的綁線工作平臺(tái),包括控制柜,所述控制柜上表面固定連接在直線導(dǎo)軌底壁一側(cè),所述直線導(dǎo)軌底壁另一側(cè)固定連接有底板,所述底板底壁固定連接在綁線機(jī)的承載臺(tái)上,所述直線導(dǎo)軌上滑動(dòng)連接有多螺紋孔位...
          • 本申請(qǐng)涉及一種雙固晶臺(tái)振動(dòng)盤上料固晶機(jī),涉及固晶機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,其包括在工作臺(tái)上設(shè)置出料裝置與上料裝置,出料裝置含振動(dòng)盤、直振板和放料臺(tái),上料裝置含固定架、兩個(gè)固晶臺(tái)、多個(gè)擺臂和取料組件,還包括放料臺(tái)配備負(fù)壓管、吹料管及各類感應(yīng)器,設(shè)置防抖結(jié)構(gòu)...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N增強(qiáng)晶圓對(duì)準(zhǔn)精度的方法和結(jié)構(gòu),該增強(qiáng)晶圓對(duì)準(zhǔn)精度的方法,包括:提供晶圓,并在晶圓上形成多組晶向標(biāo)記,各組晶向標(biāo)記以晶圓的圓心為對(duì)稱中心而旋轉(zhuǎn)對(duì)稱分布在晶圓兩側(cè)的扇形區(qū)域內(nèi),扇形區(qū)域的角平分線與晶圓上的晶向平邊平行。在多組晶向標(biāo)...
          • 本發(fā)明提供一種陶瓷靜電吸盤,屬于靜電吸盤技術(shù)領(lǐng)域,其包括:基體組件、調(diào)節(jié)組件和控制組件,基體組件由絕緣基座、內(nèi)殼體和絕緣頂蓋,內(nèi)殼體內(nèi)部固定安裝有散熱機(jī)構(gòu),且散熱機(jī)構(gòu)上方固定安裝有電極層,絕緣頂蓋頂面固定安裝有吸附組件,調(diào)節(jié)組件頂端延伸至絕...
          • 本發(fā)明公開了一種多級(jí)支撐式石英舟固定載具,涉及石英材料產(chǎn)品加工技術(shù)領(lǐng)域,包括底座,底座的頂部固定安裝有載具架,還包括:固定組件,設(shè)置在底座的頂部?jī)蓚?cè),固定組件包括固定架,定位組件,設(shè)置在載具架的兩側(cè),固定架,對(duì)稱安裝在底座的頂部?jī)蓚?cè),兩個(gè)固...
          • 本申請(qǐng)公開了一種散熱基板及其制備方法和應(yīng)用,本申請(qǐng)?zhí)峁┑纳峄宓闹苽浞椒ǎㄒ韵虏襟E:提供一金屬基板本體,在金屬基板本體上加工凹槽,將復(fù)合導(dǎo)熱材料填充至凹槽內(nèi),再加蓋與凹槽匹配的蓋板得到生胚;將生胚在600℃~1150℃下進(jìn)行熱壓燒結(jié),...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種倒裝芯片的偏移測(cè)量系統(tǒng)和測(cè)量方法,該測(cè)量系統(tǒng)包括由出射光束波長(zhǎng)不同的第一光源和第二光源、成像組件和處理組件,通過控制第一光源出射第一光束穿透倒裝芯片并在深層照射第一標(biāo)靶,并從第一探測(cè)器獲取包含第一標(biāo)靶的第一圖像;控制第...
          • 本申請(qǐng)公開了一種基于SIP的多通道收發(fā)模塊及其裝配方法,屬于射頻微系統(tǒng)集成技術(shù)領(lǐng)域;其包括多個(gè)芯片和PCB母板,將多個(gè)芯片按功能分別封裝到不同的SIP殼體中,形成功分器SIP、雙向放大器SIP、雙通道收發(fā)SIP、柵漏壓調(diào)制SIP和溫補(bǔ)衰減S...
          • 本發(fā)明公開了一種固態(tài)電解質(zhì)?正極一體化部件及其制備方法和鋰金屬固態(tài)電池,先將Li3InCl6吸附于正極活性材料上,再進(jìn)行兩段煅燒,得到復(fù)合粉末I;再直接將蔗糖覆于復(fù)合粉末I上煅燒造孔,得到復(fù)合粉末...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N負(fù)極活性材料及其制備方法、鈉離子電池用負(fù)極、鈉離子電池及用電裝置。該負(fù)極活性材料,包括:氮摻雜碳球基體和嵌入所述氮摻雜碳球基體內(nèi)部的一氧化錳;所述一氧化錳的平均粒徑為1.5nm~2.5nm。上述負(fù)極活性材料中,將量子點(diǎn)級(jí)的M...
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